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반도체 검출기를 사용한 디지털 감마선 분광학 방법

  • 기술번호 : KST2015159893
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 검출기를 사용한 감마선 분광학 방법을 제공한다. 상기 분광학 방법은 반도체 검출기의 감마선 반응에 의하여 발생된 전류 신호의 파형을 디지털 신호로 측정하여 기록하는 신호 기록 단계와, 상기 측정된 디지털 신호로부터 상기 감마선의 반응 에너지를 취득하는 반응 에너지 취득 단계와, 상기 측정된 디지털 신호로부터 상기 감마선의 반응 위치 및 반응 시간을 취득 하는 반응 위치/시간 취득 단계를 포함함으로써, 단일 전극을 사용하여 아날로그의 신호 처리과정 없이 감마선의 분광학적 반응 에너지와 위치 및 시간과 같은 반응 정보를 용이하게 도출할 수 있다.
Int. CL G01J 1/44 (2006.01) G01J 3/443 (2006.01)
CPC G01J 1/44(2013.01) G01J 1/44(2013.01) G01J 1/44(2013.01) G01J 1/44(2013.01)
출원번호/일자 1020070108137 (2007.10.26)
출원인 중앙대학교 산학협력단, 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0908135-0000 (2009.07.09)
공개번호/일자 10-2009-0042404 (2009.04.30) 문서열기
공고번호/일자 (20090716) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.26)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이주한 대한민국 경기 안양시 동안구
2 이춘식 대한민국 경기 광명시 철

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울 동작구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0767868-70
2 보정요구서
Request for Amendment
2007.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0164186-12
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2007.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0843761-55
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.12.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0002416-04
7 등록결정서
Decision to grant
2009.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0270978-97
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148883-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148879-89
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000494-54
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2014-5123944-33
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 검출기의 감마선 반응에 의하여 발생된 전류 신호의 파형을 디지털 신호로 측정하여 기록하는 신호 기록 단계; 상기 측정된 디지털 신호로부터 상기 감마선의 반응 에너지를 취득하는 반응 에너지 취득 단계; 및 상기 측정된 디지털 신호로부터 상기 감마선의 반응 위치 및 반응 시간을 취득 하는 반응 위치/시간 취득 단계를 포함하는 반도체 검출기를 사용한 디지털 감마선 분광학 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 신호 기록 단계는 상기 전류 신호를 전치 증폭기를 사용하여 일정 수준으로 축적시키고 전위 신호로 변환시키는 단계와, 상기 전위 신호의 파형을 디지털 파형 기록기를 사용하여 디지털 신호로 측정하여 기록하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 검출기를 사용한 디지털 감마선 분광학 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 반응 에너지 취득 단계는 상기 측정된 디지털 신호로부터 상기 감마선의 반응 에너지를 변수로 하여 디지털 신호로 계산하는 단계와, 상기 측정된 디지털 신호의 파형과 상기 계산된 디지털 신호의 파형 서로 비교하여 일정 수준으로 일치되는 범위에 포함되는 반응 에너지를 취득하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 검출기를 사용한 디지털 감마선 분광학 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 측정된 디지털 신호의 파형과 상기 계산된 디지털 신호의 파형은 디지털 쉐이퍼에 의하여 반응 위치와 반응 시간에 대한 정보가 포함되는 파형이 삭제되는 것을 특징으로 하는 반도체 검출기를 사용한 디지털 감마선 분광학 방법
5 5
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 반응 위치/시간 취득 단계는 상기 취득된 반응 에너지가 입력되는 단계와, 상기 측정된 디지털 신호로부터 상기 반응 위치와 상기 반응 시간을 변수로 하여 다른 디지털 신호를 계산하는 단계와, 상기 측정된 디지털 신호의 파형과 상기 계산된 다른 디지털 신호의 파형 서로 비교하여 일정 수준으로 일치되는 범위에 포함되는 반응 위치 및 반응 시간을 취득하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 검출기를 사용한 디지털 감마선 분광학 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 반도체 검출기는 원통형의 게르마늄 검출기인 것을 특징으로 하는 반도체 검출기를 사용한 디지털 감마선 분광학 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 반응 에너지는 파고인 것을 특징으로 하는 반도체 검출기를 사용한 디지털 감마선 분광학 방법
8 8
원통형의 게르마늄 검출기인 반도체 검출기의 감마선 반응에 의하여 발생된 전류 신호의 파형을 디지털 신호로 측정하여 기록하는 신호 기록 단계와, 상기 측정된 디지털 신호로부터 상기 감마선의 반응 에너지를 취득하는 반응 에너지 취득 단계와, 상기 측정된 디지털 신호로부터 상기 감마선의 반응 위치 및 반응 시간을 취득 하는 반응 위치/시간 취득 단계를 포함하되, 상기 신호 기록 단계는 상기 전류 신호를 전치 증폭기를 사용하여 일정 수준으로 축적시키고 전위 신호로 변환시키는 단계와, 상기 전위 신호의 파형을 디지털 파형 기록기를 사용하여 디지털 신호로 측정하여 기록하는 단계를 실행하고, 상기 반응 에너지 취득 단계는 상기 측정된 디지털 신호로부터 상기 감마선의 반응 에너지를 변수로 하여 디지털 신호로 계산하는 단계와, 상기 측정된 디지털 신호의 파형과 상기 계산된 디지털 신호의 파형 서로 비교하여 일정 수준으로 일치되는 범위에 포함되는 반응 에너지를 취득하는 단계를 실행하며, 상기 반응 위치/시간 취득 단계는 상기 취득된 반응 에너지가 입력되는 단계와, 상기 측정된 디지털 신호로부터 상기 반응 위치와 상기 반응 시간을 변수로 하여 다른 디지털 신호를 계산하는 단계와, 상기 측정된 디지털 신호의 파형과 상기 계산된 다른 디지털 신호의 파형 서로 비교하여 일정 수준으로 일치되는 범위에 포함되는 반응 위치 및 반응 시간을 취득하는 단계를 실행하는 것을 특징으로 하는 반도체 검출기를 사용한 디지털 감마선 분광학 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 서울대학교 산학협력단 기술기반구축사업 첨단의료영상기술 개발 혁신 클러스터