| 1 |
1
삭제
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
탄탈륨 소재에 포함된 불순물이 제거되는 불순물 제거 단계(S100); 및 상기 불순물이 제거된 탄탈륨 소재(10)가, 도가니(100)의 내부에서 전자빔 생성 유닛(200)에서 생성된 전자빔에 의하여 용해되어 탄탈륨 잉곳이 제조되는 탄탈륨 잉곳 제조 단계(S200); 를 포함하고, 상기 탄탈륨 잉곳 제조 단계(S200)에서,상기 불순물이 제거된 탄탈륨 소재(10)가, 상기 도가니(100)의 내부로 장입되는 제1 소재 장입 단계(S210); 상기 전자빔 생성 유닛(200)이, 기설정된 제1 충격 전류의 인가에 의하여 전자빔을 생성하는 제1 전자빔 생성 단계(S220); 상기 불순물이 제거된 탄탈륨 소재가, 상기 도가니(100)의 내부로 추가 장입되는 제2 소재 장입 단계(S230); 및 상기 전자빔 생성 유닛(200)이, 상기 제1 충격 전류에 비하여 기설정된 전류값만큼 증가된 제2 충격 전류의 인가에 의하여 전자빔을 생성하는 제2 전자빔 생성 단계(S240); 을 포함하고, 상기 제2 소재 장입 단계(S230) 및 제2 전자빔 생성 단계(S240)는, 상기 전자빔 생성 유닛(200)에 인가되는 상기 제2 충격 전류가 증가되어 기설정된 기준 충격 전류에 도달할 때까지 반복 수행되는 탄탈륨 소재를 사용하는 탄탈륨 잉곳 제조 방법
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제 6 항에 있어서, 상기 탄탈륨 잉곳 제조 단계(S200)는,상기 전자빔 생성 유닛(200)에 인가되는 인가 전류가 상기 기준 충격 전류에 도달하면, 상기 기준 충격 전류에 비하여 높은 전류값으로 기설정된 제3 충격 전류가 인가되어 전자빔이 생성되는 제3 전자빔 생성 단계(S250)를 더 포함하는 탄탈륨 소재를 사용하는 탄탈륨 잉곳 제조 방법
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서, 상기 탄탈륨 잉곳 제조 단계(S200)에서,상기 제1 충격 전류는, 30mA이고,상기 제2 충격 전류는, 상기 제1 충격 전류에 비하여 10mA씩 증가되고,상기 기준 충격 전류는, 80mA이고,상기 제3 충격 전류는, 120mA인 탄탈륨 소재를 사용하는 탄탈륨 잉곳 제조 방법
|
| 10 |
10
제 9 항에 있어서,상기 탄탈륨 잉곳 제조 단계(S200)에서,상기 탄탈륨 소재는, 856mA 내지 896mA 세기의 집중 전류를 갖는 전자빔으로 용해되는 탄탈륨 소재를 사용하는 탄탈륨 잉곳 제조 방법
|
| 11 |
11
제 10 항에 있어서,상기 탄탈륨 잉곳 제조 단계(S200)에서,상기 탄탈륨 소재는, 10mm/s 속도로 도가니(100)를 스캔하는 전자빔에 의하여 용해되는 탄탈륨 소재를 사용하는 탄탈륨 잉곳 제조 방법
|
| 12 |
12
탄탈륨 소재에 포함된 불순물이 제거되는 불순물 제거 단계(S100); 및 상기 불순물이 제거된 탄탈륨 소재(10)가, 도가니(100)의 내부에서 전자빔 생성 유닛(200)에서 생성된 전자빔에 의하여 용해되어 탄탈륨 잉곳이 제조되는 제 6 항 및 제 8 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항의 탄탈륨 잉곳 제조 단계(S200); 및 상기 제조된 탄탈륨 잉곳이, 인발 다이스(300)를 통과하여 인발 가공되어 탄탈륨 와이어가 제조되는 인발 단계(S300); 를 포함하는 탄탈륨 와이어 제조 방법
|
| 13 |
13
불순물이 제거된 탄탈륨 소재를 사용하여 탄탈륨 와이어를 제조하는 방법에 있어서:상기 불순물이 제거된 탄탈륨 소재는, 도가니(100)의 내부에 다수회로 나뉘어서 장입되고, 상기 불순물이 제거된 탄탈륨 소재는, 전자빔 생성 유닛(200)에 최초 30mA의 충격 전류가 인가되어 생성된 전자빔에 의하여 탄탈륨 잉곳의 제조를 위하여 용해되며, 상기 전자빔 생성 유닛(200)에는, 불순물이 제거된 탄탈륨 소재가 상기 도가니(100)에 장입되는 횟수에 비례하여 10mA씩 증가되는 충격 전류가 인가되는 탄탈륨 와이어 제조 방법
|
| 14 |
14
제 13 항에 있어서,상기 전자빔 생성 유닛(200)에는, 80mA에 도달할 때까지 상기 불순물이 제거된 탄탈륨 소재가 상기 도가니(100)에 장입되는 횟수에 비례하여 10mA씩 증가되는 충격 전류가 인가되고, 상기 전자빔 생성 유닛(200)에 인가되는 충격 전류가 80mA에 도달하면, 상기 전자빔 생성 유닛(200)에 120mA의 충격 전류가 인가되는 탄탈륨 와이어 제조 방법
|
