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기판에 회로 패턴을 형성시키는 회로 제조방법에 있어서,
상기 기판의 면에 일정 열에 의해 상변화 되는 비정질(Amorphouse) 상태의 나노 상변화 물질을 코팅시키고, 상기 나노 상변화 코팅층에 집광된 레이저를 이용하여 일정온도 범위의 열을 가함에 따라 도전성 결정질(Crystalline)로 상변화 되어 형성하고자 하는 회로 패턴을 형성시키고,
상기 레이저에 의해 형성된 회로 패턴에 도전성 패드를 더 형성하여 상기 회로 패턴과 다른 도전성 물질과의 전기적 접속력을 향상시키며,
상기 도전성 패드는,
상기 나노 상변화 코팅층 상에 금속 나노입자 잉크를 인쇄하고, 상기 금속 나노입자 잉크에 레이저 광을 조사하여 형성시키되,
상기 레이저의 광을 회로 패턴 형성 시보다 크게 집광시키는 패드렌즈를 이용하여 조사됨에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 회로 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 금속 나노입자 잉크는 이멀젼(emulsion) 상태의 금(Au), 은(Ag) 및 구리(Cu) 중 선택된 어느 하나 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 회로 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 회로 패턴이 형성된 나노 상변화 코팅층의 상측에 적어도 하나 이상의 나노 상변화 코팅층이 더 형성되고, 상기 각 나노 상변화 코팅층에는 레이저에 의해 회로 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 회로 제조방법
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제6항에 있어서,
상기 각 나노 상변화 코팅층의 회로 패턴은 전기적으로 분리되거나 연결될 수 있고, 연결 시 상기 레이저의 조사시간을 조절하여 나노 상변화 코팅층의 상변화되는 깊이가 조절되어 하측에 형성된 다른 나노 상변화 코팅층의 회로 패턴과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 회로 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 나노 상변화 물질은,
Ge-Te, Sb2Te3, GeSeTe2, AgSbTe2, Sb-Se, Ag-In-Sb-Te 및 기타의 Sb-Te 계 칼코겐 화합물(chalcogenide)이거나 GeSb 화합물 중 선택된 어느 하나 이상 사용되고,
이멀젼(emulsion) 상태로 제작되어 스핀코팅(spin coating), 잉크젯, 롤투롤 인쇄, 스프레이 코팅(spray coating) 중 어느 하나의 방법으로 코팅되되,
얇은 박막 형태이거나 나노입자나 나노와이어 등의 초미세입자가 정렬 또는 적층된 형태로 코팅되는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 회로 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 나노 상변화 물질은,
Ge-Te, Sb2Te3, GeSeTe2, AgSbTe2, Sb-Se, Ag-In-Sb-Te 및 기타의 Sb-Te 계 칼코겐 화합물(chalcogenide)이거나 GeSb 화합물 중 선택된 어느 하나 이상 사용되고,
화학 증착법(CVD: chemical vapor deposition technique)이나 스퍼터링(sputtering) 중 선택된 어느 하나의 방법으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 회로 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 나노 상변화 코팅층은 상기 결정질(Crystalline)로 상변화 되는 일정온도 범위 이상의 열을 가할 경우, 비정질(Amorphouse) 상태로 상변화 되는 것으로,
상기 기판을 폐기하거나 수정할 경우, 레이저 등을 이용하여 일정온도 범위 이상의 열을 가하여 나노 상변화 물질 코팅층의 회로 패턴을 비정질(Amorphouse) 상태로 리셋(reset)시켜 재활용되는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 회로 제조방법
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