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나노소자 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014030879
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유전영동에 의하여 형성된 반도체 나노입자 브릿지에 의해 접합된 나노갭 전극들을 포함하는 나노소자, 및 그의 제조 방법 및 용도에 관한 것으로서, 상기 나노소자는 광학센서, 광전자센서, 가스센서, 태양전지 등 다양한 전기 전자 분야에 응용될 수 있다. 나노갭 전극, 반도체 나노입자, 광학센서
Int. CL B82B 3/00 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01)
출원번호/일자 1020090075993 (2009.08.18)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1090486-0000 (2011.11.30)
공개번호/일자 10-2011-0018502 (2011.02.24) 문서열기
공고번호/일자 (20111206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.18)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김길호 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 쿰바 산지브 인도 경기 수원시 장안구
3 서영교 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0502450-87
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0088948-69
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.02.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0023093-34
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0168881-00
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0404165-51
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0450604-16
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0450605-62
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0701082-40
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 단계들을 포함하는, 나노소자의 제조 방법: 기판을 준비하고, 상기 기판 상에 20 nm 내지 110 nm 의 나노갭으로 분리된 2개 이상의 전극들을 패터닝하고, 반도체 나노입자를 포함하는 현탁액을 상기 전극들 주변에 제공하고, 상기 전극들 사이에 AC 필드(field)를 인가함으로써 유전 영동에 의하여 상기 현탁액 중 반도체 나노입자를 상기 전극들 간의 나노갭에 정렬시켜 나노입자 브릿지(bridge)를 형성함
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 나노입자는 산화물 반도체인, 나노소자의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 나노갭 전극을 패터닝하는 것은 리소그래피를 이용하여 수행되는 것인, 나노소자의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 반도체 또는 절연체인, 나노소자의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 기판 상에 나노갭 전극을 패터닝하는 것은 2개의 전극이 나노갭으로 분리되어 대향된 전극쌍을 하나 이상 패터닝하는 것을 포함하는, 나노소자의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 전극들 사이에 인가되는 AC 필드의 주파수는 50 kHz 내지 1 MHz인, 나노소자의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 전극들 사이에 인가되는 AC 필드의 전압은 1 V 내지 4 V인, 나노소자의 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 전극들 사이에 AC 필드의 인가 시간은 30 초 내지 90 초인, 나노소자의 제조 방법
9 9
삭제
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 기판 상에 전극들을 형성하기 전에 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 것을 추가 포함하는, 나노소자의 제조 방법
11 11
하기를 포함하는, 나노소자: 기판, 상기 기판 상에 20 nm 내지 110 nm 의 나노갭으로 분리되어 패터닝된 2개 이상의 전극들, 및 유전 영동에 의하여 상기 전극들 간의 나노갭에 반도체 나노입자를 정렬시켜 형성되는 반도체 나노입자 브릿지
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 반도체 나노입자는 산화물 반도체인, 나노소자
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 기판은 반도체 또는 절연체인, 나노소자
14 14
제 11 항에 있어서, 상기 전극들은 2개의 전극이 나노갭으로 분리되어 대향된 전극쌍이 하나 이상 패터닝되어 있는 것인, 나노소자
15 15
삭제
16 16
제 11 항에 있어서, 상기 기판과 상기 전극 사이에 버퍼층을 추가 포함하는, 나노소자
17 17
제 11 항에 따른 나노소자를 포함하는, 광전자 센서
18 18
제 11 항에 따른 나노소자를 포함하는, 광학 센서
19 19
제 11 항에 따른 나노소자를 포함하는, 가스 센서
20 20
제 11 항에 따른 나노소자를 포함하는, 태양 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학부 성균관대학교 국가지정연구실 사업 양자암호를 이용한 보안통신 기술