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ＢａＴｉ４Ｏ９를 이용한 ＭＩＭ 캐패시터 및 그의제조방법

기술번호 : KST2014000629
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	2010년 ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductor)의 요구조건인 4.0 fF/㎛2 이상의 정전 용량 밀도, 7 fA/pFV 이하의 낮은 누설전류, 100 ppm/V2 이하의 정전용량 전압계수(VCC), 50 이상의 품질계수를 모두 만족시킬 수 있는 MIM 캐패시터가 제공된다. 본 발명에 따른 MIM 캐패시터는 상부전극과 하부전극; 및 상부전극과 하부전극 사이에 50~70 nm의 두께를 가지고 형성되는 BaTi4O9 박막을 포함한다. 또한, MIM 캐패시터의 제조방법도 제공된다.MIM, 캐패시터, ITRS, 정전용량, 누설전류, VCC, TCC
Int. CL	H01L 27/108 (2006.01)
CPC	H01L 28/55(2013.01) H01L 28/55(2013.01) H01L 28/55(2013.01) H01L 28/55(2013.01)
출원번호/일자	1020070010745 (2007.02.01)
출원인	고려대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-0850642-0000 (2008.07.31)
공개번호/일자	10-2008-0072249 (2008.08.06) 문서열기
공고번호/일자	(20080807) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2007.02.01)
심사청구항수	11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	고려대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 성북구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	남산	대한민국	서울 강남구
2	정영훈	대한민국	서울 성북구
3	임종봉	대한민국	서울 동대문구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인아주	대한민국	서울특별시 강남구 강남대로 *, ,**층(역삼동, 동희빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	고려대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 성북구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2007.02.01	수리 (Accepted)	1-1-2007-0100289-34
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2007.03.22	수리 (Accepted)	4-1-2007-5043540-16
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2007.09.04	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2007.10.12	수리 (Accepted)	9-1-2007-0057833-27
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2008.01.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0021523-29
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.03.05	수리 (Accepted)	4-1-2008-5034712-96
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2008.03.14	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0188160-28
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2008.03.14	수리 (Accepted)	1-1-2008-0188161-74
9	등록결정서 Decision to grant	2008.07.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0378953-10
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.06.09	수리 (Accepted)	4-1-2009-5111177-32
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.08.12	수리 (Accepted)	4-1-2010-5149278-93
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.02.11	수리 (Accepted)	4-1-2014-5018243-16
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.04.22	수리 (Accepted)	4-1-2014-5049934-62
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.10.10	수리 (Accepted)	4-1-2019-5210941-09

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 금속으로 된 상부전극과 하부전극; 및상기 상부전극과 하부전극 사이에 50~70 nm의 두께를 가지고 형성되는 BaTi4O9 박막을 포함하는 MIM 캐패시터
2	2 제 1 항에 있어서,상기 BaTi4O9은 비정질인 것을 특징으로 하는 MIM 캐패시터
3	3 제 1 항에 있어서,상기 박막은 결정질 BaTi5O11을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MIM 캐패시터
4	4 제 1 항에 있어서,상기 상부전극과 하부전극을 구성하는 금속은 백금(Pt)인 것을 특징으로 하는 MIM 캐패시터
5	5 제 1 항에 있어서,상기 상부전극과 하부전극은 Al, Ag, Au, Cu, W, Ti 중 선택되는 하나 또는 이들의 조합으로 이루어지는 것 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 MIM 캐패시터
6	6 (a) Pt/Ti/SiO2/Si 기판 상에 RF-마그네트론 스퍼터링을 이용하여 BaTi4O9 박막을 증착하는 단계;(b) 상기 BaTi4O9 박막 상에 상부 전극을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 상부전극을 패터닝하는 단계를 포함하는 MIM 캐패시터의 제조방법
7	7 제 6 항에 있어서, 상기 (a) 단계의 스퍼터링 공정에서 사용되는 타겟은 고상반응을 이용하여 제작된 BaTi4O9 타겟인 것을 특징으로 하는 MIM 캐패시터의 제조방법
8	8 제 6 항에 있어서,상기 (a) 단계에서 사용되는 상기 RF-마그네트론 스퍼터링 챔버의 내부조건은 350℃의 온도, O2와 Ar이 2:8로 혼합된 분위기, 전체적으로 8mTorr의 내부 압력을 가지며, 100 W의 파워를 가지는 것을 특징으로 하는 MIM 캐패시터의 제조방법
9	9 제 6 항에 있어서,증착되는 상기 BaTi4O9 박막의 두께는 50~70 nm인 것을 특징으로 하는 MIM 캐패시터의 제조방법
10	10 제 6 항에 있어서,상기 (a) 단계의 상기 BaTi4O9 박막의 증착 시간은 20~40분인 것을 특징으로 하는 MIM 캐패시터의 제조방법
11	11 제 6 항에 있어서,상기 상부전극은 Pt 또는 Al 인 것을 특징으로 하는 MIM 캐패시터의 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0850642-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20070201 출원 번호 : 1020070010745 공고 연월일 : 20080807 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080718 청구범위의 항수 : 11 유별 : H01L 27/108 발명의 명칭 : ＢａＴｉ４Ｏ９를 이용한 ＭＩＭ 캐패시터 및 그의제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20150801

