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단결정 기판의 제조 방법, 이에 의해 제조된 단결정 기판, 상기 단결정 기판을 포함하는 발광소자, 및 이의 제조 방법
- 기술번호 : KST2014013923
- 담당센터 : 광주기술혁신센터
- 전화번호 : 062-360-4654
| 요약 | 단결정 기판의 제조방법, 이에 의해 제조된 단결정 기판, 단결정 기판을 포함하는 발광소자, 및 이의 제조방법이 개시되어 있다. 단결정 기판의 제조방법은 베이스 기판 상에 하부 에피층을 성장시키는 단계, 하부 에피층 내의 전위 영역의 적어도 일부를 선택적으로 제거하는 단계, 제거된 전위 영역 내에 전위 방지 요소를 형성하는 단계 및 전위 방지 요소가 형성된 하부 에피층 상에 상부 에피층을 형성하는 단계를 포함한다. 단결정 기판, 단결정 성장, 발광소자 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 33/12 (2014.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020080093400 (2008.09.23) |
| 출원인 | 일진머티리얼즈 주식회사 |
| 등록번호/일자 | 10-1146819-0000 (2012.05.09) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0034332 (2010.04.01) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20120521) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2009.09.22) |
| 심사청구항수 | 19 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 일진머티리얼즈 주식회사 | 대한민국 | 전라북도 익산시 석 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박태영 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
| 2 | 박성주 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인(유한) 대아 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 에이치씨 세미테크 코퍼레이션 | 중국 ****** 우한 이스트 레이크 하이 테크놀러지 디벨롭먼트 존 빈후 로드 넘 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.09.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0668963-00 |
| 2 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2009.09.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0580011-64 |
| 3 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2011.01.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0021878-68 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.04.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0186866-36 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.06.03 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0420330-64 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.06.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0420329-17 |
| 7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.11.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0697455-26 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.12.13 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0989659-13 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.12.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0989658-67 |
| 10 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.05.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0268904-19 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 베이스 기판 상에 하부 에피층을 성장시키는 단계;상기 하부 에피층 내의 전위 영역의 적어도 일부를 선택적으로 제거하는 단계;상기 제거된 전위 영역 외의 상기 하부 에피층 상에 포토레지스트 패턴을 형성하고 전위 방지막을 형성한 후 상기 포토레지스트 패턴을 제거하여, 상기 제거된 전위 영역 내에 전위 방지 요소를 형성하는 단계; 및상기 전위 방지 요소가 형성된 하부 에피층 상에 상부 에피층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 전위 방지 요소 형성 단계에서, 상기 전위 방지 요소를 상기 전위 영역 내에 함몰된 형태로 형성하여, 상기 상부 에피층 형성 단계에서 상기 전위 방지 요소 상에 보이드를 형성하는 것을 특징으로 하는 단결정 기판의 제조방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 전위 영역의 적어도 일부를 선택적으로 제거하는 것은,건식식각 또는 습식식각을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 단결정 기판의 제조방법 |
| 3 |
3 삭제 |
| 4 |
4 삭제 |
| 5 |
5 삭제 |
| 6 |
6 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 전위 방지 요소는 금속층 또는 무기물층인 단결정 기판의 제조방법 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서, 상기 상부에피층은 MOCVD법, MBE법, HVPE법 또는 SVPE법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 단결정 기판의 제조방법 |
| 8 |
8 제 1 항 또는 7항에 있어서, 상기 상부 에피층은 SiC층, ZnO층, Si층, GaAs층, NCO층, BN층, AlN층 또는 GaN층인 단결정 기판의 제조방법 |
| 9 |
9 베이스 기판:상기 베이스 기판 상에 위치하고, 상부면에 다수 개의 홈을 구비하는 하부 에피층;상기 홈 내에 위치하는 전위 방지 요소; 및상기 전위 방지 요소 및 상기 하부 에피층 상에 위치하는 상부 에피층을 구비하고,상기 전위 방지 요소는 상기 홈 내에 함몰된 형태로 형성되어, 상기 전위 방지 요소와 상기 상부 에피층 사이에 보이드가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 단결정 기판 |
| 10 |
10 제 9 항에 있어서, 상기 전위 방지 요소는 금속층 또는 무기물층인 단결정 기판 |
| 11 |
11 제 10 항에 있어서, 상기 금속층은 Ag층, Au층 또는 Pt층인 단결정 기판 |
| 12 |
12 제 10 항에 있어서, 상기 무기물층은 SiN층, SiO2층, HfO2층 또는 TiO2층인 단결정 기판 |
| 13 |
13 제 9 항에 있어서, 상기 상부 에피층은 SiC층, ZnO층, Si층, GaAs층, NCO층, BN층, AlN층 또는 GaN층인 단결정 기판 |
| 14 |
14 베이스 기판 상에 하부 버퍼층을 성장시키는 단계;상기 하부 버퍼층 내의 전위 영역의 적어도 일부를 선택적으로 제거하는 단계;상기 제거된 전위 영역 외의 상기 하부 버퍼층 상에 포토레지스트 패턴을 형성하고 전위 방지막을 형성한 후 상기 포토레지스트 패턴을 제거하여, 상기 제거된 전위 영역 내에 전위 방지 요소를 형성하는 단계;상기 전위 방지 요소가 형성된 하부 버퍼층 상에 상부 버퍼층을 형성하는 단계;상기 상부 버퍼층 상에 제1형 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1형 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층 상에 제2형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 전위 방지 요소 형성 단계에서, 상기 전위 방지 요소를 상기 전위 영역 내에 함몰된 형태로 형성하여, 상기 상부 버퍼층 형성 단계에서, 상기 전위 방지 요소 상에 보이드를 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조방법 |
| 15 |
15 삭제 |
| 16 |
16 삭제 |
| 17 |
