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금속 나노 입자의 형성 방법 및 이를 이용한 플래시 메모리소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014054391
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 레이저나 전자빔을 사용하지 않고 간단한 방법으로 금속 나노 입자를 형성하는 방법, 그리고 추가로 게이트 산화막 형성 공정을 요하지 않는 플래시 메모리 소자의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 금속 나노 입자의 형성 방법은 기판 위에 금속 산화막을 형성하고 열처리 과정을 거쳐 금속 산화막의 환원으로부터 금속 나노 입자를 형성하는 방법으로, 산화막 안에 금속 나노 입자가 고르게 분산된 나노 입자층을 형성할 수 있다. 본 발명에 따른 플래시 메모리 소자의 제조 방법에서는 이렇게 형성한 나노 입자층을 패터닝함으로써, 금속 나노 입자 아래쪽의 산화막으로 된 터널링 산화막/금속 나노 입자로 된 플로팅 게이트/금속 나노 입자 위쪽의 산화막으로 된 게이트 산화막의 스택구조를 형성하고, 스택구조 양측의 기판 내에 소스 및 드레인을 형성한다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01)
CPC H01L 21/0223(2013.01) H01L 21/0223(2013.01) H01L 21/0223(2013.01) H01L 21/0223(2013.01) H01L 21/0223(2013.01)
출원번호/일자 1020070039746 (2007.04.24)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0876399-0000 (2008.12.22)
공개번호/일자 10-2008-0095378 (2008.10.29) 문서열기
공고번호/일자 (20081229) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.04.24)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 마포구
2 정재훈 대한민국 서울특별시 광진구
3 육종민 대한민국 충북 옥천군
4 이정용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 임승섭 대한민국 서울특별시 종로구 율곡로*길 *(수송동, 로얄팰리스스위트) ***호(특허법인임앤정)
2 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0308911-58
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0083599-19
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
4 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2008.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0262548-54
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0262544-72
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0436724-11
7 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2008.10.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0044711-38
8 등록결정서
Decision to grant		 2008.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0581123-59
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 금속 산화막을 형성하는 단계; 및열처리를 통해 상기 금속 산화막은 환원시켜 금속 나노 입자를 형성하는 동시에 상기 기판은 산화시킴으로써, 상기 금속 산화막과 상기 기판의 계면에 산화막을 형성하고 상기 산화막 안에 상기 금속 나노 입자가 분산된 나노 입자층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노 입자의 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속은 아연(Zn), 주석(Sn), 인듐(In), 구리(Cu), 바륨(Ba), 니켈(Ni), 지르코늄(Zr), 탄탈륨(Ta), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 망간(Mn) 및 이들의 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금속 나노 입자의 형성 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 열처리는 산소(O2) 분위기, 900℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 금속 나노 입자의 형성 방법
4 4
기판 상에 금속 산화막을 형성하는 단계;열처리를 통해 상기 금속 산화막은 환원시켜 금속 나노 입자를 형성하는 동시에 상기 기판은 산화시킴으로써,상기 금속 산화막과 상기 기판의 계면에 산화막을 형성하고 상기 산화막 안에 상기 금속 나노 입자가 분산된 나노 입자층을 형성하는 단계; 상기 나노 입자층 상의 잔류 금속 산화막을 제거하는 단계; 상기 나노 입자층을 패터닝함으로써, 상기 금속 나노 입자 아래쪽의 산화막으로 된 터널링 산화막/상기 금속 나노 입자로 된 플로팅 게이트/상기 금속 나노 입자 위쪽의 산화막으로 된 게이트 산화막의 스택구조를 형성하는 단계; 및상기 스택구조 양측의 상기 기판 내에 소스 및 드레인을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 금속은 아연(Zn), 주석(Sn), 인듐(In), 구리(Cu), 바륨(Ba), 니켈(Ni), 지르코늄(Zr), 탄탈륨(Ta), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 망간(Mn) 및 이들의 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조 방법
6 6
제4항에 있어서, 상기 열처리는 산소(O2) 분위기 900℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조 방법
7 7
제4항에 있어서, 상기 스택구조 상에 컨트롤 게이트, 상기 소스 및 드레인 상에 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.