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모재 기판 위에 희생층을 형성하는 단계;상기 희생층 위에 활성층, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 활성층, 소오스 전극 및 드레인 전극의 위에 블렉서블 지지기판을 형성하는 단계;상기 모재 기판에 레이저를 조사하여 레이저 리프트 공정을 통해 상기 모재 기판과 희생층 사이를 박리하는 단계; 및상기 박리한 희생층 박리면에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 희생층은 절연층으로 동작하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 탑 게이트 트랜지스터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 플렉서블 지지기판은 폴리머 수지이며, 상기 폴리머 수지를 상기 활성층, 소오스 전극 및 드레인 전극 위에 도포하여 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 탑 게이트 트랜지스터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 희생층은Ga-O, Ga-N, Ga-O-N 계열 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플렉서블 탑 게이트 트랜지스터의 제조 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 희생층의 두께는 5nm 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 플렉서블 탑 게이트 트랜지스터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 희생층, 절연층, 활성층, 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극은 스퍼터링 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 탑 게이트 트랜지스터의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 모재 기판에 가해지는 레이저는 ArF, KrCl, KrF, XeCl, XeF 레이저 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플렉서블 탑 게이트 트랜지스터의 제조 방법
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모재 기판 위에 희생층을 형성하는 단계;상기 희생층 위에 활성층, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하여 시료를 제조하는 단계;상기 모재 기판에 레이저를 조사하여 레이저 리프트 공정을 통해 상기 모재 기판과 희생층 사이를 박리하는 단계; 상기 모재 기판과 박리된 시료에 임시 접착층을 접착하여 플렉서블 지지기판으로 상기 박리된 시료를 전사하는 단계; 및상기 박리한 희생층 박리면에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 희생층은 절연층으로 동작하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 탑 게이트 트랜지스터의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 희생층은Ga-O, Ga-N, Ga-O-N 계열 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플렉서블 탑 게이트 트랜지스터의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 희생층, 절연층, 활성층, 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극은 스퍼터링 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 탑 게이트 트랜지스터의 제조 방법
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제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 모재 기판에 가해지는 레이저는 ArF, KrCl, KrF, XeCl, XeF 레이저 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플렉섭르 탑 게이트 트랜지스터의 제조 방법
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