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자외선 센서로서,기판;상기 기판 상에 적층된 자외선 센싱 층, 여기서 상기 자외선 센싱 층은 자외선 센싱 물질을 포함하고, 상기 자외선 센싱 물질은 AlN을 포함하며; 및상기 자외선 센싱 층 상에 적층된 전극 층을 포함하는, 자외선 센서
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청구항 1에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판 또는 사파이어 기판인, 자외선 센서
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청구항 2에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판이며, 여기서 상기 실리콘 기판 및 자외선 센싱 층 사이에 SiO2 층이 개재되는, 자외선 센서
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청구항 1에 있어서,상기 자외선 센싱 층의 두께는 100 nm 내지 1 ㎛의 범위 내인, 자외선 센서
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청구항 1에 있어서,상기 자외선 센싱 물질은 Sc를 더욱 포함하는, 자외선 센서
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청구항 5에 있어서,상기 자외선 센싱 물질 내 Al:Sc의 몰 비는 1:0 초과 내지 0
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청구항 1에 있어서,상기 전극 층은 인터디지털 변환기(Interdigital transducer)이며, Al, Au, Pd, Ni, Ir, Pt, 또는 이들의 조합을 포함하는, 자외선 센서
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