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나노스탬프 제조방법

  • 기술번호 : KST2014000600
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노스탬프 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따른 나노스탬프 제조방법은 (a) 나노스탬프 모재의 표면에 레지스트층 형성단계; (b) 상기 (a)단계의 레지스트층 위에 복수의 요철부를 갖는 임프린트 스탬프로 임프린트 공정을 수행하여 1차 레지스트층 패턴을 형성하는 단계; (c) 상기 1차 레지스트층 패턴을 마스크로 사용해 상기 나노스탬프 모재를 패터닝하는 단계; (d) 상기 레지스트층을 제거하여 복수의 1차 요철부를 갖는 나노스탬프를 완성하는 단계; (e) 상기 복수의 1차 요철부를 갖는 나노스탬프의 표면에 레지스트층 형성단계; (f) 상기 레지스트층 위에 상기 복수의 요철부를 갖는 임프린트 스탬프를 이동하여 상기 임프린트 스탬프의 철부가 상기 복수의 1차 요철부를 갖는 나노스탬프의 1차 요부 사이에 오도록 한 후, 임프린트 공정을 수행하여 2차 레지스트층 패턴을 형성하는 단계; (g) 상기 2차 레지스트층 패턴을 마스크로 사용해 상기 나노스탬프 모재를 패터닝하는 단계; (h) 상기 레지스트층을 제거하여 복수의 2차 요철부를 갖는 나노스탬프를 완성하는 단계; 및 (i) 상기 (e)단계 내지 (h)단계를 N+1차 요철부가 1차 요철부와 겹치기 전까지 N-2회 반복하여 복수의 N차 요철부를 갖는 나노스탬프를 완성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 조밀하게 패턴된 나노스탬프를 복잡한 장비를 사용하지 않고 제조할 수 있다는 장점이 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020060139195 (2006.12.30)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0897931-0000 (2009.05.08)
공개번호/일자 10-2008-0062972 (2008.07.03) 문서열기
공고번호/일자 (20090518) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.27)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이헌 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 현종철 대한민국 서울특별시 중구 다산로 **, *층 특허법인충현 (신당동, 두지빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0986248-74
2 보정요구서
Request for Amendment		 2007.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0005532-77
3 서지사항보정서(납부자번호)
Amendment to Bibliographic items(Payer Number)		 2007.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0035400-14
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2007.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0939811-13
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.03.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0022048-63
9 등록결정서
Decision to grant		 2009.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0184906-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 나노스탬프 모재의 표면에 레지스트층 형성단계; (b) 상기 (a)단계의 레지스트층 위에 복수의 요철(凹凸)부를 갖는 임프린트 스탬프로 임프린트 공정을 수행하여 1차 레지스트층 패턴을 형성하는 단계; (c) 상기 1차 레지스트층 패턴을 마스크로 사용해 상기 나노스탬프 모재를 패터닝하는 단계; (d) 상기 레지스트층을 제거하여 복수의 1차 요철부를 갖는 나노스탬프를 완성하는 단계; (e) 상기 복수의 1차 요철부를 갖는 나노스탬프의 표면에 레지스트층 형성단계; (f) 상기 레지스트층 위에 상기 복수의 요철부를 갖는 임프린트 스탬프를 이동하여 상기 임프린트 스탬프의 철부가 상기 복수의 1차 요철부를 갖는 나노스탬프의 1차 요부 사이에 오도록 한 후, 임프린트 공정을 수행하여 2차 레지스트층 패턴을 형성하는 단계; (g) 상기 2차 레지스트층 패턴을 마스크로 사용해 상기 나노스탬프 모재를 패터닝하는 단계; (h) 상기 레지스트층을 제거하여 복수의 2차 요철부를 갖는 나노스탬프를 완성하는 단계; 및 (i) 상기 (e)단계 내지 (h)단계를 N+1차 요철부가 1차 요철부와 겹치기 전까지 N-2회 반복하여 복수의 N차 요철부를 갖는 나노스탬프를 완성하는 단계를 포함하는 나노스탬프 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 임프린트 스탬프는 반도체 재료, 금속재료, 광투과성 물질 또는 고분자물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노스탬프 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 나노스탬프 모재를 건식식각하여 패터닝하는 것을 특징으로 하는 나노스탬프 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 나노스탬프 모재를 습식식각하여 패터닝하는 것을 특징으로 하는 나노스탬프 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 임프린트 공정은 열경화방식인 것을 특징으로 하는 나노스탬프 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 임프린트 공정은 자외선경화방식인 것을 특징으로 하는 나노스탬프 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 임프린트 스탬프는 리쏘그라피 방법으로 제작되는 것을 특징으로 하는 나노스탬프 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 나노스탬프의 N차 요철부 형성 후 형성된 각 요부의 폭이 동일하고, 각 철부의 폭이 동일한 것을 특징으로 하는 나노스탬프 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.