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망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법

기술번호 : KST2014000731
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	카드뮴셀레나이드(CdSe)에 망간을 도핑시켜 전체적으로 반자성체의 성질을 가짐으로써 스핀트로닉스에의 응용이 가능한 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따른 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드의 제조방법은 (a)카드뮴 소스와 망간 소스를 파라핀오일 용매와 올레익산 계면활성제에 용해시켜 제1 용액을 제조하고, 셀레늄(Se) 금속을 파라핀오일에 용해시켜 제2 용액을 제조하는 단계; (b)제2 용액에 상기 제1 용액을 첨가하거나, 제1 용액에 상기 제2 용액을 첨가해주어 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점을 생성시키는 단계; (c)망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점을 소정의 발광영역 파장과 띠간격을 가지도록 성장시키는 단계; 및 (d)성장된 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점을 세척해주는 단계를 포함한다.망간, 도핑, 카드뮴 셀레나이드, 스핀트로닉스, 반자성반도체, 파라핀 오일, 올레익산
Int. CL	H01L 33/00 (2014.01)
CPC	C09K 11/57(2013.01) C09K 11/57(2013.01) C09K 11/57(2013.01) C09K 11/57(2013.01) C09K 11/57(2013.01)
출원번호/일자	1020070007701 (2007.01.25)
출원인	고려대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-0876258-0000 (2008.12.19)
공개번호/일자	10-2008-0070101 (2008.07.30) 문서열기
공고번호/일자	(20081226) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2007.01.25)
심사청구항수	19

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	고려대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 성북구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	성윤모	대한민국	경기 성남시 분당구
2	이정철	대한민국	경기 안양시 동안구
3	곽우철	대한민국	서울 성동구
4	이명기	대한민국	서울 도봉구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인아주	대한민국	서울특별시 강남구 강남대로 *, ,**층(역삼동, 동희빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	고려대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 성북구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2007.01.25	수리 (Accepted)	1-1-2007-0074845-65
2	서지사항보정서 Amendment to Bibliographic items	2007.01.29	수리 (Accepted)	1-1-2007-0087813-19
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2007.03.22	수리 (Accepted)	4-1-2007-5043540-16
4	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2007.10.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2007.11.09	수리 (Accepted)	9-1-2007-0069015-22
6	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2007.11.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0649734-73
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2007.12.06	수리 (Accepted)	1-1-2007-0878690-10
8	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2007.12.06	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2007-0878689-74
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.03.05	수리 (Accepted)	4-1-2008-5034712-96
10	최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal	2008.05.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0287588-46
11	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2008.07.25	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2008-0538980-16
12	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2008.07.25	수리 (Accepted)	1-1-2008-0538981-51
13	등록결정서 Decision to grant	2008.11.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0590921-88
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.06.09	수리 (Accepted)	4-1-2009-5111177-32
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.08.12	수리 (Accepted)	4-1-2010-5149278-93
16	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.02.11	수리 (Accepted)	4-1-2014-5018243-16
17	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.04.22	수리 (Accepted)	4-1-2014-5049934-62
18	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.10.10	수리 (Accepted)	4-1-2019-5210941-09

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 (a) 카드뮴 소스와 망간 소스를 파라핀오일 용매와 올레익산 계면활성제에 용해시켜 제1 용액을 제조하고, 셀레늄(Se) 금속을 파라핀오일에 용해시켜 제2 용액을 제조하는 단계;(b) 상기 제2 용액에 상기 제1 용액을 첨가하거나, 상기 제1 용액에 상기 제2 용액을 첨가해주어 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점을 생성시키는 단계;(c) 상기 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점을 소정의 발광영역 파장과 띠간격을 가지도록 성장시키는 단계; 및(d) 상기 성장된 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점을 세척해주는 단계; 를 포함하는 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 카드뮴 소스는 카드뮴옥사이드(CdO), 카드뮴아세테이트(Cd acetate) 중선택되는 것을 특징으로 하는 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 망간 소스는 망간아세테이트(Mn acetate)인 것을 특징으로 하는 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
4	4 제 1 항에 있어서,상기 제1 용액의 제조에 사용되는 파라핀 오일과 올레익산의 부피비는 1:10 ~ 100:1 인 것을 특징으로 하는 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
5	5 제 1 항에 있어서,상기 제1 용액의 제조에 사용되는 파라핀 오일과 올레익산의 부피비는 10:1 인 것을 특징으로 하는 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
6	6 제 1 항에 있어서,상기 제1 용액 내의 카드뮴 이온 : 망간 이온의 몰비는 100:4 ~ 100:40 인 것을 특징으로 하는 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
7	7 제 1 항에 있어서,카드뮴 이온 : 망간 이온의 몰비는 100:20 인 것을 특징으로 하는 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
8	8 제 1 항에 있어서,상기 제1 용액 내의 카드뮴 이온의 몰농도는 60~90 mM인 것을 특징으로 하는 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
9	9 제 1 항에 있어서,상기 제1 용액 내의 망간 이온의 몰농도는 10~30 mM인 것을 특징으로 하는 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
10	10 제 1 항에 있어서,상기 제2 용액 내의 셀레늄 이온의 몰농도는 20~60 mM인 것을 특징으로 하는 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
11	11 제 1 항에 있어서,상기 제2 용액 내의 셀레늄 이온의 농도는 40 mM인 것을 특징으로 하는 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
12	12 제 1 항에 있어서,상기 제1 용액의 제조는 160~180℃의 온도에서, 상기 제1 용액 내부에 파라핀오일과 올레익산을 제외한 유기용매가 충분히 탈리될 때까지 수행되는 것을 특징으로 하는 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
13	13 제 1 항에 있어서,상기 제2 용액의 제조는 200~240℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
14	14 제 1 항에 있어서,상기 제2 용액의 제조는 220℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
15	15 제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계는 성장시간에 따른 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 성장률를 미리 실험적으로 데이터화 해놓고 이에 따라 필요한 시간만큼 성장시키는 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
16	16 제 1 항에 있어서,상기 (d) 단계는 메탄올과 톨루엔을 첨가해준 후 원심분리기를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
17	17 제 1 항에 있어서,상기 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점에 있어서 망간의 도핑율은 2~4 atomic% 인 것을 특징으로 하는 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
18	18 제 1 항에 있어서,상기 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점은 면심입방정(FCC) 섬아연광(Zinc Blende) 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
19	19 제 1 항에 있어서,상기 제조방법에 의해 제조된 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점은 카드뮴셀레나이드 양자점 보다 에너지 띠간격이 크고 발광 및 흡광 파장대가 단파장영역으로 10~50nm 이동되는 것을 특징으로 하는 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
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법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0876258-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20070125 출원 번호 : 1020070007701 공고 연월일 : 20081226 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20081124 청구범위의 항수 : 19 유별 : B82B 3/00 발명의 명칭 : 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20131220

