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발광다이오드의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014043407
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광다이오드 제조방법이 제공된다. 발광다이오드 제조방법은 기판 상에 버퍼 클래드층을 형성하는 단계, 상기 버퍼 클래드층 상에 금속 마스크 패턴을 형성하는 단계, 상기 금속 마스크 패턴 상에 제1 도전형 클래드층을 성장시키는 동시에 상기 버퍼 클래드층의 상기 금속 마스크 패턴의 하부에 접촉하는 부분을 식각하는 단계, 상기 제1 도전형 클래드층 상에 제2 도전형 클래드층을 형성하여 상기 제1 도전형 클래드층 및 상기 제2 도전형 클래드층을 구비하는 발광구조체를 형성시키는 단계 및 상기 발광구조체로부터 상기 기판을 분리시키는 단계를 포함한다. 발광다이오드, 기판 제거, 금속 마스크 패턴
Int. CL H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/12(2013.01)H01L 33/12(2013.01)
출원번호/일자 1020080137965 (2008.12.31)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1108244-0000 (2012.01.13)
공개번호/일자 10-2010-0079466 (2010.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20120131) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.31)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성주 대한민국 광주광역시 북구
2 조주영 대한민국 광주광역시 북구
3 이상준 대한민국 광주광역시 북구
4 박태영 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0909264-35
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0516579-00
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0028666-04
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0028677-06
5 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2011.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0419389-68
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0752612-87
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.09.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0752635-26
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0007213-80
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 버퍼 클래드층을 형성하는 단계; 상기 버퍼 클래드층 상에 금속 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 금속 마스크 패턴 상에 제1 도전형 클래드층을 성장시키는 동시에 상기 버퍼 클래드층의 상기 금속 마스크 패턴의 하부에 접촉하는 부분을 식각하는 단계; 상기 제1 도전형 클래드층 상에 제2 도전형 클래드층을 형성하여 상기 제1 도전형 클래드층 및 상기 제2 도전형 클래드층을 구비하는 발광구조체를 형성시키는 단계; 및 상기 발광구조체 및 상기 금속 마스크 패턴으로부터 상기 기판 및 상기 버퍼 클래드층을 분리시키는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 버퍼 클래드층을 식각하는 단계는 상기 제1 도전형 클래드층 성장시 사용되는 가스와 상기 버퍼 클래드층의 화학적 반응에 의해 수행되는 발광다이오드 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 가스는 수소를 포함하는 발광다이오드 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 금속 마스크 패턴은 텅스텐 또는 몰리브덴을 사용하여 형성하는 발광다이오드 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 발광구조체 및 상기 금속 마스크 패턴으로부터 상기 기판 및 상기 버퍼 클래드층을 분리시키는 단계 이후에 상기 금속 마스크 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 발광구조체 및 상기 금속 마스크 패턴으로부터 상기 기판 및 상기 버퍼 클래드층을 분리시키는 단계 이후에 상기 제1 도전형 클래드층 및 상기 제2 도전형 클래드층 각각에 전기적으로 접속된 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.