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웨이퍼 상에서 성장하여 형성된 질화 갈륨계 화합물 소자;상기 질화 갈륨계 화합물 소자에 소스, 드레인 및 게이트를 형성하는 접촉 패드;상기 질화 갈륨계 화합물 소자가 플립칩 본딩되는 모듈 기판;상기 모듈 기판상에 형성되는 본딩 패드; 및상기 질화 갈륨계 화합물 소자의 상기 접촉 패드와 상기 모듈 기판의 상기 본딩 패드가 본딩되어 상기 질화 갈륨계 화합물 소자와 상기 모듈 기판이 플립칩 본딩될 수 있도록 상기 모듈 기판의 상기 본딩 패드에 형성되는 범프;를 포함하되,상기 질화 갈륨계 화합물 소자는 엑티브 영역의 소스 또는 드레인에 서브 소스 접촉 패드 또는 서브 드레인 접촉 패드를 형성하는 것을 특징으로 하고, 상기 모듈 기판은 상기 서브 소스 접촉 패드 또는 서브 드레인 접촉 패드에 각각 대응되는 서브 소스 접촉 본딩 패드 또는 서브 드레인 접촉 본딩 패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 전력반도체 장치
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제1항에 있어서, 상기 질화 갈륨계 화합물 소자의 접촉 패드는,상기 모듈 기판상에 형성되는 상기 본딩 패드와 상하 대칭 또는 좌우 대칭 구조로 배치되는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 전력반도체 장치
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제1항에 있어서, 상기 범프는,상기 질화 갈륨계 화합물 소자의 공정 온도보다 낮은 온도에서 용융되는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 전력반도체 장치
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제1항에 있어서, 상기 모듈 기판은,상기 질화 갈륨계 화합물 소자에서 발생하는 열을 방열시키기 위하여, 상기 접촉 패드보다 작은 크기로 관통 비아를 형성하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 전력반도체 장치
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제6항에 있어서, 상기 모듈 기판은,상기 관통 비아를 통한 열이 하우징을 통해 방열되도록 상기 모듈 기판의 배면에 금속을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 전력반도체 장치
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웨이퍼 상에서 질화 갈륨계 화합물 소자를 성장시켜 소자층을 형성하는 단계;상기 질화 갈륨계 화합물 소자에 소스, 드레인 및 게이트를 형성하는 접촉 패드를 형성하는 단계;모듈 기판 상에 상기 형성된 접촉 패드와 대응되는 위치에 본딩 패드를 형성하는 단계; 및상기 모듈 기판의 상기 본딩 패드에 범프를 형성하고, 상기 형성된 범프에 의해 상기 질화 갈륨계 화합물 소자의 상기 접촉 패드와 상기 모듈 기판의 상기 본딩 패드를 본딩하여 상기 질화 갈륨계 화합물 소자와 상기 모듈 기판을 플립칩 본딩하는 단계;를 포함하되,상기 질화 갈륨계 화합물 소자는 엑티브 영역의 소스 또는 드레인에 서브 소스 접촉 패드 또는 서브 드레인 접촉 패드를 형성하는 것을 특징으로 하고,상기 모듈 기판은 상기 서브 소스 접촉 패드 또는 서브 드레인 접촉 패드에 각각 대응되는 서브 소스 접촉 본딩 패드 또는 서브 드레인 접촉 본딩 패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 전력반도체 장치의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 질화 갈륨계 화합물 소자의 접촉 패드는,상기 모듈 기판상에 형성되는 상기 본딩 패드와 상하 대칭 또는 좌우 대칭 구조로 배치되는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 전력반도체 장치의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 범프는,상기 질화 갈륨계 화합물 소자의 공정 온도보다 낮은 온도에서 용융되는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 전력반도체 장치의 제조 방법
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13
제8항에 있어서, 상기 모듈 기판은,상기 질화 갈륨계 화합물 소자에서 발생하는 열을 방열시키기 위하여, 상기 접촉 패드보다 작은 크기로 관통 비아를 형성하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 전력반도체 장치의 제조 방법
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14
제13항에 있어서, 상기 모듈 기판은,상기 관통 비아를 통한 열이 하우징을 통해 방열되도록 상기 모듈 기판의 배면에 금속을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 전력반도체 장치의 제조 방법
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