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반도체 소자 3차원 패키지용 관통 전극 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014034710
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자 집적을 위한 3차원 패키지용 관통 전극 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게, 복수개의 반도체 기판이 정렬된 후, 한 번의 용융 금속부 형성 공정을 통해 복수개의 반도체 기판을 기계적으로 접합할 수 있어 생산성을 향상할 수 있으며, 모든 층을 전기적으로 접속하여 전기전도도가 매우 높고 전기적 신호 지연이 최소화할 수 있는 반도체 소자 3차원 패키지용 관통 전극 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 23/045 (2006.01) H01L 23/48 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110002649 (2011.01.11)
출원인 한국기계연구원, 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1071993-0000 (2011.10.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20111011) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.11)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재학 대한민국 대전광역시 유성구
2 이창우 대한민국 대전광역시 서구
3 유세훈 대한민국 인천광역시 연수구
4 이창우 대한민국 경기도 안양시 동안구
5 송준엽 대한민국 대전광역시 서구
6 하태호 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0021662-14
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0021978-25
3 우선심사신청관련 서류제출서
Submission of Document Related to Request for Accelerated Examination		 2011.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0127987-99
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.03.28 수리 (Accepted) 9-1-2011-0028288-02
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0173431-96
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0385824-40
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0385832-16
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0411379-25
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0608914-71
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0608922-36
14 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0539987-32
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
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번호 청구항
1 1
관통 비아 홀(101)(via hole)이 형성된 반도체 기판(100)을 형성하는 반도체 기판(100) 형성 단계(S10); 상기 반도체 기판(100)의 비아 홀(101)이 서로 연통되도록 복수개 적층하여 정렬하는 반도체 기판(100) 정렬 단계(S20) 상기 복수개 반도체 기판(100)의 비아 홀(101) 전체에 절연막(210)을 형성하는 절연막(210) 형성 단계(S41); 상기 절연막(210)의 상측에 확산방지막(230)(diffusion barrier)을 형성하는 확산방지막(230) 형성 단계(S43); 상기 확산방지막(230)의 상측에 솔더 젖음층(220)을 형성하는 솔더 젖음층(220) 형성 단계(S42); 및상기 복수개 반도체 기판(100)의 비아 홀(101) 전체에 용융 금속부(300)를 형성하는 용융 금속부(300) 형성 단계(S30); 를 포함하는 관통 전극(1000)의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 반도체 기판(100) 정렬 단계(S20)는 상기 반도체 기판(100)의 부착면을 친수성 표면을 갖도록 표면 처리하는 표면 처리 단계(S21); 및 상기 반도체 기판(100)에 수분을 분사한 후, 반도체 기판(100)이 자가정렬되도록 상기 반도체 기판(100)을 접촉하는 반도체 기판(100) 접촉 단계(S22); 를 포함하는 것을 특징으로 하는 관통 전극(1000)의 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 표면 처리 단계(S21)는 플라즈마 처리인 것을 특징으로 하는 관통 전극(1000)의 제조 방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제1항 내지 제3항에서 선택된 어느 한 항의 제조방법으로 제조되되, 관통 비아 홀(101)(via hole)이 형성되며, 상기 비아 홀(101)이 서로 연통되도록 복수개 적층되는 반도체 기판(100); 상기 복수개 반도체 기판(100)의 비아 홀(101) 전체에 형성된 절연막(210); 상기 절연막(210)의 상측에 형성된 확산방지막(230)(diffusion barrier); 상기 확산방지막(230)의 상측에 형성된 솔더 젖음층(220); 상기 복수개 반도체 기판(100)의 비아 홀(101) 전체에 형성된 용융 금속부(300)를 포함하는 관통 전극
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 산업기술연구회-협동연구사업 차세대 반도체 MCP 핵심기술개발