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2차원 강유전성 TMDC 물질을 가지는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019022129
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예들은 하부전극, 상기 하부전극 상에 형성된 강유전체층 및 상기 강유전체층 상에 형성된 상부전극을 포함하되, 상기 강유전체층은 2차원 TMDC(전이금속 칼코지나이드계 화합물)층으로 구성되고, 상기 TMDC층은 3R 결정구조를 갖는 2차원 TMDC 강유전성 물질을 가지는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법에 관련된다.
Int. CL H01L 27/11507 (2017.01.01) H01L 21/28 (2006.01.01) H01L 29/51 (2006.01.01) H01L 21/285 (2006.01.01)
CPC H01L 27/11507(2013.01) H01L 27/11507(2013.01) H01L 27/11507(2013.01) H01L 27/11507(2013.01)
출원번호/일자 1020180030746 (2018.03.16)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-2028600-0000 (2019.09.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20191004) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.03.16)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최정혜 서울특별시 성북구
2 박재홍 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-0264737-79
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.12.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2019-0006733-01
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0232381-16
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.05.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0457919-98
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2019-0457918-42
7 등록결정서
Decision to grant		 2019.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0682061-98
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번호 청구항
1 1
하부전극; 상기 하부전극 상에 형성된 강유전체층; 및상기 강유전체층 상에 형성된 상부전극을 포함하되,상기 강유전체층은 2차원 TMDC(전이금속 칼코지나이드계 화합물)층으로 구성되고, 상기 2차원 TMDC층의 결정구조는 3R 구조인 것을 특징으로 하는 2차원 TMDC 강유전성 물질을 가지는 비휘발성 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 2차원 TMDC층은 MX2로 표현되고, 여기서, M은 Mo, W, Zr 중 하나 이상을 포함하고, X는 S, Se, Te 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 2차원 TMDC 강유전성 물질을 가지는 비휘발성 메모리 소자
3 3
삭제
4 4
하부 전극 상에 강유전체층을 형성하는 단계; 및상기 강유전체층 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 강유전체층은 2차원 TMDC(전이금속 칼코지나이드계 화합물)층으로 구성되고, 상기 2차원 TMDC층의 결정구조는 3R 구조인 것을 특징으로 하는 2차원 TMDC 강유전성 물질을 가지는 비휘발성 메모리 소자 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 하부 전극 상에 강유전체층을 형성하는 단계는,화학기상증착법, 원자층증착법, 기계적박리법 중 하나 이상으로 수행되는 것을 특징으로 하는 2차원 TMDC 강유전성 물질을 가지는 비휘발성 메모리 소자 제조방법
6 6
제4항에 있어서,상기 2차원 TMDC층은 MX2로 표현되고, 여기서, M은 Mo, W, Zr 중 하나 이상을 포함하고, X는 S, Se, Te 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 2차원 TMDC 강유전성 물질을 가지는 비휘발성 메모리 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술연구원 전자정보디바이스산업원천기술개발 비 실리콘계 차세대 고성능 스위치소자용 재료설계 및 물성예측 기술