맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

저항 변화층을 포함하는 단일 트랜지스터 플로팅 바디 디램 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015134278
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저항 변화층을 포함하는 단일 트랜지스터 플로팅 바디 디램 소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명의 단일 트랜지스터 플로팅 바디 디램 소자는 저항 변화층의 저항 상태를 변경하여 게이트 전극층으로부터 플로팅 바디로 전하를 유입시켜 전하를 축적하므로, Impact ionization(II)과 GIDL(Gate Induced Drain Leakage)를 이용하여 프로그램을 수행하는 종래의 1T-DRAM 소자에 비하여, 절연막의 손상없이, 고신뢰성을 갖으며 고속으로 프로그램 및 프로그램 소거가 가능한 효과가 있다.
Int. CL H01L 27/108 (2006.01) H01L 21/8242 (2006.01)
CPC H01L 29/7841(2013.01) H01L 29/7841(2013.01) H01L 29/7841(2013.01)
출원번호/일자 1020100075956 (2010.08.06)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1125475-0000 (2012.02.20)
공개번호/일자 10-2012-0013757 (2012.02.15) 문서열기
공고번호/일자 (20120309) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.08.06)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 안호명 대한민국 서울특별시 강동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0508365-57
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.05.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.26 수리 (Accepted) 9-1-2011-0046462-62
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0481920-02
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0822104-70
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0822124-83
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0094815-73
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상부에 매립 절연막 및 전하를 축적하는 플로팅 바디가 순차적으로 형성된 반도체 기판;상기 매립 절연막 위에 형성되고, 상기 플로팅 바디의 양측에 각각 형성되는 소오스 영역 및 드레인 영역;상기 플로팅 바디 위에 형성된 터널 절연막;상기 터널 절연막 위에 형성되고, 인가되는 전압에 따라서 저항이 변화되어 전하의 흐름을 제어하는 저항 변화층; 및상기 저항 변화층 위에 형성된 게이트 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화층을 포함하고,상기 저항 변화층은 셋 펄스가 인가되면 저저항 상태로 변화되어 전하를 상기 게이트 전극층으로부터 상기 플로팅 바디로 유입시키고, 리셋 펄스가 인가되면 고저항 상태로 변화되어 전하의 흐름을 차단하는 것을 특징으로 하는 저항 변화층을 포함하는 단일 트랜지스터 플로팅 바디 디램 소자
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 저항 변화층은 Si3N4, AlN, ZrN, PbZrTiO3, PrCaMnO3, BaTiO3, SrTiO3, SrZrO3, NiO, MgO, TiO2, ZrO2, HfO2, CeO2 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 저항 변화층을 포함하는 단일 트랜지스터 플로팅 바디 디램 소자
4 4
삭제
5 5
제 1 항 또는 제 3 항의 단일 트랜지스터 플로팅 바디 디램 소자의 동작 방법으로서, 상기 게이트 전극층에 상기 저항 변화층의 저항 상태를 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화시키는 셋 펄스를 인가하여 상기 저항 변화층의 저항 상태를 저저항 상태로 변화시켜 상기 플로팅 바디로 제 1 전하를 유입시키고, 상기 게이트 전극층에 리셋 펄스를 인가하여 상기 저항 변화층을 고저항 상태로 변화시키는 프로그램 단계; 및상기 저항 변화층에 셋 펄스를 인가하여 상기 제 1 전하와 상대되는 제 2 전하를 상기 플로팅 바디로 유입시켜 프로그램된 상기 제 1 전하를 소거하고, 상기 저항 변화층에 리셋 펄스를 인가하여 상기 저항 변화층을 고저항 상태로 변화시키는 프로그램 소거 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플로팅 바디 디램 소자의 동작 방법
6 6
(a) 매립 절연막 및 플로팅 바디가 순차적으로 형성된 반도체 기판위에 불순물을 도핑하여 상기 플로팅 바디에 채널 영역을 형성하는 단계;(b) 상기 채널 영역이 형성된 상기 플로팅 바디 위에 터널 절연막을 형성하는 단계;(c) 상기 터널 절연막 위에, 인가되는 전압에 따라서 저항이 변화되어 전하의 흐름을 제어하는 저항 변화층을 형성하는 단계;(d) 상기 저항 변화층 위에 게이트 전극층을 형성하는 단계; 및(e) 상기 플로팅 바디의 채널 영역 양측에 소오스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하고,상기 저항 변화층은 셋 펄스가 인가되면 저저항 상태로 변화되어 전하를 상기 게이트 전극층으로부터 상기 플로팅 바디로 유입시키고, 리셋 펄스가 인가되면 고저항 상태로 변화되어 전하의 흐름을 차단하는 것을 특징으로 하는 저항 변화층을 포함하는 단일 트랜지스터 플로팅 바디 디램 소자 제조 방법
7 7
삭제
8 8
제 6 항에 있어서, 상기 (c) 단계는Si3N4, AlN, ZrN, PbZrTiO3, PrCaMnO3, BaTiO3, SrTiO3, SrZrO3, NiO, MgO, TiO2, ZrO2, HfO2, CeO2 중 어느 하나의 물질로 상기 저항 변화층을 형성하는 것을 특징으로 하는 저항 변화층을 포함하는 단일 트랜지스터 플로팅 바디 디램 소자 제조 방법
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.