맞춤기술찾기

이전대상기술

마이크로 가스센서 어레이

  • 기술번호 : KST2014035176
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 마이크로 가스센서 어레이가 개시된다. 일 실시예에 따른 마이크로 가스센서 어레이는 기판 상면의 제1 멤브레인 상에 형성되는 제1 마이크로 히터 어레이 그룹과 상기 제1 마이크로 히터 어레이 그룹과 이웃하는 제2 마이크로 히터 어레이 그룹과, 제1 마이크로 히터 어레이 그룹과 제2 마이크로 히터 어레이 그룹을 열적으로 분리시키는 제2 멤브레인 및 마이크로 히터 어레이 그룹 상부에 형성된 감지전극을 포함한다. 일 실시예에 따르면 가스센서 어레이 소자의 크기의 소형화, 구동 소비전력 절감, 열적 안정성, 신뢰성, 구조적인 안정성 등을 향상시킬 수 있다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01) G01N 27/02 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100024505 (2010.03.19)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1135400-0000 (2012.04.04)
공개번호/일자 10-2011-0105409 (2011.09.27) 문서열기
공고번호/일자 (20120417) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.19)
심사청구항수 19

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박광범 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 김성동 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 박준식 대한민국 경기도 군포시 고산로***번길 **, 백두아파트 *

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)
2 노철호 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0174124-71
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.03.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0184677-86
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.09.10 수리 (Accepted) 9-1-2010-0055156-72
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0684329-88
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견] 의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0058640-00
7 [명세서등 보정] 보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.01.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0058636-16
8 등록결정서
Decision to grant
2012.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0191361-44
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판의 상면에 상호 일정한 간격으로 이격되어 형성되는 복수의 제1 멤브레인(membrane);상기 제1 멤브레인 상에 형성되는 복수개의 마이크로 히터; 상기 마이크로 히터와 각각 연결되어 상기 마이크로 히터를 개별적으로 구동시키는 복수개의 마이크로 히터 전극 및 상기 마이크로 히터 전극들이 연결된 마이크로 히터 공통전극을 포함하는 제1 마이크로 히터 어레이;상기 제1 마이크로 히터 어레이와 동일한 구성을 갖는 것으로, 상기 제1 마이크로 히터 어레이와 이웃하여 배치되는 제2 마이크로 히터 어레이;상기 기판의 상면에 형성되어 상기 제1 마이크로 히터 어레이와 상기 제2 마이크로 히터 어레이를 열적으로 분리시키는 제2 멤브레인;상기 제1 및 제2 마이크로 히터 어레이를 감싸며 상기 기판 상부에 형성된 절연층; 및상기 절연층 상부에 형성되는 빗살무늬 형태의 감지전극을 포함하는 감지전극 어레이를 포함하는 마이크로 가스센서 어레이
2 2
제1항에 있어서, 상기 마이크로 히터 전극은일단이 상기 마이크로 히터의 제1 모서리측에 연결되고 타단이 상기 마이크로 히터 공통전극과 연결되는 제1 마이크로 히터전극; 및 일단이 상기 마이크로 히터의 제1 모서리측과 대각선 방향의 제2 모서리 측에 연결되고 타단이 전원이 인가되는 전극패드에 연결된 제2 마이크로 히터전극을 포함하는 것인 마이크로 가스센서 어레이
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 멤브레인은상기 마이크로 히터에서 외부로 전달되는 열을 차단하는 것인 마이크로 가스센서 어레이
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 멤브레인 및 제2 멤브레인은실리콘 질화막(Si3N4), 실리콘 산화질화막(SiON) 또는 실리콘 산화막(SiO2)과 상기 실리콘 산화막(SiO2) 상부에 형성되는 실리콘 질화막(SiNx)의 적층박막 중 어느 하나로 형성되는 것인 마이크로 가스센서 어레이
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 멤브레인 및 제2 멤브레인은 두께가 1~2㎛ 인 것인 마이크로 가스센서 어레이
6 6
제2항에 있어서, 상기 마이크로 히터 및 상기 마이크로 히터 전극이 연결되어 구성되는 마이크로 히터 패턴은, 상기 제1 마이크로 히터전극 및 상기 제2 마이크로 히터전극과 연결되는 제1 히터그룹과, 상기 제1 히터그룹 사이에 형성되어 상기 제1 히터그룹보다 선폭이 넓은 제2 히터그룹을 포함하는 것인 마이크로 가스센서 어레이
7 7
제6항에 있어서, 상기 마이크로 히터 패턴은,상기 제1 히터그룹의 선폭(b), 상기 제2 히터그룹의 선폭(a), 상기 마이크로 히터 길이(d) 및 상기 마이크로 히터의 선폭 간의 간격(c) 사이에2〈 a/b〈6,6〈 d/b〈12,1㎛〈 c〈10㎛의 구조적인 관계를 가지는 것인 마이크로 가스센서 어레이
8 8
제7항에 있어서, 상기 감지전극은 상기 마이크로 히터의 길이방향과 동일한 방향으로 배치되고,상기 감지전극의 선폭은 상기 제1 히터그룹의 선폭 보다 좁은 것인 마이크로 가스센서 어레이
9 9
제6항에 있어서, 상기 마이크로 히터는 백금(Pt) 박막인 것인 마이크로 가스센서 어레이
10 10
제9항에 있어서, 상기 백금박막의 두께는 50nm 내지 300nm인 것인 마이크로 가스센서 어레이
11 11
제9항에 있어서,상기 백금박막과 상기 제1 멤브레인 사이에 형성된 제1 접합층을 더 포함하는 마이크로 가스센서 어레이
12 12
제11항에 있어서, 상기 제1 접합층은탄탈(Ta)층 또는 산화탄탈(Ta2O5) 층 중 어느 하나인 것인 마이크로 가스센서 어레이
13 13
제1항에 있어서, 상기 절연층은실리콘 산화막(SiO2)으로 형성되는 것인 마이크로 가스센서 어레이
14 14
제1항에 있어서, 상기 절연층은실리콘 산화막(SiO2)층과 상기 실리콘 산화막(SiO2)층 상부에 형성되는 실리콘 질화막(Si3N4)층으로 형성되는 2층의 적층구조인 것인 마이크로 가스센서 어레이
15 15
제14항에 있어서,상기 실리콘 산화막(SiO2)층과 실리콘 질화막(Si3N4)층의 두께비율은 1:1인 것인 마이크로 가스센서 어레이
16 16
제1항에 있어서, 상기 절연층은실리콘 산화막(SiO2)층, 상기 실리콘 산화막(SiO2)층 상부에 형성되는 실리콘 질화막(Si3N4)층 및 상기 실리콘 질화막(Si3N4)층 상부에 형성되는 실리콘 산화막(SiO2)층으로 형성되는 3층의 적층구조인 것인 마이크로 가스센서 어레이
17 17
제16항에 있어서, 상기 절연층은실리콘 산화막(SiO2)층, 상기 실리콘 질화막(Si3N4)층 및 상기 실리콘 산화막(SiO2)층의 두께비율은 2:1:1 또는 1:2:1인 것인 마이크로 가스센서 어레이
18 18
제1항에 있어서,상기 절연층과 상기 마이크로 히터 사이에 티타늄(Ti) 또는 탄탈(Ta) 중 어느 하나로 구성되는 제2 접합층을 더 포함하는 것인 마이크로 가스센서 어레이
19 19
제1항에 있어서,상기 절연층의 두께는 0
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2011115321 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2011115321 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 전자부품연구원 IT 원천기술개발사업 나노선/나노튜브를 이용한 환경 검지 경보 시스템