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산포 개선을 위한 프리 센싱을 이용한 상변화 메모리 읽기 방법 및 그 장치

  • 기술번호 : KST2018015787
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산포 개선을 위한 프리 센싱을 이용한 상변화 메모리 읽기 방법 및 그 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리 읽기 방법은 저항성 스위칭 소자의 턴온 여부를 미리 센싱하기 위한 프리 센싱 전압을 인가하는 단계; 상기 프리 센싱 전압의 인가에 의한 상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류를 센싱하는 단계; 및 상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류가 센싱되면 읽기 전압을 인가하여 상변화 메모리의 읽기 동작을 수행하는 단계를 포함한다.
Int. CL G11C 13/00 (2006.01.01)
CPC G11C 13/004(2013.01) G11C 13/004(2013.01)
출원번호/일자 1020170065102 (2017.05.26)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0129297 (2018.12.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.05.26)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 최선준 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0502932-58
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.06.22 수리 (Accepted) 9-1-2018-0029784-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0697156-32
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-1239546-03
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.12.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1239547-48
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0279930-17
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2019.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2019-0513650-15
9 법정기간연장승인서
2019.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0083879-25
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2019-0613856-25
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.06.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0613857-71
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0508715-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
저항성 스위칭 소자의 턴온 여부를 미리 센싱하기 위한 프리 센싱 전압을 인가하는 단계;상기 프리 센싱 전압의 인가에 의한 상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류를 센싱하는 단계; 및상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류가 센싱되면 읽기 전압을 인가하여 상변화 메모리의 읽기 동작을 수행하는 단계를 포함하는 상변화 메모리 읽기 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 턴온 전류를 센싱하는 단계는상기 상변화 메모리의 리드 라인을 통해 출력되는 상기 저항성 스위칭 소자의 출력 전류를 증폭시킨 후 상기 증폭된 출력 전류를 이용하여 상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 여부를 센싱하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 읽기 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 턴온 전류를 센싱하는 단계는상기 저항성 스위칭 소자의 출력 전류가 상기 저항성 스위칭 소자의 임계 전압 산포에 의해 미리 설정된 센싱 전류 범위 내에 존재하는 경우 상기 저항성 스위칭 소자가 턴온된 것으로 센싱하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 읽기 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 프리 센싱 전압을 인가하는 단계는선형적으로 증가하는 상기 프리 센싱 전압을 상기 저항성 스위칭 소자에 인가하고,상기 읽기 동작을 수행하는 단계는상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류가 센싱되는 시점에 상기 읽기 전압을 인가하여 상기 상변화 메모리의 읽기 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 읽기 방법
5 5
저항성 스위칭 소자의 턴온 여부를 미리 센싱하기 위한 프리 센싱 전압을 인가하는 제어부;상기 프리 센싱 전압의 인가에 의한 상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류를 센싱하는 센싱부; 및상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류가 센싱되면 읽기 전압을 인가하여 상변화 메모리의 읽기 동작을 수행하는 읽기부를 포함하는 상변화 메모리 읽기 장치
6 6
제5항에 있어서,상기 센싱부는상기 상변화 메모리의 리드 라인을 통해 출력되는 상기 저항성 스위칭 소자의 출력 전류를 증폭시킨 후 상기 증폭된 출력 전류를 이용하여 상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 여부를 센싱하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 읽기 장치
7 7
제5항에 있어서,상기 센싱부는상기 저항성 스위칭 소자의 출력 전류가 상기 저항성 스위칭 소자의 임계 전압 산포에 의해 미리 설정된 센싱 전류 범위 내에 존재하는 경우 상기 저항성 스위칭 소자가 턴온된 것으로 센싱하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 읽기 장치
8 8
제5항에 있어서,상기 제어부는선형적으로 증가하는 상기 프리 센싱 전압을 상기 저항성 스위칭 소자에 인가하고,상기 읽기부는상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류가 센싱되는 시점에 상기 읽기 전압을 인가하여 상기 상변화 메모리의 읽기 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 읽기 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한양대학교 산학협력단 이공분야 기초연구사업 / 중견연구자지원사업 / 핵심연구 칼코지나이드 물질을 기반으로 한 신경 모방형 3차원 세포체 소자 개발