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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 수분해 전극을 형성하는 단계;하부 봉지막을 준비하는 단계;상기 수분해 전극이 형성된 기판을 상기 하부 봉지막으로 전사하는 단계; 및상기 하부 봉지막 및 상기 기판의 상에 상부 봉지막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하고,염기성 조건에서 물리적으로 분해되는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전사하는 단계는 상기 수분해 전극이 형성된 기판 및 상기 하부 봉지막을 열압착 시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 제조방법
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제3항에 있어서,상기 수분해 전극이 형성된 기판 및 상기 하부 봉지막을 열압착 시키는 단계는10KPa 내지 1MPa의 압력 범위 및 100℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 수용성 소재를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 제조방법
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제5항에 있어서,상기 수용성 소재는 수용성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 제조방법
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제5항에 있어서,상기 수용성 소재는 폴리바이닐알콜, 폴리아크릴아마이드, 폴리바이닐피롤리돈, 키토산, 셀룰로오스, 전분, 실크피브로인 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 제조방법
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제1항에 있어서,상기 수분해 전극은 마그네슘(Mg), 텅스텐(W), 철(Fe), 아연(Zn), 몰리브덴(Mo) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 제조방법
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제1항에 있어서,상기 하부 봉지막을 준비하는 단계는 압출, 캘린더, 침지, 블라스팅, 스프레드 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나의 공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 제조방법
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제1항에 있어서,상기 상부 봉지막을 형성하는 단계는 압출, 캘린더, 침지, 블라스팅, 스프레드 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나의 공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 하부 봉지막 및 상기 상부 봉지막은 다이올-코-시트르산을 단량체로 하는 고분자, 셀룰로오스, 키토산, 폴리바이닐 아세테이트, 폴리락틱-코-글라이콜레이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 제조방법
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제11항에 있어서상기 다이올-코-시트르산을 단량체로 하는 고분자는 폴리(1,8-옥탄다이올-코-시레이트)를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 제조방법
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제1항에 있어서,상기 하부 봉지막 및 상기 상부 봉지막은 염기성 조건에서 화학적 분해되는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 제조방법
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제1항의 방법으로 제조되는 인쇄회로기판
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하부 봉지막;상기 하부 봉지막 상에 위치하는 수분해 전극;상기 수분해 전극 상에 위치하는 기판; 및상기 하부 봉지막 및 상기 기판의 상에 위치하는 상부 봉지막;을 포함하고, 염기성 조건에서 물리적 분해되는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판
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제15항에 있어서,상기 물리적 분해는 박리를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판
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제 15항에 있어서,상기 하부 봉지막 및 상기 상부 봉지막은 염기성 조건에서 화학적 분해 되는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판
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제15항에 있어서,상기 하부 봉지막 및 상기 상부 봉지막은 다이올-코-시트르산을 단량체로 하는 고분자, 셀룰로오스, 키토산, 폴리바이닐 아세테이트, 폴리락틱-코-글라이콜레이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판
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제18항에 있어서상기 다이올-코-시트르산을 단량체로 하는 고분자는 폴리(1,8-옥탄다이올-코-시레이트)를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판
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제15항의 인쇄회로기판을 포함하는 전자회로소자
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