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투명 도전막 형성 방법으로서,
제2 투명 도전체 졸 보다 상대적으로 낮은 온도에서 결정화가 이루어지나 접착력이 약한 제1 투명 도전체 졸을 투명 기판 상에 코팅하는 단계;
상기 제1 투명 도전체 졸이 코팅된 투명 기판을 열처리하여 1차 투명 도전막을 형성하는 단계;
상기 제1 투명 도전체 졸 보다 접착력이 세고 상대적으로 높은 온도에서 결정화가 이루어지는 상기 제2 투명 도전체 졸을 상기 1차 투명 도전막 내에 스며들게 하여 상기 1차 투명 도전막과 제2 투명 도전체의 혼합층을 형성하는 단계; 및
상기 1차 투명 도전막과 상기 제2 투명 도전체를 열처리하여 다결정의 투명 도전막을 형성하는 단계를 포함하는 투명 도전막 형성 방법
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제1항에 있어서,
상기 1차 투명 도전막 및 상기 다결정의 투명 도전막은 모두 ITO 막이고,
상기 제1 및 제2 투명 도전체 졸은 각각 제1 및 제2 ITO 졸인, 투명 도전막 형성 방법
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3
제2항에 있어서,
상기 제1 ITO 졸은,
In(CH3COO)3와 SnCl4·5H2O을 프로피온산(propionic acid)과 부탄올 (butanol)의 혼합 용액에 넣고, 상기 In(CH3COO)3와 SnCl4·5H2O이 첨가된 프로피온산과 부탄올의 혼합 용액을 교반하며 묽은 질산을 첨가한 후 가열하여 형성된, 투명 도전막 형성 방법
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4
제3항에 있어서,
상기 제2 ITO 졸은,
In(CH3COO)3와 SnCl4·5H2O을 DMF(dimethylformide)와 부탄올(butanol) 의 혼합용매에 넣고 교반하며 질산을 첨가한 후 가열하여 형성된, 투명 도전막 형성 방법
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5
제1항에 있어서,
상기 제2 투명 도전체 졸을 상기 1차 투명 도전막 내에 스며들게 하는 단계에서, 상기 제2 투명 도전체 졸을 상기 투명기판과 상기 1차 투명 도전막 사이에 스며들게 하는, 투명 도전막 형성 방법
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 1차 투명 도전막은 350 ℃ 내지 400 ℃에서 열처리하여 형성하고, 상기 다결정의 투명 도전막은 400 ℃ 내지 600 ℃에서 열처리하여 형성하는, 투명 도전막 형성 방법
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