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도전성 페이스트 및 다층 세라믹 기판

  • 기술번호 : KST2014002841
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저온 동시소성 세라믹(LTCC:Low Temperature Co-fired Ceramic, 이하 LTCC)의 무수축 소성(Constrained Sintering) 공정 중에 발생하는 비아홀(via hole) 주변의 기공을 감소시킬 수 있는 도전성 페이스트에 관한 것이다. 보다 상세하게는 비아홀이 형성된 다층 세라믹 기판의 비아홀에 충전, 소성되어 사용될 수 있는 도전성 페이스트로서, 평균 입도가 5 ㎛ 이상인 은(Ag) 입자를 포함하여 세라믹 기판과 비슷한 온도에서 페이스트의 수축을 시작하게 하므로 소성 공정 중에 발생하는 비아홀 주변의 기공을 감소시킬 수 있는 도전성 페이스트에 대한 것이다.도전성 페이스트, 은(Ag)
Int. CL H01B 1/16 (2006.01) H05K 3/46 (2006.01)
CPC H01B 1/16(2013.01) H01B 1/16(2013.01) H01B 1/16(2013.01) H01B 1/16(2013.01) H01B 1/16(2013.01)
출원번호/일자 1020060129245 (2006.12.18)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0800509-0000 (2008.01.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080204) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.18)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조현민 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 김준철 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 김동수 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 강남기 대한민국 서울특별시 서초구
5 류종인 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2006-0934239-11
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0557775-54
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0913572-08
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.12.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0913599-29
5 등록결정서
Decision to grant
2008.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0040584-94
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비아홀(via hole)이 형성된 다층 세라믹 기판의 비아홀에 충전, 소성되어 사용될 수 있는 도전성 페이스트로서,상기 도전성 페이스트의 총 100 중량대비 평균 입도가 5 ㎛ 이상인 은(Ag) 입자를 80 내지 95 중량% 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트
2 2
제1항에 있어서, 상기 은(Ag) 입자가 구형인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 도전성 페이스트의 총 100 중량대비 유기 바인더를 3 내지 18
5 5
제1항에 있어서, 상기 도전성 페이스트의 총 100 중량대비 분산제 0
6 6
제1항에 있어서, 은(Ag)과 팔라듐(Pd)의 결합입자를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트
7 7
제1항에 있어서, 상기 세라믹 기판의 소결시 세라믹 기판이 수축을 시작하는 온도와 도전성 페이스트가 수축을 시작하는 온도의 편차가 100 ℃ 이내인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트
8 8
비아홀(via hole)이 형성된 다층 세라믹 기판에 있어서, 상기 비아홀이 제1항 내지 제2항 및 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항의 도전성 페이스트로 채워져 저온 동시소성된 것을 특징으로 하는 다층 세라믹 기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.