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ｐ형 반도성 물질이 첨가된 ＷＯ₃ 고용체로 이루어진 가스 센서

  • 기술번호 : KST2014011395
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가스 센서에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 가스의 농도에 따라 전기 전도도의 변화를 감지하도록 박·후막형으로 제조한 WO₃ 및 p형 반도성 물질의 고용체 감지막(3)을 가지는 가스 센서에 관한 것이다. 본 발명은 종래의 가스 센서의 응답특성 및 회복속도를 증진시키는데 목적이 있다. 본 발명은 기판(1)과, 상기 기판 상면에 소정의 패턴으로 형성되는 전극(2)과, 상기 전극이 형성된 기판의 상면에 형성되는 WO₃ 및 p형 반도성 물질의 고용체 박·후막형 감지막(3)과, 상기 기판 하면에 형성되는 히터(4)와, 상기 히터가 형성된 기판의 하면에 형성되는 절연재(5)로 이루어지는 가스 센서를 제공하여 NOX와 같은 자동차 배기 가스, 기타 연소 장치의 배기 가스 이외에도 암모니아 등과 같은 감지 가능한 가스를 감지한다. n형 반도성을 갖는 WO3에 p형 반도성 물질을 첨가하여 막(3)의 소결성을 높임과 동시에 전기적으로 막 내에 존재하는 전도성 캐리어의 양을 조절하여 산화성 가스, 예컨대 NOX와의 반응성을 증진시킨다. 상기 감지막은 CuO, NiO, CoO, Cr2O3, Cu2O, MoO3, Bi2O3, MnO2 및 Pr2O3으로 이루어지는 p형 반도성 물질 군 중에서 어느 하나 이상이 첨가된 고용체로 이루어진다. 여기서, 상기 p형 반도성 물질의 첨가량은 0.1 - 90 wt%일 수 있고, 상기 감지막은 0.1 - 5 ㎛의 박막 또는 5 - 100㎛의 후막일 수 있다.
Int. CL G01N 27/407 (2006.01)
CPC G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01)
출원번호/일자 1019990032788 (1999.08.10)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0329806-0000 (2002.03.11)
공개번호/일자 10-2001-0017335 (2001.03.05) 문서열기
공고번호/일자 (20020325) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.08.10)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태송 대한민국 서울특별시마포구
2 정형진 대한민국 서울특별시동대문구
3 정종학 대한민국 서울특별시마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.08.10 수리 (Accepted) 1-1-1999-0093087-63
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0181405-06
4 의견서
Written Opinion		 2001.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2001-0223367-86
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.08.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0223335-25
6 등록결정서
Decision to grant		 2002.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0067265-93
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

기판과, 상기 기판 상면에 소정의 패턴으로 형성되는 전극과, 상기 전극이 형성된 기판의 상면에 증착되는 WO3에 0

2 2

제 1항에 있어서, 상기 p형 반도성 물질은 NiO, CoO, Cr2O3, Cu2O, MoO3, Bi2O3, MnO2 및 Pr2O3로 이루어지는 군 중에서 선택되는 하나 이상을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서

3 3

삭제
4 4

제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 감지막은 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.