맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 이용한 액정표시장치

  • 기술번호 : KST2014009517
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 이용한 액정표시장치에서, 박막 트랜지스터는 베이스 기판, 게이트 전극, 게이트 절연막, 다결정 실리콘층, 촉매층, 오믹 콘택층, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 다결정 실리콘층은 촉매층을 통과한 방사열에 의해서 촉매층의 하부영역이 결정화되고, 따라서 마스크를 사용하지 않고도 미세패턴의 결정화가 가능하여 비용을 절감할 수 있다. 결정화, 실리콘
Int. CL G02F 1/136 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/78678(2013.01) H01L 29/78678(2013.01) H01L 29/78678(2013.01) H01L 29/78678(2013.01) H01L 29/78678(2013.01)
출원번호/일자 1020090012691 (2009.02.17)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1544055-0000 (2015.08.06)
공개번호/일자 10-2010-0093647 (2010.08.26) 문서열기
공고번호/일자 (20150813) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.02.17)
심사청구항수 13

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 황태형 대한민국 서울특별시 관악구
2 김현재 대한민국 서울특별시 송파구
3 김도경 대한민국 경기도 용인시 기흥구
4 정웅희 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0095840-43
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2012.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0739442-06
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0151117-16
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.08.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2014-0075340-84
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0057846-80
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2015-0237760-83
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.03.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0237801-67
14 등록결정서
Decision to grant		 2015.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0437354-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
베이스 기판;상기 베이스 기판 위에 형성된 게이트 전극;상기 베이스 기판 및 상기 게이트 전극 위에 배치된 게이트 절연막;상기 게이트 전극에 대응하여 상기 게이트 절연막 위에 배치된 다결정 실리콘층;상기 다결정 실리콘층 위에 배치된 촉매층;상기 촉매층 위에 배치되고, 상기 촉매층에 형성된 제1 콘택홀 및 상기 촉매층에 형성된 제2 콘택홀을 통해 상기 다결정 실리콘층에 연결되는 오믹 콘택층;상기 제1 콘택홀에 대응하는 상기 오믹 콘택층에 연결된 소오스 전극; 및 상기 제2 콘택홀에 대응하는 상기 오믹 콘택층에 연결된 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서, 상기 촉매층은 150nm 내지 250nm의 두께인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
3 3
제2항에 있어서, 상기 촉매층은 산화 실리콘층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
4 4
제3항에 있어서, 상기 산화 실리콘층은 실리콘 옥사이드(SiO2)로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
5 5
제1항에 있어서, 상기 베이스 기판은 플라스틱 재질을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
6 6
베이스 기판에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 베이스 기판 및 상기 게이트 전극 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 전극에 대응하여 상기 게이트 절연막 위에 아몰퍼스 실리콘층을 형성하는 단계;상기 아몰퍼스 실리콘층상에 촉매층을 형성하는 단계;상기 촉매층에 방사열을 조사하여 상기 아몰퍼스 실리콘층을 결정화시켜 다결정 실리콘층을 형성하는 단계;상기 촉매층에 상기 다결정 실리콘층의 일부를 노출시키는 제1 콘택홀 및 상기 다결정 실리콘층의 다른 일부를 노출시키는 제2 콘택홀을 형성하는 단계;상기 제1 및 제2 콘택층들을 매몰시키면서 상기 촉매층 위에 오믹콘택층을 형성하는 단계; 및상기 제1 콘택홀에 대응하는 상기 오믹 콘택층에 연결된 소오스 전극 및 상기 제2 콘택홀에 대응하는 상기 오믹 콘택층에 연결된 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 촉매층은 150nm 내지 250nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 촉매층은 산화 실리콘층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 산화 실리콘층은 실리콘 옥사이드(SiO2)로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
10 10
제6항에 있어서, 상기 방사열은 상기 촉매층 상에 5분 내지 15분 동안 조사되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 방사열의 온도는 900℃ 내지 1000℃인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
12 12
제6항에 있어서, 상기 베이스 기판은 플라스틱 재질을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
13 13
공통전극을 갖는 제1 기판; 베이스 기판 위에 형성된 게이트 전극과, 상기 베이스 기판 및 상기 게이트 전극 위에 배치된 게이트 절연막과, 상기 게이트 전극에 대응하여 상기 게이트 절연막 위에 배치된 다결정 실리콘층과, 상기 다결정 실리콘층 위에 배치된 촉매층과, 상기 촉매층 위에 배치되고 상기 촉매층에 형성된 제1 콘택홀 및 상기 촉매층에 형성된 제2 콘택홀을 통해 상기 다결정 실리콘층에 연결되는 오믹 콘택층과, 상기 제1 콘택홀에 대응하는 상기 오믹 콘택층에 연결된 소오스 전극과, 상기 제2 콘택홀에 대응하는 상기 오믹 콘택층에 연결된 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 및 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결된 화소전극을 포함하는 제2 기판; 및상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 형성되는 액정층을 포함하는 액정표시장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.