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팜토 레이저를 이용한 비정질의 Ｃｏ2ＭｎＳｉ 박막의 부분결정화 방법

  • 기술번호 : KST2015140716
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 팜토 레이저의 두 빔의 간섭현상을 이용하여 비정질의 Co2MnSi 박막을 선택적으로 강자성 구조로 결정화시킨다. 비정질 Co2MnSi 박막을 선택적으로 결정화를 이용하여, 이러한 주기적인 가지 구조로의 변형을 통해 영구적인 자기 센서 및 ID로 적용 가능하다.비정질 Ｃｏ2ＭｎＳｉ, 팜토 레이저, 부분적 강자성화, 자기 센서
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/268 (2006.01.01) C23C 14/35 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01)
출원번호/일자 1020060010136 (2006.02.02)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0736652-0000 (2007.07.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070709) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.02.02)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김창경 대한민국 서울 강남구
2 윤종승 대한민국 서울 서대문구
3 김전 대한민국 서울 마포구
4 김정훈 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전익수 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **층 (역삼동, 우신빌딩)(서정특허법률사무소)
2 김병옥 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **층 (역삼동, 우신빌딩)(서정특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2006-0079737-69
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0001154-99
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0045787-82
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0237124-99
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0303236-86
7 의견서
Written Opinion		 2007.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0303244-41
8 등록결정서
Decision to grant		 2007.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0306285-74
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
무선주파수를 이용한 마크네트론 증착장비를 이용하여 상온 진공에서 비정질 Co2MnSi 박막을 형성하는 단계; 및팜토 레이저를 이용하여 상기 비정질 Co2MnSi 박막 구조를 부분 결정화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 Co2MnSi 박막의 부분 결정화 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 팜토 레이저는 파장이 800nm, 진동 유지시간은 130fs, 최대 에너지는 1mJ이며, 반복율은 1kHz인 것을 특징으로 하는 Co2MnSi 박막의 부분 결정화 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 부분 결정화가 1㎛ 내지 3㎛ 간격으로 주기적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 Co2MnSi 박막의 부분 결정화 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 부분 결정화가 50-100 nm 결정립으로 구성되는 것을 특징으로 하는 Co2MnSi 박막의 부분 결정화 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 팜토 레이저는 61μJ 이상이며, 반복률은 3000 샷/ms 이상인 것을 특징으로 하는 Co2MnSi 박막의 부분 결정화 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 Co2MnSi를 증착하는 단계 이전에,열의 이동을 최소화하기 위해 Ta를 박막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 Co2MnSi 박막의 부분 결정화 방법
7 7
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 부분 결정화 방법으로 제조된 Co2MnSi를 이용한 자기센서
8 8
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 부분 결정화 방법으로 제조된 Co2MnSi를 이용한 전자태크(RFID)
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.