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(a) 탄소나노튜브(CNT)를 산 처리한 후, 용매에 분산시켜서 아실화된 탄소나노튜브(CNT-COCl) 용액을 제조하는 단계;
(b) 상기의 아실화된 탄소나노튜브 용액을 고체 기판에 도포하여 고체기판 상단에 탄소나노튜브층이 적층된 탄소나노튜브/고체기판을 제조하는 단계;
(c) 상기의 탄소나노튜브/고체기판에 폴리우레탄 필름을 상온 압착 도포(pressing)하여 고체기판 상단에 탄소나노튜브층과 폴리우레탄층이 순차적으로 적층된 폴리우레탄/탄소나노튜브/고체기판을 제조하는 단계; 및
(d) 상기의 폴리우레탄/탄소나노튜브/고체기판에서 탄소나노튜브층 상단에 폴리우레탄층이 적층된 폴리우레탄/탄소나노튜브층을 탈착하는 단계;
를 포함하는 전도성 투명 필름 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기의 탄소나노튜브(CNT)는 단일벽 탄소나노튜브(SWCNT), 이중벽 탄소나노튜브(DWCNT) 또는 다중벽 탄소나노튜브(MWCNT) 중에서 어느 하나가 선택되는 것을 특징으로 하는 전도성 투명 필름 제조방법
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3
제 1 항에 있어서, 상기의 용매는 극성 용매인 것을 특징으로 하는 전도성 투명 필름 제조방법
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제 3 항에 있어서, 상기의 극성 용매는 N-methyl-2-pyrrolidone(NMP), dimethylformamide(DMF), dimethylsulfoxide(DMSO), dimethyl acetamide(DMAc), chlorobenzene, isopropanol, methanol, ethanol, 증류수 중에서 어느 하나가 선택되는 것을 특징으로 하는 전도성 투명 필름 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기의 고체 기판은 1차 또는 2차 아민을 포함한 실란 커플링제로 처리된 것을 특징으로 하는 전도성 투명 필름 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기의 고체 기판은 유리 기판, 석영 기판, 실리콘 웨이퍼(wafer), silica 기판, 히드록실(-OH) 그룹을 갖는 고분자 필름 중에서 어느 하나를 선택하는 것을 특징으로 하는 전도성 투명 필름 제조방법
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7
제 5 항에 있어서, 상기의 실란 커플링제는 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethyoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane 중에서 어느 하나를 선택하는 것을 특징으로 하는 전도성 투명 필름 제조방법
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8
제 1 항에 있어서, 상기의 (b) 단계의 도포는 25 ~ 200 ℃에서 0
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제 1 항에 있어서, 상기의 (c) 단계의 용액 도포에서 사용하는 폴리우레탄은 1차 또는 2차 아민을 포함하는 폴리우레탄 수지로서, 수평균분자량(number-average molecular weight)은 10,000 ~ 200,000 g/mol이고, NCO 그룹/OH 그룹 의 비율은 1 ~ 3 인 것을 특징으로 하는 전도성 투명 필름 제조방법
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10
삭제
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제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 하나의 항에 기재된 방법으로 제조된 전도성 투명 필름
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