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플라즈마 처리를 이용한 질화갈륨계열 박막의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014013704
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 N2O 플라즈마 처리를 이용한 고품질의 n-형 질화갈륨(GaN) 계열 박막의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 기판 위에 질화갈륨 핵생성층(nucleation layer)을 형성한 다음, 실리콘을 도핑하여 n-형 질화갈륨 박막을 형성하는 제 1 단계; n-형 질화갈륨 박막에 기설정된 소정 시간 동안 N2O 플라즈마 처리를 수행하는 제 2 단계를 포함하여 플라즈마 처리를 이용한 질화갈륨계열 박막의 제조함으로써, 고품질의 n-형 질화갈륨 박막을 제조함으로써 우수한 오믹접촉 특성을 구현할 수 있고 그로 인해 우수한 특성을 갖는 질화갈륨 계열의 광소자나 전자소자를 제작할 수 있는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 N2O 플라즈마 처리를 할 경우 후속열처리를 행하지 않고도 우수한 오믹접촉 특성을 보여줄 수 있게 됨으로써 질화갈륨 계열의 소자제작에 있어서 안정성 및 경제성을 향상시킬 수 있는 효과가 있으며, N2O 플라즈마 조건에 따라서 박막의 전자농도와 비저항 값을 임의로 조절할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020000015830 (2000.03.28)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0330840-0000 (2002.03.19)
공개번호/일자 10-2001-0093026 (2001.10.27) 문서열기
공고번호/일자 (20020401) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.03.28)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현수 대한민국 광주광역시북구
2 황현상 대한민국 광주광역시북구
3 박성주 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2000-0060589-46
2 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2001.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2001-5284132-66
3 등록결정서
Decision to grant		 2002.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0060118-82
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2007-0566955-30
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

플라즈마 처리를 이용한 질화갈륨계열 박막의 제조방법에 있어서,

기판 위에 질화갈륨 핵생성층(nucleation layer)을 형성한 다음, 실리콘을 도핑하여 n-형 질화갈륨계열 박막을 형성하는 제 1 단계;

상기 n-형 질화갈륨 박막에 기설정된 소정 시간 동안 N2O 플라즈마 처리를 수행하는 제 2 단계를 포함하는 플라즈마 처리를 이용한 질화갈륨계열 박막의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 N2O 플라즈마 처리는, 10∼2000 sccm의 질소유입량, 10∼600℃의 온도, 0

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 질화갈륨계열은, 질화갈륨(GaN), 알루미늄 질화갈륨(AlGaN) 또는 인듐 질화갈륨(InGaN) 임을 특징으로 하는 N2O 플라즈마 처리를 이용한 n-형 질화갈륨계열 박막의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.