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액상 증착 기술을 이용한 나노구조체의 제조방법 및 그에의해 제조된 나노구조체

  • 기술번호 : KST2015144331
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 액상 증착 기술을 이용한 나노구조체의 제조방법 및 그에 의해 제조된 나노구조체에 관한 것으로, 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 나노미터 크기의 구형물질을 단층으로 형성하는 단계, 상기 구형물질을 부분적으로 식각하는 단계, 상기 식각된 구형물질을 마스크로 상기 기판 상에 금속층을 증착하는 단계, 상기 구형물질을 제거하여 상기 기판을 부분적으로 노출하는 나노 홀을 형성하는 단계, 상기 나노 홀 상에 저온 LPD(Liquid Phase Deposition)로 선택적으로 나노 점을 형성하는 단계 및 상기 금속층을 제거하는 단계를 포함하는 구성을 마련한다. 상기와 같은 액상 증착 기술을 이용한 나노구조체의 제조방법 및 그에 의해 제조된 나노구조체를 이용하는 것에 의해, 나노미터 규격의 폴리머 입자를 원래의 크기보다 줄어들도록 식각하고, 액상 증착 기술을 이용하여 나노 점을 선택적으로 균일하게 성장시킬 수 있다. 나노 홀, 나노 점, LPD, 폴리스티렌
Int. CL B82B 1/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020080040401 (2008.04.30)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0987331-0000 (2010.10.06)
공개번호/일자 10-2009-0114653 (2009.11.04) 문서열기
공고번호/일자 (20101013) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.30)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경섭 대한민국 대구광역시 수성구
2 노용한 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0312308-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.01.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2010-0007732-02
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0135004-99
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0291031-90
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.05.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0291035-72
7 등록결정서
Decision to grant		 2010.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0435891-18
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 구형물질을 단층으로 형성하는 단계; 상기 구형물질을 부분적으로 식각하는 단계; 상기 식각된 구형물질을 마스크로 상기 기판 상에 금속층을 증착하는 단계; 상기 구형물질을 제거하여 상기 기판을 부분적으로 노출하는 나노 홀을 형성하는 단계; 상기 나노 홀 상에 저온 LPD(Liquid Phase Deposition)로 선택적으로 나노 점을 형성하는 단계; 및 상기 금속층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 나노 점은 침적된 과포화 H2SiF6 용액에 H3BO3을 주입하여 형성되는 것을 특징으로 하는 나노구조체의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 나노 점은 H2SiF6의 과포화농도, H3BO3의 농도 및 공정 온도에 따라 증착 속도가 달라지는 것을 특징으로 하는 나노구조체의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 저온 LPD 공정은 상온 내지 50℃에서 수행되는 것을 특징으로 나노구조체의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 나노 점은 실리콘 옥사이드로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노구조체의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 구형물질은 폴리스티렌 비드(Polystyrene bead)인 것을 특징으로 하는 나노구조체의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 구형물질은 플라즈마 애싱공정에 의하여 부분적으로 식각되는 것을 특징으로 하는 나노구조체의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서, 부분적으로 식각된 상기 구형물질의 크기는 1nm 내지 50nm의 사이인 것을 특징으로 하는 나노 점의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 구형물질은 상기 금속층보다 돌출된 오버행(overhang) 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 나노구조체의 제조방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 금속층은 질산:염산의 부피비가 1:3인 왕수(aqua regia)를 이용하여 제거되는 것을 특징으로 하는 나노구조체의 제조방법
11 11
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 나노구조체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.