맞춤기술찾기

이전대상기술

높은 균일도를 가진 무기 나노입자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014021894
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 우수한 균일도를 가진 무기 나노입자/지질 복합체의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 지질 막에 무기 나노입자를 형성시킴으로써 크기가 균일하고 분포 상태가 양호하며 자가 정렬 특성을 갖는 나노입자/지질 복합체를 제공하는 신규한 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 제조방법은 지질 물질을 준비하는 단계; 상기 지질 물질을 지지체 상에 코팅하는 단계; 상기 지지체 상에 코팅된 상기 지질 물질에 나노입자 형성물질을 증착하여 무기 나노입자/지질 복합체를 형성하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 무기 나노입자가 생성됨과 동시에 지질 물질이 상기 나노입자를 둘러싸게 되며 지질 물질의 유동성에 의하여 나노입자가 높은 입도 균일성을 갖게 되고 자가정렬 특성을 갖게 되므로, 자기적 성질이나 광학적 성질이 우수한 무기 나노입자를 제조할 수 있고 상기 나노입자들의 자가정렬을 통한 규칙적인 배열을 이용하여 고밀도 기록매체 분야, 포토닉스 재료 분야 등 다양한 분야에서 유리하게 사용할 수 있다. 지질, 나노입자, 복합체, 코팅, 자기정렬
Int. CL B82B 3/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020080076192 (2008.08.04)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1035722-0000 (2011.05.12)
공개번호/일자 10-2010-0015237 (2010.02.12) 문서열기
공고번호/일자 (20110519) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.04)
심사청구항수 19

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 윤종승 대한민국 서울특별시 서대문구
2 오누리 대한민국 경기도 수원시 팔달구
3 김정훈 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0560631-58
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.03.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0022244-29
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0315781-13
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0615524-08
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.09.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0615525-43
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0058636-28
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.02.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0007923-92
9 등록결정서
Decision to grant
2011.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0231721-71
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
지질 물질을 준비하는 단계; 상기 지질물질을 지지체 상에 코팅하는 단계; 및 지지체 상에 코팅된 상기 지질 물질에 나노입자 형성물질을 증착하여 무기 나노입자/지질 복합체를 형성하는 단계; 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 무기 나노입자/지질 복합체의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 지질 물질은 상기 나노입자 형성물질의 증착 온도에서 액정상태로 존재하는 것을 특징으로 하는 무기 나노입자/지질 복합체의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 지질 물질은 상온(25℃)에서 액정상태로 존재하는 것을 특징으로 하는 무기 나노입자/지질 복합체의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 지질 물질을 용매에 용해한 후 용매와 함께 지지체 상에 코팅하는 것을 특징으로 하는 무기 나노입자/지질 복합체의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 지질 물질의 두께는 10~500nm인 것을 특징으로 하는 무기 나노입자/지질 복합체의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 나노입자 형성물질의 증착은 물리기상 증착법 또는 화학기상 증착법에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 무기 나노입자/지질 복합체의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 증착되는 나노입자 형성물질의 양은 그 두께가 50nm 이하인 것을 특징으로 하는 무기 나노입자/지질 복합체의 제조방법
8 8
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 나노입자 형성물질의 증착 이후에 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무기 나노입자/지질 복합체의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 열처리는 40~200℃의 온도에서 10분 이상 실시되는 것을 특징으로 하는 무기 나노입자/지질 복합체의 제조방법
10 10
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 무기 나노입자/지질 복합체에 용매를 가하여 콜로이드 용액을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무기 나노입자/지질 복합체의 제조방법
11 11
제 8 항에 있어서, 상기 무기 나노입자/지질 복합체에 용매를 가하여 콜로이드 용액을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무기 나노입자/지질 복합체의 제조방법
12 12
제 10 항에 있어서, 상기 용매는 7
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 용매는 클로로포름(Chloroform), 옥탄(Octane), 헥산(Hexane), 사이클로헥산(Cyclohexane), 톨루엔(Toluene), 아세톤(Acetone), 삼차부틸알콜(Tert-Butyl Alcohol) 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 무기 나노입자/지질 복합체의 제조방법
14 14
제 11 항에 있어서, 상기 용매는 7
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 용매는 클로로포름(Chloroform), 옥탄(Octane), 헥산(Hexane), 사이클로헥산(Cyclohexane), 톨루엔(Toluene), 아세톤(Acetone), 삼차부틸알콜(Tert-Butyl Alcohol) 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 무기 나노입자/지질 복합체의 제조방법
16 16
제 10 항에 있어서, 상기 콜로이드 용액을 지지체에 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무기 나노입자/지질 복합체의 제조방법
17 17
제 11 항에 있어서, 상기 콜로이드 용액을 지지체에 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무기 나노입자/지질 복합체의 제조방법
18 18
제 16 항에 있어서, 상기 콜로이드 용액의 코팅전 또는 코팅후에 용매를 증발시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무기 나노입자/지질 복합체의 제조방법
19 19
제 17 항에 있어서, 상기 콜로이드 용액의 코팅전 또는 코팅 후에 용매를 증발시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무기 나노입자/지질 복합체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 한양대학교 산학협력단 나노원천기술개발사업 Nano-Meso Hybrid 영역에서의 NT-IT 융합 연구 분야