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하기 화학식 1로 표시되는 중합 반복 단위(repeating unit)를 포함하는 중합체와 하기 화학식 2의 디아크릴(diacryl) 화합물과 반응에 의해 생성되는 광중합성 네가티브 포토레지스트 개질 중합체
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제 1항에 있어서,
상기 광중합성 네가티브 포토레지스트 개질 중합체는 디아크릴레이트 실록산중합체, 디아크릴레이트 실라잔중합체, 디아크릴레이트 우레아실라잔중합체에서 선택되는 어느 한 중합체인 것을 특징으로 하는 광중합성 네가티브 포토레지스트 개질 중합체
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제 1항의 광중합성 네가티브 포토레지스트 개질중합체, 유기용제 및 광개시제를 포함하는 광중합성 네거티브 포토레지스트 조성물
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4
제 3항에 있어서,
상기 유기용제는 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofurane), 톨루엔(toluene), 벤젠(benzene) 또는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에서 선택되는 어느 한 성분 이상이고, 상기 유기용매는 상기 중합체에 대해 80 중량% 이하로 사용되는 것을 특징으로 하는 광중합성 네거티브 포토레지스트 조성물
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5
제 3항에 있어서,
상기 포토레지스트 조성물은 백금 또는 로듐 촉매중 선택되는 귀금속 촉매, 또는 이광자흡수염료를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 광중합성 네거티브 포토레지스트 조성물
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6
제 5항에 있어서,
상기 귀금속 촉매는 사이클로펜타디에닐메틸 트리메틸플래티늄 (η5-cyclopentadienylmethyl trimethylplatinium)인 광중합성 네거티브 포토레지스트 조성물
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7
(a) 제 3항 내지 제 6항에서 선택된 어느 한 항의 포토레지스트 조성물을 기판에 도포하여 포토레지스트 막을 형성하는 단계;
(b) 상기 포토레지스트 막을 노광원으로 노광하는 단계; 및
(c) 상기 결과물을 현상하여 포토레지스트 패턴을 얻는 단계;
를 포함하는 포토레지스트 패턴 형성방법
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8
제 7항에 있어서,
(b) 단계의 노광 전에 소프트 베이크 공정 또는 (b) 단계의 노광 후에 포스트 베이크 공정을 실시하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성 방법
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9
제 7항에 있어서,
상기 노광원은 UV, E-빔 또는 레이저빔에서 선택되는 포토레지스트 패턴 형성방법
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10
제 7항에 있어서,
광중합을 일으키는 노광 영역을 입체적으로 제한 선택 가교시킴으로써 2차원 혹은 3차원의 포토레지스트 패턴 형성 방법
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11
제 10항의 패턴 형성 방법에 의해 제조되는 포토레지스트 패턴을 열처리하여 무기 패턴 구조물을 제조하는 방법
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12
제 11항에 있어서,
상기 열처리는 질소 기류 하에 600℃ 내지 1200℃에서 실시하는 것을 특징으로 하는 무기 패턴 구조물을 제조하는 방법
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13
제 11항의 제조 방법에 의해 형성되는 무기 미세 패턴 구조물
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14
제 13항의 무기 미세 패턴 구조물을 사용하는 기능성 세라믹 패턴 소자
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