맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

플래시 기억 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014054395
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플래시 기억 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따르면, 소스 영역 및 드레인 영역을 가지는 반도체 기판; 소스 영역 및 드레인 영역 사이의 중간 영역 상에 형성되는 비정질 무기물 박막; 비정질 무기물 박막의 내부에 분포하는 Zn2SiO4 나노 입자; 소스 영역 상에 형성된 소스 전극; 드레인 영역 상에 형성된 드레인 전극; 및 비정질 무기물 박막 상에 형성된 게이트 전극을 포함하는 플래시 기억 소자가 제공된다. 본 발명에 플래시 기억 소자에 의하면, 우수한 재현성 및 신뢰성, 제조 비용의 절감 및 생산성 향상이 가능하며, 디스크형 저장 장치는 물론 휴대폰, PMP 등의 휴대용 전자기기의 대용량, 고용량의 저장 장치로서도 활용이 가능한 효과가 있다.플래시 기억 소자, 플로팅 게이트, Zn2SiO4 나노 입자
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020070032567 (2007.04.02)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0805821-0000 (2008.02.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080221) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.04.02)
심사청구항수 13

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 마포구
2 정재훈 대한민국 서울특별시 광진구
3 육종민 대한민국 충청북도 옥천군
4 이정용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이경란 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0256237-39
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.11.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2007-0073481-24
4 등록결정서
Decision to grant		 2008.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0073421-23
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소스 영역 및 드레인 영역을 가지는 반도체 기판;상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 사이의 중간 영역 상에 형성되는 비정질 무기물 박막;상기 비정질 무기물 박막의 내부에 분포하는 Zn2SiO4 나노 입자;상기 소스 영역 상에 형성된 소스 전극;상기 드레인 영역 상에 형성된 드레인 전극; 및상기 비정질 무기물 박막 상에 형성된 게이트 전극을 포함하는 플래시 기억 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 비정질 무기물 박막은 a-Zn2XSi1-XO2 박막인 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 게이트 전극은 ZnO 전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 반도체 기판과 상기 비정질 무기물 박막의 사이에 터널 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자
5 5
제4항에 있어서,상기 터널 절연막은 SiO2막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자
6 6
(a) 반도체 기판 상에 아연 산화물 박막을 형성하는 단계;(b) 상기 반도체 기판 및 상기 아연 산화물 박막을 열처리하여 상기 반도체 기판과 상기 아연 산화물 박막 사이에 내부에 Zn2SiO4 나노 입자가 분포된 비정질 무기물 박막을 형성하는 단계;(c) 상기 반도체 기판의 양 측부에 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 단계; 및(d) 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 상에 각각 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 단계 (a)를 통해 상기 반도체 기판 상에 형성되는 상기 아연 산화물 박막은 ZnO 박막인 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
8 8
제6항에 있어서,상기 단계 (b)에서 형성되는 상기 비정질 무기물 박막은 a-Zn2XSi1-XO2 박막인 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
9 9
제6항에 있어서,상기 단계 (a)의 상기 반도체 기판은 실리콘 기판이되,상기 단계 (b)를 통해 상기 반도체 기판과 상기 비정질 무기물 박막의 사이에는 실리콘 산화막이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 실리콘 산화막은 SiO2막인 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
11 11
제6항에 있어서,상기 단계 (b)에서,상기 내부에 Zn2SiO4 나노 입자가 분포된 비정질 무기물 박막은 상기 열처리 공정에 의한 상기 반도체 기판 및 상기 아연 산화물 박막의 계면에서의 물질간 상호 확산에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
12 12
제6항에 있어서,상기 단계 (b)의 상기 열처리 공정은 N2 환경 하에 900℃에서 15분 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
13 13
제6항에 있어서,상기 단계 (b) 이후,(e) 상기 비정질 무기물 박막 상에 위치한 상기 아연 산화물 박막을 제거하는 단계; 및(f) 상기 아연 산화물 박막이 제거된 상기 비정질 무기물 박막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.