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멀티 레벨 ReRAM 메모리 장치 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015132095
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ReRAM 메모리 장치 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명의 ReRAM 메모리 장치는 인가되는 전계에 따라서 저항 상태가 변화되는 저항 변화층에 전기적인 두께가 서로 다른 복수의 영역을 형성함으로써, 각 영역의 저항 상태를 선택적으로 변화시킴으로써, 멀티 레벨을 프로그램할 수 있다. 따라서, 본 발명은 저항 변화층의 각 영역을 구성하는 저항 변화성 물질 종류 및 해당 물질의 물리적 두께를 조절함으로써 간편하게 멀티 레벨 프로그램이 가능한 ReRAM 메모리 장치를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 27/108 (2006.01) H01L 21/8242 (2006.01)
CPC H01L 45/1233(2013.01) H01L 45/1233(2013.01)
출원번호/일자 1020100033448 (2010.04.12)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1123736-0000 (2012.02.28)
공개번호/일자 10-2011-0114038 (2011.10.19) 문서열기
공고번호/일자 (20120316) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.12)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김희동 대한민국 서울특별시 성북구
3 안호명 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0232254-47
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.05.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0052641-24
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0355526-48
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0666085-74
7 등록결정서
Decision to grant
2012.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0113322-67
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판;상기 반도체 기판위에 형성된 하부 전극층;전기적 두께가 서로 다른 복수의 영역이 병렬로 상기 하부 전극층 위에 형성되고, 인가되는 전계의 세기에 따라서 저항이 변화되어, 흐르는 전류의 양을 제어하는 저항 변화층; 및상기 저항 변화층 위에 형성된 상부 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 ReRAM 메모리 장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 저항 변화층은 제 1 저항 변화 물질이 형성된 제 1 영역;상기 제 1 저항 변화 물질과 제 2 저항 변화 물질이 순차적으로 적층되도록 형성된 제 2 영역; 및상기 제 2 저항 변화 물질이 형성된 제 3 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 ReRAM 메모리 장치
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 제 2 저항 변화 물질의 유전상수는 상기 제 1 저항 변화 물질의 유전상수보다 작은 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 ReRAM 메모리 장치
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 제 1 영역의 물리적 두께는 상기 제 2 영역에 형성된 제 1 저항 변화 물질의 물리적 두께와 동일한 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 ReRAM 메모리 장치
5 5
제 3 항에 있어서,상기 제 3 영역의 물리적 두께는 상기 제 2 영역의 물리적 두께와 동일한 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 ReRAM 메모리 장치
6 6
제 3 항에 있어서,상기 제 3 영역의 전기적 두께가 가장 두껍고, 상기 제 1 영역의 전기적 두께가 가장 얇은 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 ReRAM 메모리 장치
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 저항 변화층은복수의 영역이 서로 다른 유전 상수를 갖는, 저항 변화 물질들로 형성된 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 ReRAM 메모리 장치
8 8
(a) 반도체 기판위에 하부 전극층을 형성하는 단계;(b) 전기적 두께가 서로 다른 복수의 영역이 병렬로 상기 하부 전극층 위에 형성되도록, 인가되는 전계에 따라서 흐르는 전류의 양을 제어하는 저항 변화층을 상기 하부 전극층 위에 형성하는 단계; 및(c) 상기 저항 변화층 위에 상부 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 ReRAM 메모리 장치 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 (b) 단계는제 1 저항 변화 물질로 제 1 영역을 형성하고, 상기 제 1 저항 변화 물질과 제 2 저항 변화 물질이 순차적으로 적층되도록 제 2 영역을 형성하며, 상기 제 2 저항 변화 물질로 제 3 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 ReRAM 메모리 장치 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 제 2 저항 변화 물질의 유전상수는 상기 제 1 저항 변화 물질의 유전상수보다 작은 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 ReRAM 메모리 장치 제조 방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 제 1 영역의 물리적 두께가 상기 제 2 영역에 형성된 제 1 저항 변화 물질의 물리적 두께와 동일하도록 상기 저항 변화층을 형성하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 ReRAM 메모리 장치 제조 방법
12 12
제 10 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 제 3 영역의 물리적 두께가 상기 제 2 영역의 물리적 두께와 동일하도록 상기 저항 변화층을 형성하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 ReRAM 메모리 장치 제조 방법
13 13
제 10 항에 있어서, 상기 (b) 단계는상기 제 3 영역의 전기적 두께가 가장 두껍고, 상기 제 1 영역의 전기적 두께가 가장 얇도록 상기 저항 변화층을 형성하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 ReRAM 메모리 장치 제조 방법
14 14
제 10 항에 있어서, 상기 (b) 단계는(b1) 상기 하부 전극층 위의 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역에 제 1 저항 변화 물질층을 형성하는 단계;(b2) 상기 제 1 영역에 대응되는 상기 제 1 저항 변화 물질층의 상부에 포토 레지스트를 형성하고 제 2 저항 변화 물질을 상기 제 1 저항 변화 물질층보다 두껍게 증착하여, 상기 제 2 영역의 상기 제 1 저항 변화 물질층 및 상기 제 3 영역의 상기 하부 전극층 위에 제 2 저항 변화 물질층을 형성하는 단계; 및(b3) 상기 포토 레지스트가 드러나도록 상기 제 2 저항 변화 물질층의 상부를 제거하여 평탄화하고, 상기 포토 레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 ReRAM 메모리 장치 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.