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저온 플라즈마 및 광원 기반의 식품의 살균 방법에 있어서,(a) 식품을 살균 챔버 내부에 도입하는 단계;(b) 베리어 유전체 방전(Dielectric Barrier Discharge, DBD)을 통해 식품이 도입된 살균 챔버 내부로 저온 플라즈마(cold plasma)를 발생시켜 살균하는 단계; 및(c) 식품이 도입된 살균 챔버 내부로 자외선(UV) 및 광펄스(IPL) 중 선택된 하나 이상의 광원을 발생시켜 살균하는 단계;를 포함하며,상기 살균 챔버 내부는 플라즈마 형성 가스인 헬륨(He)이 10 L/min 내지 40 L/min 으로 유입되며,상기 (b) 단계의 저온 플라즈마는 13 kHz 내지 17 kHz의 주파수 조건 및 9
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제 1항에 있어서,상기 (b) 및 (c) 단계는 4분 내지 25분의 시간 범위 내에서 동시에 식품에 처리되는 것인, 저온 플라즈마 및 광원 기반의 식품의 살균 방법
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제 1항에 있어서,상기 (c) 단계의 광원은 자외선(UV)이며,상기 살균 챔버 내부는 플라즈마 형성 가스인 헬륨(He)이 10 L/min 내지 20 L/min 으로 유입되며,상기 (b) 단계의 저온 플라즈마는 10
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제 1항에 있어서,상기 (c) 단계의 광원은 자외선(UV)이며,상기 살균 챔버 내부는 플라즈마 형성 가스인 헬륨(He)이 10 L/min 내지 40 L/min 으로 유입되며,상기 (b) 단계의 저온 플라즈마는 9
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제 1항에 있어서,상기 (c) 단계의 광원은 자외선(UV)이며,상기 살균 방법은 1차 살균 공정 및 2차 살균 공정을 포함하고,상기 1차 살균 공정은 식품의 토착 세균을 살균하며, 상기 2차 살균 공정은 식품에 정착한 토착 세균 이외의 세균을 살균하고,상기 1차 살균 공정 및 2차 살균 공정은 각각 독립적으로 상기 (b)의 살균하는 단계 및 상기 (c)의 살균하는 단계를 포함하며,상기 1차 살균 공정의 상기 (b) 단계의 저온 플라즈마는 10
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제 1항에 있어서,상기 (c) 단계의 광원은 광펄스(IPL)이며,상기 살균 챔버 내부는 플라즈마 형성 가스인 헬륨(He)이 20 L/min 내지 40 L/min 으로 유입되며,상기 (b) 단계의 저온 플라즈마는 9
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제 1항에 있어서,상기 식품은 분체 식품인, 저온 플라즈마 및 광원 기반의 식품의 살균 방법
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제 7항에 있어서,상기 식품은 살균 챔버의 상단으로 도입되며, 상기 플라즈마 형성 가스는 살균 챔버의 하단에서 주입되어, 살균 챔버 내부로 도입된 식품은 상기 (b) 및 (c)의 살균 단계 동안에 부유하는 것을 특징으로 하는, 저온 플라즈마 및 광원 기반의 식품의 살균 방법
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제 1항에 있어서,상기 방법은 살균이 완료된 식품을 살균 챔버 외부로 배출하는 단계를 더 포함하는, 저온 플라즈마 및 광원 기반의 식품의 살균 방법
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