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하기 일반식 1로 표시되는 압전 세라믹스 제조를 위한 화학양론비에 맞는 함량으로 Bi2O3, Sc2O3, PbO, TiO2 각 시료를 준비하는 1 단계;상기 1 단계에서 준비된 시료에 0
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제 1 항에 있어서,상기 일반식 1에서 x는 0
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제 1 항에 있어서, 상기 2 단계는 상기 1 단계에서 준비된 각 시료에 0
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제 1 항에 있어서, 상기 2 단계의 Bi를 포함하는 화합물은 Bi1O1
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제 1 항에 있어서, 상기 3 단계의 하소는 750 내지 820℃에서 수행하는 것을 포함하는,압전 세라믹스 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 4 단계의 소결은 1150 내지 1225℃에서 수행하는 것을 포함하는,압전 세라믹스 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 4 단계의 소결은 상기 3 단계에서 하소된 시료를 지르코니아 옥사이드에 잠식시켜 수행하는 것을 포함하는,압전 세라믹스 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 2 단계 이후 3 단계 이전에, 상기 2 단계에서 혼합된 시료를 건조시키는 단계를 더 포함하는,압전 세라믹스 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 3 단계 이후 4 단계 이전에, 상기 3 단계에서 하소된 시료를 원판 모양으로 성형하는 단계를 더 포함하는,압전 세라믹스 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 4 단계 이후에, 상기 4 단계에서 소결된 시료 양단에 은 전극을 도포하는 5 단계를 더 포함하는,압전 세라믹스 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 5 단계 이후에, 실리콘 오일에서 상기 5 단계에서 도포된 은 전극 양단에 전계를 가하여 폴링(polling)하는 6 단계를 더 포함하는,압전 세라믹스 제조방법
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제 1 항의 제조방법에 의해 제조된 압전 세라믹스에 있어서,상기 압전 세라믹스는 페로브스카이트(perovskite) 구조를 포함하는,압전 세라믹스
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제 12 항에 있어서,상기 압전 세라믹스는 단상 페로브스카이트(single perovskite) 구조로 이루어진,압전 세라믹스
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제 12 항에 있어서,상기 압전 세라믹스는 정방정계(tetragonal) 및 단사정계(monoclinic) 결정상을 포함하는,압전 세라믹스
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제 12 항에 있어서,엑스레이 회절 분석법(X-ray Diffraction, XRD)에 의한 측정 결과, (00l), (100), (102) 및 (210)에서의 피크를 포함하는,압전 세라믹스
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제 12 항에 있어서, 상기 압전 세라믹스는 엑스레이 회절 분석법(X-ray Diffraction, XRD)에 의한 측정 결과, 하기 방정식에 의해 정의되는 피크비(peak ratio)가 20 내지 25% 인, 압전 세라믹스:[방정식]
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제 12 항에 있어서,상기 압전 세라믹스의 입자 크기(grain size)는 0
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