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코어-쉘 구조의 금속 나노입자를 포함하고,상기 금속 나노입자의 코어는 금(Au)을 포함하고, 상기 쉘은 은(Ag)을 포함하며,상기 금속 나노입자는 포피린계 화합물로 개질된 것을 특징으로 하는, Cd2+ 이온 또는 Mg2+ 이온 검출 센서
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제1항에 있어서,상기 금속 나노입자의 크기는 10 내지 50nm 인 것을 특징으로 하는, Cd2+ 이온 또는 Mg2+ 이온 검출 센서
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제1항에 있어서,상기 포피린계 화합물은 5,10,15,20-테트라키스 (1-메틸-4-피리디니오) 포피린테트라(파라톨루엔설포네이트), 5,10,15,20-(테트라-4-카복시페닐)포피린, 및 5,10,15,20-(테트라-N-메틸-4-피리딜)포피린 테트라클로라이드로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는, Cd2+ 이온 또는 Mg2+ 이온 검출 센서
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제1항에 있어서,상기 검출 센서는 Cd2+ 이온과 반응하여, 색상이 변화되고, Mg2+ 이온과 반응하여, 형광이 발현되는 것을 특징으로 하는, Cd2+ 이온 또는 Mg2+ 이온 검출 센서
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제1항에 있어서,상기 검출 센서의 pH는 7 내지 12인 것을 특징으로 하는, Cd2+ 이온 또는 Mg2+ 이온 검출 센서
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제1항에 있어서,상기 검출 센서가 Cd2+ 이온과 반응하는 경우의 흡광비(A447/A421)는 4 이상인 것을 특징으로 하는, Cd2+ 이온 또는 Mg2+ 이온 검출 센서
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7
제1항에 있어서,상기 검출 센서는 20 내지 37℃에서, Cd2+ 이온 또는 Mg2+ 이온을 검출하는 것을 특징으로 하는, Cd2+ 이온 또는 Mg2+ 이온 검출 센서
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제1항에 있어서,상기 검출 센서의 색 방출 파장은 400 내지 450nm이고, 상기 검출센서가 Cd2+ 이온과 반응하는 경우의 색 방출 파장은 420 내지 470nm인 것을 특징으로 하는, Cd2+ 이온 또는 Mg2+ 이온 검출 센서
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9
제1항에 있어서,상기 검출 센서의 형광 세기는 Mg2+와 반응하는 경우, 40배 이상 증가하는 것을 특징으로 하는, Cd2+ 이온 또는 Mg2+ 이온 검출 센서
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10
제1항에 있어서,상기 검출 센서는 가리움제(masking agent)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, Cd2+ 이온 또는 Mg2+ 이온 검출 센서
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제1항에 있어서,상기 검출 센서가 Cd2+ 이온과 반응하는 경우, 반응 시간은 15분 이내인 것을 특징으로 하는, Cd2+ 이온 또는 Mg2+ 이온 검출 센서
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제1항에 있어서,상기 검출 센서가 Mg2+ 이온과 반응하는 경우, 반응 시간은 2시간 이내인 것을 특징으로 하는, Cd2+ 이온 또는 Mg2+ 이온 검출 센서
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제1항에 있어서,상기 검출 센서의 검출 한계는 0
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제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 Cd2+ 이온 또는 Mg2+ 이온 검출 센서를 준비하는 단계;상기 Cd2+ 이온 또는 Mg2+ 이온 검출 센서와 분석 시료를 반응시키는 단계; 및상기 Cd2+ 이온 또는 Mg2+ 이온 검출 센서와 분석 시료를 반응 이후, 상기 Cd2+ 이온 또는 Mg2+ 이온 검출 센서의 형광 변화를 측정하여 Cd2+ 이온 또는 Mg2+ 이온을 검출하는 단계;를 포함하는, Cd2+ 이온 또는 Mg2+ 이온의 검출 방법
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제14항에 있어서,상기 검출 센서와 분석시료를 반응 시키는 단계는,상기 검출 센서의 pH를 조절하는 단계; 를 포함하는, Cd2+ 이온 또는 Mg2+ 이온의 검출 방법
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코어-쉘 구조의 금속 나노입자를 형성하는 단계; 및 상기 금속 나노입자를 포피린계 화합물로 개질하는 단계;를 포함하고, 상기 금속 나노입자의 코어는 금(Au)을 포함하고, 상기 쉘은 은(Ag)을 포함하며,상기 금속 나노입자는 수용액 상에서 형성되는 것을 특징으로 하는, Cd2+ 이온 또는 Mg2+ 이온 검출 센서 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 포피린계 화합물의 농도는, 상기 금속 나노입자를 포함하는 수용액의 전체 부피를 기준으로 5 내지 20 μM인 것을 특징으로 하는, Cd2+ 이온 또는 Mg2+ 이온 검출 센서 제조 방법
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