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세슘 브로마이드(CsBr), 리튬 브로마이드(LiBr)와 가돌리늄 브로마이드(GdBr3)를 모체로 하여 세륨이 도핑된 세슘 리튬 가돌리늄 브로마이드 섬광체로서,상기 세슘 리튬 가돌리늄 브로마이드 섬광체는 상기 모체에 세륨 브로마이드(CeBr3)가 도핑 물질로 첨가되어 상기 세륨이 도핑된 것을 특징으로 하는 세슘 리튬 가돌리늄 브로마이드 섬광체
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제 1항에 있어서,세륨의 도핑 농도는 0 mol% 초과 50 mol% 이하인 것을 특징으로 하는 세륨이 도핑된 세슘 리튬 가돌리늄 브로마이드 섬광체
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제 1항에 있어서,370 ~ 460 nm 범위의 발광 파장 및 440 nm의 피크 파장들을 갖는 것을 특징으로 하는 세륨이 도핑된 세슘 리튬 가돌리늄 브로마이드 섬광체
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삭제
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제 1항에 있어서,분말, 단결정 또는 다결정 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 세륨이 도핑된 세슘 리튬 가돌리늄 브로마이드 섬광체
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세슘 브로마이드(CsBr), 리튬 브로마이드(LiBr)와 가돌리늄 브로마이드(GdBr3)로 이루어진 모체를 준비하는 단계;상기 모체에 세륨 브로마이드(CeBr3)를 도핑 물질로 첨가하는 단계; 및상기 모체 및 상기 도핑 물질로부터 세륨이 도핑된 세슘 리튬 가돌리늄 브로마이드를 육성하는 단계를 포함하는 세륨이 도핑된 세슘 리튬 가돌리늄 브로마이드 섬광체의 제조 방법
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제 6항에 있어서,상기 모체를 준비하는 단계는 상기 세슘 브로마이드, 상기 리튬 브로마이드와 상기 가돌리늄 브로마이드를 2:1:1 몰비로 혼합하는 것을 특징으로 하는 세륨이 도핑된 세슘 리튬 가돌리늄 브로마이드 섬광체의 제조 방법
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제 6항에 있어서,상기 세륨이 도핑된 세슘 리튬 가돌리늄 브로마이드를 육성하는 단계는 초클라스키 방식 또는 브리지만 방식을 이용하는 것을 특징으로 하는 세륨이 도핑된 세슘 리튬 가돌리늄 브로마이드 섬광체의 제조 방법
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제 6항에 있어서,육성된 세륨이 도핑된 세슘 리튬 가돌리늄 브로마이드를 원통형으로 제조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 세륨이 도핑된 세슘 리튬 가돌리늄 브로마이드 섬광체의 제조 방법
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세슘 브로마이드(CsBr), 리튬 브로마이드(LiBr)와 가돌리늄 브로마이드(GdBr3)를 모체로 하는 세륨이 도핑된 세슘 리튬 가돌리늄 브로마이드 섬광체를 포함하는 방사선 센서로서,상기 세슘 리튬 가돌리늄 브로마이드 섬광체는 상기 모체에 세륨 브로마이드(CeBr3)가 도핑 물질로 첨가되어 상기 세륨이 도핑된 것을 특징으로 하는 방사선 센서
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