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기판;상기 기판 상부에 위치하는 그래핀 시트; 및상기 그래핀 시트 상에 도핑된 산화아연 나노시트(ZnO nanosheet); 를 포함하는, 이산화질소 가스 검출 센서
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제1항에 있어서,상기 그래핀 시트는 단층으로 이루어진 것인, 이산화질소 가스 검출 센서
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제1항에 있어서, 상기 산화아연 나노시트(ZnO nanosheet)는 단층, 또는 2 이상의 층으로 이루어진 것인, 이산화질소 가스 검출 센서
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제1항에 있어서,상기 산화아연 나노시트(ZnO nanosheet)의 단일 입자의 평균 크기는 50 내지 90 nm인, 이산화질소 가스 검출 센서
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제1항에 있어서,상기 산화아연 나노시트(ZnO nanosheet)의 단일 입자들이 응집된 경우의 평균 크기는 300 내지 500 nm인, 이산화질소 가스 검출 센서
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제1항에 있어서,상기 도핑은 산화아연 나노시트(ZnO nanosheet)를 상기 그래핀 시트 상에 4 내지 6 회 스핀코팅하여 수행되는 것인, 이산화질소 가스 검출 센서
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제1항에 있어서,상기 이산화질소 가스 검출 센서는 150초 이내에 이산화질소 가스를 검출하는, 이산화질소 가스 검출 센서
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8
제1항에 있어서,상기 이산화질소 가스 검출 센서는 20 내지 35 ℃에서 이산화질소 가스를 검출하는, 이산화질소 가스 검출 센서
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제1항에 있어서,이산화질소 가스 검출 센서는 0
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제1항에 있어서,상기 이산화질소 가스 검출 센서는,상기 그래핀 시트 양단에 연결되는 전극; 및 상기 이산화질소 가스 검출 센서를 구동하는 전원부;를 더 포함하는, 이산화질소 가스 검출 센서
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산화아연 나노시트(ZnO nanosheet)를 제조하는 단계; 및그래핀 시트의 상부에 상기 산화아연 나노시트(ZnO nanosheet)을 도핑하는 단계;를 포함하는, 이산화질소 가스 검출 센서 제조방법
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제11항에 있어서,상기 그래핀 시트의 상부에 상기 산화아연 나노시트(ZnO nanosheet)을 도핑하는 단계는, 상기 그래핀 시트를 산화아연 나노시트(ZnO nanosheet)를 포함하는 용액에 침지하고, 상기 혼합액을 900 내지 1100 rpm의 속도로 200 내지 400 초 동안 스핀코팅하여 수행되는 것인, 이산화질소 가스 검출 센서 제조방법
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제12항에 있어서,상기 스핀코팅은 4 내지 6회 수행되는 것인, 이산화질소 가스 검출 센서 제조방법
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제11항에 있어서,상기 산화아연 나노시트(ZnO nanosheet)를 포함하는 용액의 농도는 20 μL 내지 140 μL인, 이산화질소 가스 검출 센서 제조방법
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 이산화질소 가스 검출 센서; 챔버;제어 및 기록 장치;유량 제어 장치; 및가스 공급 장치;를 포함하는, 이산화질소 가스 검출 시스템
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