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	280,500 원	2008년 08월 01일	납입
제 4 년분	금 액	282,000 원	2011년 06월 15일	납입
제 5 년분	금 액	282,000 원	2012년 06월 15일	납입
제 6 년분	금 액	282,000 원	2013년 06월 21일	납입
제 7 년분	금 액	518,000 원	2014년 06월 30일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2007.02.01	수리 (Accepted)	1-1-2007-0100289-34
2	출원인정보변경(경정)신고서	2007.03.22	수리 (Accepted)	4-1-2007-5043540-16
3	선행기술조사의뢰서	2007.09.04	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2007.10.12	수리 (Accepted)	9-1-2007-0057833-27
5	의견제출통지서	2008.01.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0021523-29
6	출원인정보변경(경정)신고서	2008.03.05	수리 (Accepted)	4-1-2008-5034712-96
7	[명세서등 보정]보정서	2008.03.14	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0188160-28
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2008.03.14	수리 (Accepted)	1-1-2008-0188161-74
9	등록결정서	2008.07.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0378953-10
10	출원인정보변경(경정)신고서	2009.06.09	수리 (Accepted)	4-1-2009-5111177-32
11	출원인정보변경(경정)신고서	2010.08.12	수리 (Accepted)	4-1-2010-5149278-93
12	출원인정보변경(경정)신고서	2014.02.11	수리 (Accepted)	4-1-2014-5018243-16
13	출원인정보변경(경정)신고서	2014.04.22	수리 (Accepted)	4-1-2014-5049934-62
14	출원인정보변경(경정)신고서	2019.10.10	수리 (Accepted)	4-1-2019-5210941-09


기술번호	KST2014000629
자료제공기관	NTB
기술공급기관	고려대학교
기술명	ＢａＴｉ４Ｏ９를 이용한 ＭＩＭ 캐패시터 및 그의제조방법
기술개요	2010년 ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductor)의 요구조건인 4.0 fF/㎛2 이상의 정전 용량 밀도, 7 fA/pFV 이하의 낮은 누설전류, 100 ppm/V2 이하의 정전용량 전압계수(VCC), 50 이상의 품질계수를 모두 만족시킬 수 있는 MIM 캐패시터가 제공된다. 본 발명에 따른 MIM 캐패시터는 상부전극과 하부전극; 및 상부전극과 하부전극 사이에 50~70 nm의 두께를 가지고 형성되는 BaTi4O9 박막을 포함한다. 또한, MIM 캐패시터의 제조방법도 제공된다.MIM, 캐패시터, ITRS, 정전용량, 누설전류, VCC, TCC
개발상태	기술개발완료
기술의 우수성
응용분야	MIM 캐패시터/ＢａＴｉ４Ｏ９
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1350010656
세부과제번호	2005-02371
연구과제명	유비쿼터스적용을위한RF-IC캐패시터용고주파유전체나노박막연구
성과구분	등록
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국과학재단
연구주관기관명	고려대학교
성과제출연도	2006
연구기간	200507~200705
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	NT(나노기술)


과제고유번호	1350010656
세부과제번호	2005-02371
연구과제명	유비쿼터스적용을위한RF-IC캐패시터용고주파유전체나노박막연구
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국과학재단
연구주관기관명	고려대학교
성과제출연도	2006
연구기간	200507~200705
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

[1020070010745]	ＢａＴｉ４Ｏ９를 이용한 ＭＩＭ 캐패시터 및 그의제조방법	새창보기

중요키워드

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