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소형 저손실 4 채널 1비트 제어 RF 빔 형성 장치

  • 기술번호 : KST2019023907
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 4 채널 RF 빔 형성 장치로서, 제 1 채널 내지 제 4 채널에 각각 형성된 제 1 위상 천이기 내지 제 4 위상 천이기를 포함하고, 상기 제 1 위상 천이기 내지 제 4 위상 천이기 각각은 입력된 신호에 대하여 2 가지 위상만을 선택적으로 출력하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H03H 11/22 (2006.01.01) H03H 7/21 (2006.01.01) H04B 7/06 (2017.01.01)
CPC H03H 11/22(2013.01) H03H 11/22(2013.01) H03H 11/22(2013.01)
출원번호/일자 1020160004432 (2016.01.13)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1746640-0000 (2017.06.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170614) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.01.13)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박철순 대한민국 대전광역시 유성구
2 김현승 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태평양 대한민국 서울특별시 중구 청계천로 **, *층(다동, 예금보험공사빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2016-0039641-04
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.08.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0035910-41
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0772630-97
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-1262396-11
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.01.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0083704-93
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0083703-47
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0171684-01
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2017.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-0339320-46
10 법정기간연장승인서
 2017.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0051520-98
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-0427658-59
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.05.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0427659-05
13 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2017.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0342365-18
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
4 채널 RF 빔 형성 장치로서,제 1 채널 내지 제 4 채널에 각각 형성된 제 1 위상 천이기 내지 제 4 위상 천이기를 포함하고,상기 제 1 위상 천이기 내지 제 4 위상 천이기 각각은 입력된 신호에 대하여 2 가지 위상만을 선택적으로 출력하고, 상기 제 1 위상 천이기 내지 제 4 위상 천이기는 기준 위상이 90°인 것을 특징으로 하고,제 1 위상 천이기 및 제 3 위상 천이기는 제 1 인덕터와 제 1 스위치가 병렬로 연결되고, 제 1 인덕터의 일단은 입력부와 연결되고, 제 1 인덕터의 타단은 제 2 스위치와 제 1 캐패시터의 일단 및 제 2 인덕터의 일단과 연결되고, 제 2 스위치와 제 1 캐패시터의 타단은 접지되고, 제 2 인덕터의 타단은 출력부와 연결되는 제 1 회로와, 제 3 인덕터와 제 3 스위치가 병렬로 연결되고, 제 3 인덕터의 일단은 입력부와 연결되고, 제 3 인덕터의 타단은 제 4 스위치와 제 2 캐패시터의 일단 및 제 3 캐패시터의 일단과 연결되고, 제 4 스위치와 제 2 캐패시터의 타단은 접지되고, 제 3 캐패시터의 타단은 출력부와 연결되는 제 2 회로를 포함하고, 상기 제 1 회로와 상기 제 2 회로는 병렬인 4 채널 RF 빔 형성 장치
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제 1 위상 천이기 및 제 3 위상 천이기는 선택적으로 +90° 또는 -90°의 위상 천이 동작을 하는 4 채널 RF 빔 형성 장치
3 3
청구항 1에 있어서,상기 제 2 위상 천이기는 선택적으로 0° 또는 +90°의 위상 천이 동작을 하는 4 채널 RF 빔 형성 장치
4 4
청구항 1에 있어서,상기 제 4 위상 천이기는 선택적으로 +90° 또는 +180°의 위상 천이 동작을 하는 4 채널 RF 빔 형성 장치
5 5
청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 채널 내지 제 4 채널의 위상 차이는 -90°, 0°, +90° 또는 +180° 중 적어도 하나로 구현되는 4 채널 RF 빔 형성 장치
6 6
청구항 5에 있어서,상기 제 1 위상 천이기 내지 제 4 위상 천이기가 +90°의 위상 천이 동작을 하여,상기 제 1 채널 내지 제 4 채널의 위상 차이를 0°로 하는 4 채널 RF 빔 형성 장치
7 7
청구항 5에 있어서,상기 제 1 위상 천이기는 -90°의 위상 천이 동작을 하고,상기 제 2 위상 천이기는 0°의 위상 천이 동작을 하고,상기 제 3 위상 천이기는 +90°의 위상 천이 동작을 하고,상기 제 4 위상 천이기는 +180°의 위상 천이 동작을 하여,상기 제 1 채널 내지 제 4 채널의 위상 차이를 +90°로 하는 4 채널 RF 빔 형성 장치
8 8
청구항 5에 있어서,상기 제 1 위상 천이기는 +90°의 위상 천이 동작을 하고,상기 제 2 위상 천이기는 0°의 위상 천이 동작을 하고,상기 제 3 위상 천이기는 -90°의 위상 천이 동작을 하고,상기 제 4 위상 천이기는 +180°의 위상 천이 동작을 하여,상기 제 1 채널 내지 제 4 채널의 위상 차이를 -90°로 하는 4 채널 RF 빔 형성 장치
9 9
청구항 5에 있어서,상기 제 1 위상 천이기는 -90°의 위상 천이 동작을 하고,상기 제 2 위상 천이기는 +90°의 위상 천이 동작을 하고,상기 제 3 위상 천이기는 -90°의 위상 천이 동작을 하고,상기 제 4 위상 천이기는 +90°의 위상 천이 동작을 하여,상기 제 1 채널 내지 제 4 채널의 위상 차이를 +180°로 하는 4 채널 RF 빔 형성 장치
10 10
청구항 5에 있어서,상기 제 1 위상 천이기 및 상기 제 3 위상 천이기는 SPDT(single pole double throw) 회로를 포함하는 4 채널 RF 빔 형성 장치
11 11
청구항 5에 있어서,상기 제 2 위상 천이기는 STL(Switched Transmission Line) 회로를 포함하고,상기 제 4 위상 천이기는 상기 제 2 위상 천이기의 STL 회로에 추가로 TL(Transmission Line) 회로를 더 가지는 구조를 포함하는 4 채널 RF 빔 형성 장치
12 12
청구항 11에 있어서,상기 제 2 위상 천이기의 상기 STL 회로는 0°및 +90°의 위상 천이가 가능한 회로이며,상기 제 4 위상 천이기에 추가로 포함되는 상기 TL 회로는 +90° 위상 천이가 가능한 회로인 4 채널 RF 빔 형성 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 도약연구지원사업 10 Gbps W-HD / WiGig / W-USB / WPAN 무선 핵심 기술 개발