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중성입자빔 발생 장치를 이용한 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터 제조 방법(METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY THIN FILM TRANSISTOR FABRICATION USING NEUTRAL PARTICLE BEAM GENERATING APPARATUS)

  • 기술번호 : KST2016008982
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 중성입자빔 발생 장치를 이용하여 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것으로, 기판 위에 게이트 전극과 상기 게이트 전극 위에 제1 게이트 절연막을 형성하는 단계; 챔버 내에, 상기 제1 게이트 절연막이 형성된 기판을 배치하는 단계; 상기 챔버 내에, 가스 공급구를 통해 플라즈마 생성을 위한 불활성 가스 및 수소 플라즈마 발생을 위한 수소 가스를 공급하는 단계; 상기 챔버에서 생성된 수소 플라즈마 이온이 리플렉터와 충돌하여 수소 중성입자로 변환되는 단계; 상기 수소 중성입자가 상기 제1 게이트 절연막에 조사되어 모바일 프로톤이 형성되는 단계; 및 상기 모바일 프로톤이 형성된 상기 제1 게이트 절연막 위에 제2 게이트 절연막을 증착하는 단계를 포함한다.본 발명에 의하면, 기존의 장시간(수십분 이상) 및 고온(600℃ 이상)의 수소 열처리 공정 대신, 중성입자빔 발생 장치를 이용하여 비교적 저온(20℃ 이상 300℃ 이하)에서 단시간(10분) 내에 모바일 프로톤을 형성하여 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터를 제조하기 때문에, 유리 기판이나 플라스틱 필름과 같은 기판을 박막형 트랜지스터 제조에 이용할 수 없어 제품적용에 제약이 존재하였던 문제를 해결해 준다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H05H 1/46 (2006.01) H01L 21/425 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01)
CPC H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01)
출원번호/일자 1020160012131 (2016.02.01)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1627354-0000 (2016.05.30)
공개번호/일자 10-2016-0042828 (2016.04.20) 문서열기
공고번호/일자 (20160607) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2014-0136931 (2014.10.10)
관련 출원번호 1020140136931
심사청구여부/일자 Y (2016.02.01)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍문표 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 장진녕 대한민국 세종특별자치시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 세종산학협력단 세종특별자치시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2016.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0103835-90
2 등록결정서
Decision to grant		 2016.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0287545-60
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플라즈마 방전 공간인 소정 크기의 챔버, 상기 챔버 내에 가스를 공급하는 가스 공급구, 및 상기 챔버에서 생성된 플라즈마 이온과 충돌하여 상기 플라즈마 이온을 중성입자로 변환시키는 리플렉터를 포함하는 중성입자빔 발생 장치를 이용하여 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터를 제조하는 방법으로서,기판 위에 게이트 전극과 상기 게이트 전극 위에 제1 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 챔버 내에, 상기 제1 게이트 절연막이 형성된 기판을 배치하는 단계;상기 챔버 내에, 상기 가스 공급구를 통해 플라즈마 생성을 위한 불활성 가스 및 수소 플라즈마 발생을 위한 수소 가스를 공급하는 단계;상기 챔버에서 생성된 수소 플라즈마 이온이 상기 리플렉터와 충돌하여 수소 중성입자로 변환되는 단계;상기 수소 중성입자가 상기 제1 게이트 절연막에 조사되어 모바일 프로톤이 형성되는 단계; 및상기 모바일 프로톤이 형성된 상기 제1 게이트 절연막 위에 제2 게이트 절연막을 증착하는 단계를 포함하는 중성입자빔 발생 장치를 이용한 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 중성입자빔 발생 장치의 상기 리플렉터는,상기 수소 가스의 수소 입자보다는 무겁고 상기 불활성 가스의 불활성 입자보다는 가벼운 입자로 구성된 고체판인 것을 특징으로 하는 중성입자빔 발생 장치를 이용한 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터 제조 방법
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1 CN107112327 CN 중국 FAMILY
2 EP03206224 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP06473958 JP 일본 FAMILY
4 JP29532785 JP 일본 FAMILY
5 US10229834 US 미국 FAMILY
6 US20170301547 US 미국 FAMILY
7 WO2016056862 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN107112327 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN107112327 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2017532785 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP6473958 JP 일본 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 고려대학교 산학협력단 국제공동기술개발사업 [2차년도] 10,000회 이상 Bending 가능한 Flexible Display용 고연성 TFT 소재 및 공정기술 개발