17 삭제 |
| 18 |
18 제 14 항에 있어서, 상기 전위 방지 요소는 금속층 또는 무기물층인 발광소자 제조방법 |
| 19 |
19 제 14 항에 있어서, 상기 상부 버퍼층은 MOCVD법, MBE법, HVPE법 또는 SVPE법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조방법 |
| 20 |
20 제 14 항 또는 19항에 있어서, 상기 상부 버퍼층은 SiC층, ZnO층, Si층, GaAs층, NCO층, BN층, AlN층 또는 GaN층인 발광소자 제조방법 |
| 21 |
21 베이스 기판 상에 위치하고, 상부면에 다수 개의 홈을 구비하는 하부 버퍼층;상기 홈 내에 위치하는 전위 방지 요소;상기 전위 방지 요소 및 상기 하부 버퍼층 상에 위치하는 상부 버퍼층;상기 상부 버퍼층 상에 형성된 제1형 단결정 반도체층; 상기 제1형 단결정 반도체층 상에 형성된 활성층; 및상기 활성층 상에 형성된 제2형 단결정 반도체층;을 포함하고,상기 전위 방지 요소는 상기 홈 내에 함몰된 형태로 형성되어, 상기 전위 방지 요소와 상기 상부 버퍼층 사이에 보이드가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광소자 |
| 22 |
22 제 21 항에 있어서, 상기 전위 방지 요소는 금속층 또는 무기물층인 발광소자 |
| 23 |
23 제 22 항에 있어서, 상기 금속층은 Ag층, Au층 또는 Pt층인 발광소자 |
| 24 |
24 제 22 항에 있어서, 상기 무기물층은 SiN층, SiO2층, HfO2층 또는 TiO2층인 발광소자 |
| 25 |
25 제 21 항에 있어서, 상기 상부 버퍼층은 SiC층, ZnO층, Si층, GaAs층, NCO층, BN층, AlN층 또는 GaN층인 발광소자 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | WO2010036002 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
| 2 | WO2010036002 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | WO2010036002 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 2 | WO2010036002 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1146819-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20080923 출원 번호 : 1020080093400 공고 연월일 : 20120521 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120507 청구범위의 항수 : 19 유별 : H01L 33/12 발명의 명칭 : 단결정 기판의 제조방법, 이에 의해 제조된 단결정 기판, 상기 단결정 기판을 포함하는 발광소자, 및 이의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 일진머티리얼즈 주식회사 전북 익산시 석암로... |
| 2 |
(권리자) 일진엘이디(주) 경기도 안산시 단원구... |
| 2 |
(의무자) 일진머티리얼즈 주식회사 전북 익산시 ... |
| 3 |
(권리자) 일진엘이디 주식회사 안산시 단원구... |
| 4 |
(권리자) 에이치씨 세미테크 코퍼레이션 중국 ****** 우한 이스트 레이크 하이 테크놀러지 디벨롭먼트 존 빈후 로드 넘버 * |
| 4 |
(의무자) 일진엘이디(주) 경기도 안산시 단원구... |
| 5 |
(권리자) 일진엘이디 주식회사 안산시 단원구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 786,000 원 | 2012년 05월 09일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 320,600 원 | 2015년 05월 04일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 320,600 원 | 2016년 03월 23일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 512,960 원 | 2017년 09월 06일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 822,000 원 | 2018년 05월 04일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 822,000 원 | 2019년 04월 26일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 822,000 원 | 2020년 05월 04일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.09.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0668963-00 |
| 2 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2009.09.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0580011-64 |
| 3 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2011.01.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0021878-68 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2011.04.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0186866-36 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.06.03 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0420330-64 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.06.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0420329-17 |
| 7 | 의견제출통지서 | 2011.11.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0697455-26 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.12.13 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0989659-13 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.12.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0989658-67 |
| 10 | 등록결정서 | 2012.05.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0268904-19 |
| 기술번호 | KST2014013923 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 광주과학기술원 |
| 기술명 | 단결정 기판의 제조 방법, 이에 의해 제조된 단결정 기판, 상기 단결정 기판을 포함하는 발광소자, 및 이의 제조 방법 |
| 기술개요 |
단결정 기판의 제조방법, 이에 의해 제조된 단결정 기판, 단결정 기판을 포함하는 발광소자, 및 이의 제조방법이 개시되어 있다. 단결정 기판의 제조방법은 베이스 기판 상에 하부 에피층을 성장시키는 단계, 하부 에피층 내의 전위 영역의 적어도 일부를 선택적으로 제거하는 단계, 제거된 전위 영역 내에 전위 방지 요소를 형성하는 단계 및 전위 방지 요소가 형성된 하부 에피층 상에 상부 에피층을 형성하는 단계를 포함한다. 단결정 기판, 단결정 성장, 발광소자 |
| 개발상태 | 특허만신청(등록) |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | - |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345072455 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R17-2007-078-01001-0 |
| 연구과제명 | 고효율광원및디스플레이개발을위한넓은띠간격반도체기술연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200705~201002 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345084797 |
|---|---|
| 세부과제번호 | gist-08 |
| 연구과제명 | 과학기술응용연구단운영 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 교육과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200501~201412 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
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