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쉘의 표면에 유기 리간드가 결합되어 있는 나노결정 양자점에 있어서, 양자점 솔리드스테이트 필름을 열 어닐링처리를 한 후, 할로겐 용액에 접촉시켜, 친핵 반응을 통한 정전기 상호작용을 이용하여 상기 나노결정 양자점의 표면에 존재하는 양이온이 상기 할로겐 용액의 할로겐 음이온과 결합함에 따라 상기 유기 리간드가 할로겐 물질로 치환되는 것을 특징으로 하는 할로겐 표면 치환된 나노결정 양자점
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제 1항에 있어서,할로겐 이온 치환을 위한 상기 할로겐 물질은 세틸 암모늄 브로마이드(CTAB:Cetyl Ammonium Bromide), 암모늄 브로마이드(Ammonium Bromide), 암모늄 클로라이드(Ammonium Chloride), 암모늄 아이어나이드(Ammonium Ionide), 암모늄 플루오라이드(Ammonium Fluoride) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 할로겐 표면 치환된 나노결정 양자점
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쉘의 표면에 유기 리간드가 결합되어 있는 나노결정 양자점을 준비하는 단계;양자점 솔리드스테이트 필름을 열 어닐링처리하는 단계;상기 나노결정 양자점을 할로겐 용액에 접촉시켜, 친핵 반응을 통한 정전기 상호작용을 이용하여 상기 나노결정 양자점의 표면에 존재하는 양이온이 상기 할로겐 용액의 할로겐 음이온과 결합함에 따라 상기 유기 리간드를 할로겐 물질로 치환하는 단계;상기 나노결정 양자점을 세정하여 불순물을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노결정 양자점의 표면 안정화를 위한 할로겐 표면 치환 방법
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제 5항에 있어서,할로겐 이온 치환을 위한 상기 할로겐 물질은 세틸 암모늄 브로마이드(CTAB:Cetyl Ammonium Bromide), 암모늄 브로마이드(Ammonium Bromide), 암모늄 클로라이드(Ammonium Chloride), 암모늄 아이어나이드(Ammonium Ionide), 암모늄 플루오라이드(Ammonium Fluoride) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노결정 양자점의 표면 안정화를 위한 할로겐 표면 치환 방법
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제 7항에 있어서,상기 나노결정 양자점을 할로겐 용액에 접촉시켜 유기 리간드를 할로겐 물질로 치환시키는 단계에서, 상기 나노결정 양자점을 5 ~ 50 mg/ml의 CTAB(Cetyl Ammonium Bromide) 용액에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 나노결정 양자점의 표면 안정화를 위한 할로겐 표면 치환 방법
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제 9항에 있어서,상기 나노결정 양자점을 세정하여 불순물을 제거하는 단계에서, 알콜류를 세정액으로 사용하여 암모늄-올레산 복합물을 제거하는 것을 특징으로 하는 나노결정 양자점의 표면 안정화를 위한 할로겐 표면 치환 방법
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