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단분자 포스파젠(phosphazene) 화합물 또는 폴리포스파젠 화합물인 골격 화합물, 금속염 화합물 및 유기 용매를 포함하는 전구체 용액을 준비하는 단계;상기 전구체 용액을 비진공 조건에서 용액 공정을 이용하여 베이스 기재 상에 전구체막을 형성하는 단계; 및상기 전구체막을 열처리하여 금속-인-산화질화물을 포함하는 코팅막을 형성하는 단계를 갖는,이온전도성 막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 전구체막을 형성하는 단계는상기 베이스 기재의 표면에 상기 전구체 용액을 스프레이 코팅, 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 오프셋 프린팅, 리버스 오프셋 프린팅, 그라비어 프린팅 및 롤 프린팅 중 적어도 어느 하나의 방법으로 코팅하여 형성하는 것을 특징으로 하는,이온전도성 막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 전구체 용액을 준비한 후 상기 전구체막을 형성하기 전에 상기 전구체 용액을 가열하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,이온전도성 막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 코팅막을 형성하는 단계는 150℃ 내지 500℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는,이온전도성 막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 전구체막을 형성하는 단계와 상기 코팅막을 형성하는 단계 각각은건조한 대기 조건이나 불활성 조건에서 수행되는 것을 특징으로 하는,이온전도성 막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 코팅막을 형성하는 단계 전에,상기 전구체막이 형성된 상태에서 상기 코팅막을 형성하는 단계의 온도보다 낮은 온도로 열처리하여 상기 전구체막에 포함된 유기 용매를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,이온전도성 막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 베이스 기재는 입자 형태, 3차원 다공성 구조체 또는 기판 형태인 것을 특징으로 하는,이온전도성 막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 코팅막을 형성하는 단계 이후에 상기 베이스 기재 상에 이미 형성된 코팅막 상에 상기 전구체 용액을 이용하여 전구체막을 형성하는 단계와 열처리하는 단계를 순차적으로 적어도 1회 이상 반복하여 다수의 코팅막으로 이루어진 이온전도성 막을 형성하는 것을 특징으로 하는,이온전도성 막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 코팅막은인-산소-인 결합 및 인-질소-인 결합을 포함하는 비정질 상을 갖는 것을 특징으로 하는,이온전도성 막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 전구체 용액을 준비하는 단계는 상기 골격 화합물, 상기 금속염 화합물 및 상기 유기 용매와 함께 칼코겐 화합물을 더 혼합하고, 상기 코팅막은 상기 금속-인-산화질화물과 함께 금속-인-칼코겐화질화물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는,이온전도성 막의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 코팅막은인-산소-인 결합, 인-질소-인 결합 및 인-칼코겐원소-인 결합을 포함하는 비정질 상을 갖는 것을 특징으로 하는,이온전도성 막의 제조 방법
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