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질소화합물 가스 접촉시 기공을 형성하고, 산소화합물 가스 접촉시 기공이 소실되는 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈럼(Ta), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 티타늄(Ti), 하프늄(Hf) 및 니오븀(Nb)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전이금속 구조체 및 전기전도도 측정장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 산소 검출용 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 질소화합물 가스는 암모니아 가스, 시안화수소(HCN) 가스, 히드라진(N2H4) 가스, 그리고 1차, 2차 및 3차 아민을 포함하는 아민계 화합물 가스로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 질소화합물 가스인 것을 특징으로 하는 산소 검출용 센서
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청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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제 1 항에 있어서, 상기 전이금속 구조체는 500-900℃ 조건에서 질소화합물 가스와 접촉시 기공을 생성하는 전이금속 질화물을 형성하고, 200-600℃ 조건에서 산소화합물 가스와 접촉시 기공이 소실되는 전이금속 산화물을 형성하는 것을 특징으로 하는 산소 검출용 센서
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반응조에 결합되고; 질소화합물 가스 접촉시 기공을 형성하고, 산소화합물 가스 접촉시 기공이 소실되는 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈럼(Ta), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 티타늄(Ti), 하프늄(Hf) 및 니오븀(Nb)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전이금속 구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 산소 차단 게이트
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제 6 항에 있어서, 상기 질소화합물 가스는 암모니아 가스, 시안화수소(HCN) 가스, 히드라진(N2H4) 가스, 그리고 1차, 2차 및 3차 아민을 포함하는 아민계 화합물 가스로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 질소화합물 가스인 것을 특징으로 하는 산소 차단 게이트
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청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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제 6 항에 있어서, 상기 전이금속 구조체는 500-900℃ 조건에서 질소화합물 가스와 접촉시 기공을 생성하는 전이금속 질화물을 형성하고, 200-600℃ 조건에서 산소화합물 가스와 접촉시 기공이 소실되는 전이금속 산화물을 형성하는 것을 특징으로 하는 산소 차단 게이트
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다음 단계를 포함하는 산소 유입 측정 방법:(a) 질소화합물 가스 접촉시 기공을 형성하고, 산소화합물 가스 접촉시 기공이 소실되는 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈럼(Ta), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 티타늄(Ti), 하프늄(Hf) 및 니오븀(Nb)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전이금속 구조체에 산소를 접촉시키는 단계; 및(b) 상기 전이금속 구조체의 기공의 형성도를 측정하는 단계
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제 11 항에 있어서, 상기 방법에서의 단계 (b)는 상기 전이금속 구조체의 전기전도도를 이용하여 전이금속 구조체의 기공의 형성도를 측정하는 것을 특징으로 하는 산소 유입 측정 방법
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다음 단계를 포함하는 산소 유입 차단 방법:(a) 반응조에 결합된 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈럼(Ta), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 티타늄(Ti), 하프늄(Hf) 및 니오븀(Nb)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전이금속 구조체에 질소화합물 가스 접촉하여 기공을 형성하는 단계; 및 (b) 산소화합물 가스 유입시 상기 기공이 소실되도록 하는 단계;
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