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나노 구조를 포함하는 다공성 양극산화 알루미늄 몰드를 준비하는 단계;상기 다공성 양극산화 알루미늄 몰드 상에 고분자를 배치시키는 단계;상기 다공성 양극산화 알루미늄 몰드 및 상기 고분자를 40 ℃ 내지 250 ℃의 온도 범위 및 50 N/m 내지 500 kN/m의 압력 범위에서 열간 프레스하여 상기 고분자 상에 나노텍스처화된 고분자 구조물을 형성하는 단계; 및상기 다공성 양극산화 알루미늄 몰드로부터 상기 나노텍스처화된 고분자 구조물을 포함하는 고분자를 분리하는 단계를 포함하고, 상기 다공성 양극산화 알루미늄 몰드를 준비하는 단계는,알루미늄을 연마하는 단계;상기 연마된 알루미늄에 1차 양극산화를 수행하는 단계;상기 1차 양극산화 알루미늄 층을 식각하는 단계;상기 식각된 1차 양극산화 알루미늄에 2차 양극산화를 수행하여 나노 구조를 형성하는 단계; 및크롬산, 인산, 염산, 불산 및 황산으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 용액 내에서 10 ℃ 내지 50 ℃의 온도를 유지하면서 상기 나노 구조의 기공을 확대하는 단계를 포함하며,상기 1차 양극산화를 수행하는 단계는상기 연마된 알루미늄 표면이 양극산화되면서 아래로 볼록한 패턴을 가지는 나노 딤플(nano dimple)이 형성된 상기 1차 양극산화 알루미늄 층을 형성하고,상기 나노 구조를 형성하는 단계는상기 2차 양극산화를 수행하여 가운데가 관통된 6각 기둥 형상을 가지는 나노 구조를 형성하며, 상기 6각 기둥의 인터포어(interpore) 간격은 50nm 내지 600nm이고,상기 고분자 상에 나노텍스처화된 고분자 구조물을 형성하는 단계는상기 고분자의 상부 영역에 10 nm 내지 300 nm 범위의 직경, 10 nm 내지 40 ㎛ 범위의 길이, 1 내지 140 범위의 종횡비를 가지는 나노텍스처화된 고분자 구조물을 형성하며,상기 나노텍스처화된 고분자 구조물의 종횡비에 따라 상이한 물 접촉각을 가지는, 나노텍스처화된 초소수성 고분자 필름의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 1차 양극산화 및 상기 2차 양극산화는, 각각,과염소산, 에탄올, 황산, 크롬산, 인산 및 옥살산으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 전해질 내에서 -30 ℃ 내지 200 ℃의 온도를 유지하면서 20 V 내지 300 V사이의 전압을 5 분 내지 72 시간 동안 인가하여 수행하는 것인, 나노텍스처화된 초소수성 고분자 필름의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 다공성 양극산화 알루미늄을 식각하는 단계는,크롬산, 인산, 염산, 불산 및 황산으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 식각액 내에서 20 ℃ 내지 100 ℃의 온도를 유지하면서 5 분 내지 24 시간 동안 수행하는 것인, 나노텍스처화된 초소수성 고분자 필름의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 나노 구조의 기공을 확대하는 단계 이후에,상기 2차 양극산화 알루미늄 몰드 표면 상에 소수성 자기조립 단분자막 혹은 소수성 자기조립 고분자막으로 표면처리하는 단계;를 더 포함하는, 나노텍스처화된 초소수성 고분자 필름의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 소수성 자기조립 단분자막 혹은 소수성 자기조립 고분자막은, 옥타데실트리에톡시실란(octadecyltrietoxysilane; ODTS), 헥실트리알콕시실란(hexyltrialkoxysilane), 헵타트리알콕시실란(heptatrialkoxysilane), 옥틸트리알콕시실란(octyltrialkoxysilane), 데실트리알콕시실란(decyltrialkoxysilane), 운데실트리알콕시실란(undecyltrialkoxysilane), 도데실트리알콕시실란(dodecyltrialkoxysilane), 옥타데실트리알콕시실란(octadecyltrialkoxysilane)을 포함하는 알킬 알콕시 실란; 페닐트리알콜시실란(phenyl trialkoxysilane)을 포함하는 페닐계 알콕시 실란; 헵타데카플루오로데실트리알콕시실란(heptadecafluorododecyltrialkoxysilane)을 포함하는 불소계 알콕시 실란; 헥실트리클로로실란(hexyltrichlorosilane), 헵타트리클로로실란(heptatrichlorosilane), 옥틸트리클로로실란(octyltrichlorosilane), 데실트리클로로실란(decyltrichlorosilane), 운데실트리클로로실란(undecyltrichlorosilane), 도데실트리클로로실란(dodecyltrichlorosilane), 옥타데실트리클로로실란(octadecyltrichlorosilane)을 포함하는 알킬 클로로 실란; 페틸트리클로로실란(phenyl trichlorosilane)을 포함하는 페닐계 클로로실란; 및 헵타데플루오로도데실트리클로로실란(heptadefluorododecyltrichlorosilane)을 포함하는 불소계 클로로 실란으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 나노텍스처화된 초소수성 고분자 필름의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 다공성 양극산화 알루미늄 몰드로부터 상기 나노텍스처화된 고분자 구조물을 포함하는 고분자를 분리하는 단계는,상기 다공성 양극산화 알루미늄 몰드를 화학적으로 식각하여 상기 나노텍스처화된 고분자 구조물을 분리하는 단계; 및40 ℃ 내지 상기 고분자의 유리 전이 온도(Tg) 이하의 온도(T)로 가열된 상기 다공성 양극산화 알루미늄 몰드로부터 상기 나노텍스처화된 고분자 구조물을 분리하는 단계;중 적어도 어느 하나를 포함하는, 나노텍스처화된 초소수성 고분자 필름의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 고분자는, 폴리스티렌(polystyrene; PS), 폴리우레탄(polyurethane; PU); 폴리이미드(polyimide; PI); 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate; PMMA)를 포함하는 폴리아크릴레이트; 폴리부틸렌 테레프탈레이트(polybutylene terephthalate; PBT), 폴리트리메틸렌 테레프탈레이트(PTT), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate; PET)를 포함하는 폴리에스테르; 폴리에틸렌(polyethylene; PE), 폴리프로필렌(polypropylene; PP)을 포함하는 폴리알킬렌; 폴리비닐 클로라이드(polyvinyl chloride; PVC), 폴리비닐리덴 플루오라이드(polyvinylidene fluoride; PVdF)를 포함하는 비닐폴리머; 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane; PDMS); 폴리우레탄; 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 코폴리머(ABS);로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 나노텍스처화된 초소수성 고분자 필름의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 나노텍스처화된 고분자 구조물은, 나노 헤어(nano-hair), 나노 필라(nano-pillar), 나노 스파이크(nano-spike), 나노 섬유(nano-fiber), 나노 로드(nano-rod) 및 나노 와이어(nano-wire)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 나노텍스처화된 초소수성 고분자 필름의 제조방법
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