| 1 |
1
제 1 배향막이 형성된 제 1 기판; 상기 제 1 배향막과 대면하는 제 2 배향막이 형성되며, 상기 제 1 기판과 소정의 간격을 두고 이격된 제 2 기판; 및 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 주입된 유전 이방성 액정 물질을 포함하며, 상기 제 2 배향막에는 이진 위상 격자가 형성되어 있고, 상기 이진 위상 격자는 전압의 인가가 없을 때 상기 유전 이방성 액정 물질을 0° 내지 7°범위 내의 제 1 선경사각으로 배향시키는 제 1 배향 영역과, 상기 유전 이방성 액정 물질을 상기 제 1 선경사각과는 다른 85° 내지 90°범위 내의 제 2 선경사각으로 배향시키는 제 2 배향 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 이진 위상 격자가 형성된 액정 소자
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 이진 위상 격자에는 상기 제 1 배향 영역과 상기 제 2 배향 영역이 소정의 주기로 교대로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 이진 위상 격자가 형성된 액정 소자
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서, 상기 이진 위상 격자는 1차원 이진 위상 격자인 것을 특징으로 하는 이진 위상 격자가 형성된 액정 소자
|
| 4 |
4
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 배향막과 상기 제 2 배향막 중 적어도 하나는 광배향 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 이진 위상 격자가 형성된 액정 소자
|
| 5 |
5
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 배향 영역과 대면하는 상기 제1 배향막 상의 부분에는 상기 유전 이방성 액정 물질을 상기 제 1 선경사각으로 배향시키는 제 3 배향 영역이 형성되어 있고, 상기 제 2 배향 영역과 대면하는 상기 제 1 배향막 상의 부분에는 상기 유전 이방성 액정 물질을 상기 제 2 선경사각으로 배향시키는 제 4 배향 영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 이진 위상 격자가 형성된 액정 소자
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제 1 기판의 일면 상에 제 1 배향막을 형성하는 단계; 상기 제 1 배향막의 형성 단계와는 별개로 제 2 기판의 일면 상에 제 2 배향막을 형성하는 단계; 상기 제 1 배향막과 상기 제 2 배향막 중 적어도 하나에 이진 위상 격자를 형성하는 단계; 및 상기 제 1 배향막과 상기 제 2 배향막이 대면하도록 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판을 소정의 간격을 두고 이격시키고 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 유전 이방성 액정 물질을 주입하는 단계를 포함하며, 상기 이진 위상 격자는 전압의 인가가 없을 때 상기 유전 이방성 액정 물질을 0° 내지 7°범위 내의 제 1 선경사각으로 배향시키는 제 1 배향 영역과, 상기 유전 이방성 액정 물질을 상기 제 1 선경사각과는 다른 85° 내지 90°범위 내의 제 2 선경사각으로 배향시키는 제2 배향 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 이진 위상 격자가 형성된 액정 소자 제조 방법
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서, 상기 이진 위상 격자를 광배향 방법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 이진 위상 격자가 형성된 액정 소자 제조 방법
|
| 10 |
9
제 8 항에 있어서, 상기 이진 위상 격자를 광배향 방법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 이진 위상 격자가 형성된 액정 소자 제조 방법
|