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	460,500 원	2008년 12월 19일	납입
제 4 년분	금 액	458,000 원	2011년 09월 14일	납입
제 5 년분	금 액	458,000 원	2012년 10월 04일	납입

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2007.01.25	수리 (Accepted)	1-1-2007-0074845-65
2	서지사항보정서	2007.01.29	수리 (Accepted)	1-1-2007-0087813-19
3	출원인정보변경(경정)신고서	2007.03.22	수리 (Accepted)	4-1-2007-5043540-16
4	선행기술조사의뢰서	2007.10.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서	2007.11.09	수리 (Accepted)	9-1-2007-0069015-22
6	의견제출통지서	2007.11.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0649734-73
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2007.12.06	수리 (Accepted)	1-1-2007-0878690-10
8	[명세서등 보정]보정서	2007.12.06	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2007-0878689-74
9	출원인정보변경(경정)신고서	2008.03.05	수리 (Accepted)	4-1-2008-5034712-96
10	최후의견제출통지서	2008.05.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0287588-46
11	[명세서등 보정]보정서	2008.07.25	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2008-0538980-16
12	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2008.07.25	수리 (Accepted)	1-1-2008-0538981-51
13	등록결정서	2008.11.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0590921-88
14	출원인정보변경(경정)신고서	2009.06.09	수리 (Accepted)	4-1-2009-5111177-32
15	출원인정보변경(경정)신고서	2010.08.12	수리 (Accepted)	4-1-2010-5149278-93
16	출원인정보변경(경정)신고서	2014.02.11	수리 (Accepted)	4-1-2014-5018243-16
17	출원인정보변경(경정)신고서	2014.04.22	수리 (Accepted)	4-1-2014-5049934-62
18	출원인정보변경(경정)신고서	2019.10.10	수리 (Accepted)	4-1-2019-5210941-09


기술번호	KST2014000731
자료제공기관	NTB
기술공급기관	고려대학교
기술명	망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
기술개요	카드뮴셀레나이드(CdSe)에 망간을 도핑시켜 전체적으로 반자성체의 성질을 가짐으로써 스핀트로닉스에의 응용이 가능한 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따른 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드의 제조방법은 (a)카드뮴 소스와 망간 소스를 파라핀오일 용매와 올레익산 계면활성제에 용해시켜 제1 용액을 제조하고, 셀레늄(Se) 금속을 파라핀오일에 용해시켜 제2 용액을 제조하는 단계; (b)제2 용액에 상기 제1 용액을 첨가하거나, 제1 용액에 상기 제2 용액을 첨가해주어 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점을 생성시키는 단계; (c)망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점을 소정의 발광영역 파장과 띠간격을 가지도록 성장시키는 단계; 및 (d)성장된 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점을 세척해주는 단계를 포함한다.망간, 도핑, 카드뮴 셀레나이드, 스핀트로닉스, 반자성반도체, 파라핀 오일, 올레익산
개발상태	기술개발완료
기술의 우수성
응용분야	스핀트로닉스/카드뮴셀레나이드 제조/
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1340010230
세부과제번호	과C6A2001
연구과제명	첨단부품소재사업단
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국학술진흥재단
연구주관기관명	고려대학교
성과제출연도	2006
연구기간	200603~201202
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	기타

특허성과

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