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광원 조사시에 650-1300nm 파장대의 근적외선을 방출하는 고분자로 표면처리된 양자점 및 열가소성 고분자를 압출성형기에 투입하는 단계(단계 1); 및불활성 가스를 주입하면서, 100-400℃를 유지하며, 진공 펌프를 가동하면서 압출성형 하는 단계(단계 2);를 포함하는 광원 조사시에 650-1300nm 파장대의 근적외선을 방출하는 양자점이 분산된 고분자 복합체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 광원 조사시에 650-1300nm 파장대의 근적외선을 방출하는 고분자로 표면처리된 양자점에서, 상기 양자점은,CuInS2, CuInSe2, Ag2S, Ag2Se, CdSe, CdTe, HgSe 및 HgTe으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 코어 양자점;CuInS2, CuInSe2, Ag2S, Ag2Se, CdSe, CdTe, HgSe 및 HgTe으로 이루어진 군으로부터 2종 이상이 합금된 합금 코어 양자점;상기 코어 양자점에 CdS, ZnSe 또는 ZnS 쉘이 형성된 코어-쉘 양자점; 및상기 합금 코어 양자점에 CdS, ZnSe 또는 ZnS 쉘이 형성된 합금 코어-쉘 양자점;으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제2항에 있어서,상기 양자점은 표면에 C1-50의 직쇄 또는 측쇄 알킬 체인이 치환된 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 광원 조사시에 650-1300nm 파장대의 근적외선을 방출하는 고분자로 표면처리된 양자점에서, 상기 고분자는,C-C 결합, C-Si 결합, Si-O-Si 결합 또는 Si-N-Si 결합을 반복단위로 하여 기본 백본(backbone)을 형성하면서,상기 백본 또는 말단(terminal)에 -COOH, -COOR1, -SH, -SR1, -NH2, -NHR1, -NR1R2, -P(OH)O2 및 -P(OH)2O로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 치환기를 갖는 것을 특징으로 하고,여기서 상기 R1 및 R2는 독립적으로 C1-10의 직쇄 또는 측쇄 알킬, 또는 C6-10의 아릴인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제4항에 있어서,상기 고분자는 100-100,000,000 분자량을 갖는 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서,상기 열가소성 고분자는 PMMA (Poly(methyl methacrylate), PC (Polycarbonate), TPU (thermoplastic poly urethane), 나일론, EVA (ethylene vinyl acetate), PE (Polyethylene), PP (Polypropylene), PET (poly ethylene terephthalate), PLA (poly lactic acid), COP (Cyclic olefin polymer), COC (cyclic olefin copolymer), PS (Polystyrene) 및 ABS (acrylonitrile butadiene styrene copolymer)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1에서 압출성형기에 투입되는 모든 원료의 투입속도는 0
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제1항에 있어서,열가소성 고분자 100 중량부 대비 고분자로 표면처리된 양자점 0
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제1항에 있어서,상기 단계 1에는 광안정제, 분산제, 광산란제 및 광산란증폭제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 첨가제를 더 투입하는 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항의 제조방법으로 제조된 광원 조사시에 650-1300nm 파장대의 근적외선을 방출하는 양자점이 분산된 고분자 복합체
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제10항의 고분자 복합체를 사용하여 제조한 광원 조사시에 650-1300nm 파장대의 근적외선을 방출하는 섬유
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제11항의 근적외선을 방출하는 섬유 및 일반 고분자 섬유를 함께 방적(spinning)하여 얻은 복합섬유
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