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Si, SiO2, GaAs 및 InP에서 선택된 어느 하나로 이루어진 기판;검사광을 생성하여 방출하도록 상기 기판 상에서부터 성장된 것이거나 별도로 제작한 다음 상기 기판 상에 패키징한 것이며, 레이저 다이오드(laser diode : LD) 및 발광 다이오드(light emitting diode : LED) 중 어느 하나를 포함하는 광원부;상기 기판 상에 상기 광원부 측면으로 판상으로 형성되며, 입사된 검사광을 가이드하도록 Si, SiO2, GaAs, AlGaAs 및 InP 중에서 선택된 1종 이상을 포함하여 이루어지는 광가이드부;상기 광가이드부의 일측면에 형성되어 상기 광가이드부를 통해 플라즈몬 공명 현상이 일어나는 소정의 입사각으로 입사된 검사광에 의해 표면 플라즈마 파를 형성하고, 상기 플라즈몬 공명 현상이 일어나는 소정의 입사각 이외의 각도로 입사된 검사광은 반사시키며, 상기 광가이드부에 접해 있는 면의 타측면에 검사 대상이 되는 시료가 위치되는 금속박막; 및상기 금속박막에 의해 반사되어 상기 광가이드부를 통해 출사된 검사광을 검출하도록 상기 기판 상에서부터 성장된 것이거나 별도로 제작한 다음 상기 기판 상에 패키징한 것이며, 상기 광가이드부의 타측면에 일렬로 배열되어 있는 복수의 광다이오드(photo diode : PD)를 포함하는 광검출부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서
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제1항에 있어서,상기 금속박막은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서
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제1항에 있어서,상기 광가이드부의 굴절률은 상기 기판의 굴절률보다 큰 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서
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제1항에 있어서,상기 광가이드부의 상부 및 하부에 상기 광가이드부의 외부로부터 상기 광가이드부로의 광의 입사를 차단하는 광차단부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서
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제1항에 있어서,상기 광다이오드는 광도파로 형태인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서
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제1항에 있어서,상기 일렬로 배열되어 있는 복수의 광다이오드 간의 간격은 5 내지 20μm 범위에서 설정되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서
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제10항에 있어서,상기 금속박막은,상기 광가이드부에 접해 있는 일면에 있어 상기 기판과 평행한 부분의 길이가 500 내지 1000μm의 범위에서 설정되고, 상기 기판과 수직한 부분의 길이가 1 내지 5μm 범위에서 설정되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서
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기판 상에 광을 가이드하여 광의 이동경로가 되는 광가이드부를 형성하는 단계;상기 광가이드부의 일측을 에칭하는 단계;상기 광가이드부가 에칭된 부분에 상기 광가이드부의 일측면과 접촉되도록 상기 기판 상에 상기 상기 광가이드부를 통해 플라즈몬 공명 현상이 일어나는 소정의 입사각으로 입사된 검사광에 의해 표면 플라즈마파를 형성하고, 상기 플라즈몬 공명 현상이 일어나는 소정의 입사각 이외의 각도로 입사된 검사광은 반사시키는 금속박막을 형성하는 단계; 및상기 광가이드부에 광을 조사하는 광원부와 상기 광가이드부로부터 출사된 광을 검출하는 광검출부를 패키징하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서 제조방법
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제12항에 있어서,상기 기판은 실리콘 또는 실리콘 산화물 기판인 것을 특징으로 하는 표면 플로즈몬 공명 센서 제조방법
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제12항에 있어서,상기 광검출부는 일렬로 배열된 복수의 광다이오드를 포함하며, 상기 일렬로 배열된 복수의 광다이오드의 간격은 5 내지 20μm 범위에서 설정되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서 제조방법
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기판 상에 광을 조사하는 광원부를 형성하는 단계;상기 광원부에 대응되는 부분을 제외하고 에칭하는 단계;상기 기판 상에 광을 검출하는 광검출부를 형성하는 단계;상기 광원부와 광검출부에 대응되는 부분을 제외하고 에칭하는 단계;기판 상에 광을 가이드하여 광의 이동경로가 되는 광가이드부를 형성하는 단계;상기 광가이드부의 일측을 에칭하는 단계; 및상기 광가이드부가 에칭된 부분에 상기 광가이드부의 일측면과 접촉되도록 상기 기판 상에 상기 상기 광가이드부를 통해 플라즈몬 공명 현상이 일어나는 소정의 입사각으로 입사된 검사광에 의해 표면 플라즈마파를 형성하고, 상기 플라즈몬 공명 현상이 일어나는 소정의 입사각 이외의 각도로 입사된 검사광은 반사시키는 금속박막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서 제조방법
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제15항에 있어서,상기 기판은 GaAs 또는 InP 기판인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서 제조방법
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제15항에 있어서,상기 광검출부를 형성하는 단계는,복수의 광다이오드를 5 내지 20μm 간격으로 일렬로 형성하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서 제조방법
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제12항 또는 제15항에 있어서,상기 광가이드부를 에칭하는 단계는,상기 광가이드부를 통해 입사된 광을 반사시키는 부분의 너비가 500 내지 1000μm의 범위가 되도록 상기 광가이드부를 에칭하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서 제조방법
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제12항 또는 제15항에 있어서,상기 금속박막을 형성하는 단계는,상기 광가이드부를 통해 입사된 광을 반사시키는 부분의 폭이 1 내지 5μm의 범위가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서 제조방법
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제12항 또는 제15항에 있어서,상기 광가이드부를 형성하는 단계 전과 상기 광가이드부의 일측을 에칭하는 단계 후에 상기 광가이드부의 외부로부터 상기 광가이드로의 광의 입사를 차단하는 광차단 부재를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서 제조방법
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제12항 또는 제15항에 있어서,상기 광가이드부를 형성하는 단계는 상기 기판의 굴절률보다 큰 굴절률을 가지는 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서 제조방법
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