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높은 에칭 팩터를 갖는 미세 배선 패턴이 형성된 인쇄 회로 기판 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014034725
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 배선 패턴 형성 시 높은 에칭 팩터(High Etching Factor)를 구현할 수 있는 인쇄 회로 기판 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 인쇄 회로 기판 제조 방법은 (a) 전해 동도금 공정을 이용하여 절연 기판 상부에 제1동박층을 형성하는 단계; (b) 상기 제1동박층에 인장력을 인가하면서 상기 제1동박층을 열처리하여 상기 제1동박층의 잔류응력(Residual Stress)을 상쇄시키는 단계; (c) 건조공정을 통하여 상기 제1동박층에 포함된 수분을 제거하는 단계; (d) 드릴 공정을 이용하여 상기 절연 기판에 비아 홀(Via Hall)을 형성하는 단계; (e) 무전해 동도금 공정을 이용하여 상기 제1동박층의 표면 및 상기 비아 홀의 내부에 제2동박층을 형성하는 단계; (f) 상기 제2동박층에 인장력을 인가하면서 상기 제2동박층을 열처리하여 상기 제2동박층의 잔류응력을 상쇄하는 단계; 및 (g) 상기 제 2 동박층 및 제 1 동박층을 식각하여 미세 배선 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H05K 3/42 (2006.01) H05K 3/18 (2006.01)
CPC H05K 3/188(2013.01) H05K 3/188(2013.01) H05K 3/188(2013.01)
출원번호/일자 1020100039440 (2010.04.28)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1081824-0000 (2011.11.03)
공개번호/일자 10-2011-0119980 (2011.11.03) 문서열기
공고번호/일자 (20111109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이효수 대한민국 인천광역시 연수구
2 권혁천 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0275206-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0268552-17
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0519504-00
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0519502-19
6 등록결정서
Decision to grant
2011.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0635337-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 전해 동도금 공정을 이용하여 절연 기판 상부에 제1동박층을 형성하는 단계;(b) 상기 제1동박층에 인장력을 인가하면서 상기 제1동박층을 열처리하여 상기 제1동박층의 잔류응력(Residual Stress)을 상쇄시키는 단계;(c) 건조공정을 통하여 상기 제1동박층에 포함된 수분을 제거하는 단계;(d) 드릴 공정을 이용하여 상기 절연 기판에 비아 홀(Via Hall)을 형성하는 단계;(e) 무전해 동도금 공정을 이용하여 상기 제1동박층의 표면 및 상기 비아 홀의 내부에 제2동박층을 형성하는 단계;(f) 상기 제2동박층에 인장력을 인가하면서 상기 제2동박층을 열처리하여 상기 제2동박층의 잔류응력을 상쇄시키는 단계; 및(g) 상기 제 2 동박층 및 제 1 동박층을 식각하여 배선 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄 회로 기판 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서는 상기 제1동박층의 잔류응력이 -10MPa ~ 10MPa가 되도록 상기 제1동박층에 인장력을 인가하고, 상기 (f) 단계에서는 상기 제2동박층의 잔류응력이 -10MPa ~ 10MPa가 되도록 상기 제2동박층에 인장력을 인가하는 것을 특징으로 하는 인쇄 회로 기판 제조 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 (b) 단계 및 상기 (f) 단계에서, 열처리는 100℃ ~ 250℃의 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 인쇄 회로 기판 제조 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 (b) 단계 및 상기 (f) 단계는 1 ~ 10회 실시하는 것을 특징으로 하는 인쇄 회로 기판 제조 방법
5 5
제2항에 있어서,상기 (b) 단계에서는 상기 제1동박층에 100MPa ~ 180MPa의 인장력을 인가하고,상기 (f) 단계에서는 상기 제2동박층에 100MPa ~ 180MPa의 인장력을 인가하는 것을 특징으로 하는 인쇄 회로 기판 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 (a) 단계는 동(Cu) 농도가 1
7 7
제6항에 있어서,상기 산성 동도금액은 전체 부피의 1/2 용량 이상에 대하여 활성탄 처리가 된 것을 특징으로 하는 인쇄 회로 기판 제조 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 (g) 단계에 의하여 형성되는 배선 패턴은 하기 식에 의해 결정되는 에칭 팩터(Etching Factor)가 2
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국생산기술연구원 차세대 IT 산업용 Defect Controlled 배선소재기술개발 초고주파 모바일 패키지용 다기능성 배선소재기술개발