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인듐 아세테이트(Indium acetate), 아연 아세테이트(zinc acetate) 및 트리스트리메티실릴 포스핀(tristrimethylsilyphosphine)을 반응시켜 합성한 InZnP 양자점을 포함하고,상기 InZnP 양자점은 망간으로 도핑되어 광학 효율을 증가시킨 것을 특징으로 하는 망간 도핑된 InZnP 양자점
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제1항에 있어서,상기 InZnP 양자점에 대한 망간의 도핑비율은 0
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제1항에 있어서, 상기 망간 도핑된 InZnP 양자점은 도핑전 InZnP 양자점 보다 스트로크 시프트(stokes shift)가 넓은 것을 특징으로 하는 망간 도핑된 InZnP 양자점
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제1항에 있어서,상기 망간 도핑된 InZnP 양자점은 도핑전 InZnP에 비하여 포토루미네선스 피크(Photoluminescence Peak) 파장이 길어진 것을 특징으로 하는 망간 도핑된 InZnP 양자점
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제1항에 있어서,상기 망간 도핑된 InZnP 양자점은 도핑전 InZnP 양자점 보다 반치폭(FWHM)이 감소한 것을 특징으로 하는 망간 도핑된 InZnP 양자점
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제1항에 있어서,상기 InZnP 양자점은,상기 인듐 아세테이트 및 상기 아연 아세테이트를 반응기에 넣고 가열하고,상기 트리스트리메티실릴 포스핀과 1-옥타데센(1-octadecene) 혼합물을 상기 반응기에 주입하여 합성하는 것을 특징으로 하는 망간 도핑된 InZnP 양자점
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제1항에 있어서,상기 망간 도핑된 InZnP 양자점은,상기 합성한 InZnP 양자점에 원-포트 반응(one pot reaction)으로 올레산 망간을 주입하고 온도를 점진적으로 증가시킨 후 소정의 시간동안 유지시켜 망간으로 도핑된 InZnP의 합성 재현성을 높인 것을 특징으로 하는 망간 도핑된 InZnP 양자점
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인듐 아세테이트(Indium acetate), 아연 아세테이트(zinc acetate) 및 트리스트리메티실릴 포스핀(tristrimethylsilyphosphine)을 반응시켜 InZnP 양자점을 합성하는 단계; 및상기 InZnP 양자점을 망간으로 도핑하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 망간 도핑된 InZnP 양자점 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 InZnP 양자점을 합성하는 단계는,상기 인듐 아세테이트 및 상기 아연 아세테이트를 반응기에 넣고 가열하는 단계; 및상기 트리스트리메티실릴 포스핀과 1-옥타데센(1-octadecene) 혼합물을 상기 반응기에 주입하여 합성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 망간 도핑된 InZnP 양자점 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 InZnP 양자점을 합성하는 단계는, 상기 인듐 아세테이트 및 상기 아연 아세테이트 및 올레산(oleic acid)을 반응기에 넣고 진공 조건에서 가열하는 단계;상기 반응기에 1-옥타데센을 주입하고 가열하는 단계;상기 반응기를 질소 분위기로 전환한 후 가열하는 단계; 및상기 트리스트리메티실릴 포스핀과 1-옥타데센 혼합물을 상기 반응기에 주입하여 합성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 망간 도핑된 InZnP 양자점 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 InZnP 양자점을 망간으로 도핑하는 단계는,상기 합성한 InZnP 양자점에 원-포트 반응(one pot reaction)으로 올레산 망간을 주입하는 단계; 및온도 조건을 달리하여 상기 망간 도핑의 합성 재현성을 증가시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 망간 도핑된 InZnP 양자점 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 InZnP 양자점을 망간으로 도핑하는 단계에서 온도 조건은,온도를 점진적으로 증가시킨 후 소정의 시간 동안 온도를 유지하는 것을 특징으로 하는 망간 도핑된 InZnP 양자점 제조 방법
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