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기판 상에 형성된 절연층;
상기 절연층 상에 이격되어 배치된 2개의 전극;
상기 2개의 전극을 연결하는 탄소나노튜브로 이루어진 채널;를 포함하며,
상기 2개의 전극이 동일한 금속이며,
상기 2개의 전극 중 어느 하나의 전극과 상기 채널의 접점에 상기 전극을 구성하는 금속에 비해 일함수(work function)가 낮은 금속 또는 이의 산화물이 존재하는 탄소나노튜브 쇼트키 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브의 표면에 융합된(fused) 방향족 탄화수소 고리를 포함하는 화합물이 존재하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 쇼트키 다이오드
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제 2 항에 있어서, 상기 융합된 방향족 탄화수소 고리를 포함하는 화합물이 1-파이렌메틸아민, 안트라센, 펜타센 및 코로닌로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 쇼트키 다이오드
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제 2 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브와 상기 융합된 방향족 탄화수소 고리를 포함하는 화합물 사이에 금속 이온이 삽입된 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 쇼트키 다이오드
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제 4 항에 있어서, 상기 금속 이온이 리튬 이온, 소듐 이온, 포타슘 이온 및 세슘 이온으로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 금속 이온인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 쇼트키 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 전극을 구성하는 금속에 비해 일함수가 낮은 금속이 리튬, 소듐, 포타슘, 및 세슘으로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 금속인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 쇼트키 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 전극을 구성하는 금속에 비해 일함수가 낮은 금속의 산화물이 리튬옥사이드, 소듐 옥사이드로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 쇼트키 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브가 반도체성질을 가지는 단일벽 탄소나노튜브로 이루어진 탄소나노튜브 쇼트키 다이오드
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일 표면에 절연층이 형성된 기판을 준비하는 단계;
상기 절연층의 표면에 탄소나노튜브로 이루어진 채널을 형성하는 단계;
상기 절연층의 표면에 상기 채널과 연결되도록 이격되어 배치되는 2개의 전극을 형성하는 단계;
상기 탄소나노튜브의 표면에 융합된 방향족 탄화수소 고리를 포함하는 화합물을 부착시키는 단계;
상기 탄소나노튜브와 융합된 방향족 탄화수소 고리를 포함하는 화합물 사이에 금속 이온을 주입하는 단계; 및
상기 2개의 전극 사이에 바이어스 전압를 가하는 단계;를 포함하는 탄소나노튜브 쇼트키 다이오드의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 융합된 방향족 탄화수소 고리를 포함하는 화합물이 1-파이렌메틸아민, 안트라센, 펜타센 및 코로닌으로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 쇼트키 다이오드의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 금속 이온이 상기 전극을 형성하는 금속에 비해 일함수(work function)가 낮은 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 쇼트키 다이오드의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 금속 이온이 리튬 이온, 소듐 이온, 포타슘 이온 및 세슘 이온으로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 금속 이온인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 쇼트키 다이오드의 제조 방법
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