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투명 박막 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014059370
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 모든 구성 요소가 저렴한 산화티타늄(Ti-O)으로 이루어진 투명 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명에 의한 투명 박막 트랜지스터는, 금속 물질(M)이 도핑된 산화티타늄(M:Ti2O3)으로 이루어진 게이트 전극, 게이트 전극과 접하고 유전체 특성을 갖는 산화티타늄(TiO2)으로 이루어진 유전층, 유전층에 의해 게이트 전극과 이격되고 게이트 전극과 산화티타늄(M:Ti2O3)으로 이루어진 소스 전극, 유전층에 의해 게이트 전극과 이격되고 소스 전극과 이격되도록 배치되며 게이트 전극과 같은 산화티타늄(M:Ti2O3)으로 이루어진 드레인 전극, 소스 전극과 드레인 전극을 연결하고 금속 물질(M)이 도핑된 산화티타늄(M:TiO2)으로 이루어진 반도체층을 포함한다. 본 발명에 의한 투명 박막 트랜지스터는 모든 구성 요소가 산화티타늄으로 이루어짐으로써, 제조 공정이 단순하고 저비용으로 제조가 가능하다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) G02F 1/136 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020110030354 (2011.04.01)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1273707-0000 (2013.06.04)
공개번호/일자 10-2011-0111255 (2011.10.10) 문서열기
공고번호/일자 (20130612) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100030319   |   2010.04.02
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.01)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김한기 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 박용석 대한민국 경상북도 구미시
3 최광혁 대한민국 경상북도 구미시
4 최윤영 대한민국 대구광역시 달성군 다사읍 달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서재승 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***-*(논현동) ***호(스카이국제특허사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0240870-29
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.06.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.07.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0056612-38
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0510460-16
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0882563-32
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0991714-64
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.12.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1095939-81
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-1095935-09
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0372543-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 물질(M)이 도핑되어 도체 특성을 갖는 결정질의 산화티타늄(M:Ti2O3)으로 이루어진 게이트 전극;상기 게이트 전극과 접하고, 유전체 특성을 갖는 비정질의 산화티타늄(TiO2)으로 이루어진 유전층;상기 유전층에 의해 상기 게이트 전극과 이격되고, 상기 게이트 전극과 같은 도체 특성을 갖는 결정질의 산화티타늄(M:Ti2O3)으로 이루어진 소스 전극;상기 유전층에 의해 상기 게이트 전극과 이격되고, 상기 소스 전극과 이격되도록 배치되며, 상기 게이트 전극과 같은 도체 특성을 갖는 결정질의 산화티타늄(M:Ti2O3)으로 이루어진 드레인 전극; 및상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 연결하고, 상기 게이트 전극보다 상기 금속 물질(M)이 적게 도핑되어 반도체 특성을 갖는 비정질 또는 결정질의 산화티타늄(M:TiO2)으로 이루어진 반도체층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극은 아나타제형(anatase) 결정 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터
3 3
제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 유전층 하부에 배치되고, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극과 상기 반도체층은 상기 유전층 상부에 배치되는 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터
4 4
제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 유전층 상부에 배치되고, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극과 상기 반도체층은 상기 유전층 하부에 배치되는 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터
5 5
제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 반도체층에 도핑되는 금속 물질(M)은 니오븀(Nb)인 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터
6 6
(a) 산화티타늄(Ti2O3)으로 이루어진 산화티타늄(Ti2O3) 타겟과, 금속 물질(M)로 이루어지는 금속 타겟을 동시에 스퍼터링하여, 상기 금속 물질(M)이 도핑된 결정질의 산화티타늄(M:Ti2O3)으로 이루어진 게이트 전극을 형성하는 단계;(b) 산화티타늄(TiO2)으로 이루어진 산화티타늄(TiO2) 타겟을 스퍼터링하여 유전체 특성을 갖는 산화티타늄(TiO2)으로 이루어진 유전층을 형성하는 단계;(c) 상기 산화티타늄(Ti2O3) 타겟과 상기 금속 타겟을 동시에 스퍼터링하여, 상기 금속 물질(M)이 도핑된 결정질의 산화티타늄(Ti2O3)으로 이루어진 소스 전극 및 드레인 전극을 각각 형성하는 단계; 및(d) 상기 산화티타늄(TiO2) 타겟과 상기 금속 타겟을 동시에 스퍼터링하되, 상기 금속 물질(M)이 상기 게이트 전극의 금속 물질(M)보다 적게 도핑된 산화티타늄(M:TiO2)으로 이루어진 비정질 또는 결정질의 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 게이트 전극과 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 반도체층 사이에 상기 유전층을 배치하고, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 상기 반도체층을 통해 연결하는 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 (a) 단계는 상기 산화티타늄(Ti2O3) 타겟과 상기 금속 타겟을 동시에 스퍼터링한 후, 상기 산화티타늄(M:Ti2O3)으로 이루어진 게이트 전극을 급속 열처리하는 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터의 제조방법
8 8
삭제
9 9
제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 (c) 단계는 상기 산화티타늄(Ti2O3) 타겟과 상기 금속 타겟을 동시에 스퍼터링한 후, 상기 산화티타늄(Ti2O3)으로 이루어진 소스 전극 및 드레인 전극을 각각 급속 열처리하는 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터의 제조방법
10 10
삭제
11 11
제 6 항에 있어서,상기 산화티타늄(Ti2O3)으로 이루어진 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 아나타제형(anatase) 결정 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터의 제조방법
12 12
제 6 항에 있어서,상기 (a) 단계를 먼저 수행하여 기판 위에 상기 게이트 전극을 형성하고, 상기 (b) 단계를 수행하여 상기 게이트 전극 위에 상기 유전층을 형성하고, 상기 (d) 단계를 수행하여 상기 반도체층을 상기 유전층 위에 형성하고, 상기 (c) 단계를 수행하여 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 상기 반도체층을 통해 연결되도록 상기 유전층 위에 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터의 제조방법
13 13
제 6 항에 있어서,상기 (c) 단계를 먼저 수행하여 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 기판 위에 상호 이격되게 형성하고, 상기 (d) 단계를 수행하여 상기 반도체층을 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 연결하도록 상기 기판 위에 형성하고, 상기 (b) 단계를 수행하여 상기 반도체층 위에 상기 유전층을 형성하고, 상기 (a) 단계를 수행하여 상기 유전층 위에 상기 게이트 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터의 제조방법
14 14
제 6 항에 있어서,상기 게이트 전극, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 반도체층에 도핑되는 금속 물질(M)은 니오븀(Nb)인 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.