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대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중패터닝 방법
- 기술번호 : KST2014035689
- 담당센터 : 경기기술혁신센터
- 전화번호 : 031-8006-1570
| 요약 | 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법이 개시(disclose)된다. 보다 구체적으로 본 개시는 기판을 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 대기압 플라즈마 장치에 제공하는 과정, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 대기압 플라즈마를 방전하여 상기 기판이 소수성 패턴을 가지도록 대기압 플라즈마 표면처리를 하는 과정, 상기 기판을 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 소정거리만큼 이송하여 위치하게 하는 과정 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 대기압 플라즈마를 방전하여 상기 기판이 친수성 패턴을 가지도록 대기압 플라즈마 친수성 표면처리를 하는 과정을 포함하여 상기 기판이 소수성 패턴과 친수성 패턴을 동시에 가지도록 하는 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법을 제공한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/3065 (2006.01) C23C 16/04 (2006.01) |
| CPC | H01L 21/306(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020090117590 (2009.12.01) |
| 출원인 | 성균관대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1151277-0000 (2012.05.23) |
| 공개번호/일자 | 10-2011-0061062 (2011.06.09) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20120614) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2009.12.01) |
| 심사청구항수 | 17 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 성균관대학교산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 염근영 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 |
| 2 | 임종태 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 3 | 박재범 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
| 4 | 권재욱 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
| 5 | 오종식 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 양우석 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 양재동 ***-* 정환빌딩 *층(쿼스국제특허법률사무소) |
| 2 | 남정길 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 성균관대학교산학협력단 | 경기도 수원시 장안구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.12.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0740599-96 |
| 2 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2009.12.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0743909-72 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.07.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2010.08.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0053249-73 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.04.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0214033-23 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.06.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0428365-37 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.06.08 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0428366-83 |
| 8 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.12.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0777108-53 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.02.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0162982-61 |
| 10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.02.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0162979-23 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
| 12 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.05.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0286951-77 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 (a) 기판을 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 대기압 플라즈마 장치에 제공하는 과정;(b) 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 대기압 플라즈마를 방전하여 상기 기판이 소수성 패턴을 가지도록 대기압 플라즈마 표면처리를 하는 과정;(c) 상기 기판을 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 이송하여 위치시키는 과정; 및(d) 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 대기압 플라즈마를 방전하여 상기 기판이 친수성 패턴을 가지도록 대기압 플라즈마 표면처리를 하는 과정;을 포함하여 이루어지되,(c) 과정은,(d) 과정에서 형성되는 상기 친수성 패턴이 (b) 과정에서 형성되는 상기 소수성 패턴 상에서 서로 일치하게 중첩되지 않도록 상기 기판을 이송하여 위치시키는 과정을 포함하며,상기 기판이 소수성 패턴과 친수성 패턴을 동시에 가지도록 하는 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법 |
| 2 |
2 (a) 기판을 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 제1 대기압 플라즈마 장치에 제공하는 과정;(b) 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 대기압 플라즈마를 방전하여 상기 기판이 소수성 패턴을 가지도록 대기압 플라즈마 표면처리를 하는 과정;(c) 상기 기판을 요철 패턴을 구비한 전극을 포함하는 제2 대기압 플라즈마 장치에 제공하는 과정; 및(d) 상기 제2 대기압 플라즈마 장치에서 대기압 플라즈마를 방전하여 상기 기판이 친수성 패턴을 가지도록 대기압 플라즈마 표면처리를 하는 과정;을 포함하여 상기 기판이 소수성 패턴과 친수성 패턴을 동시에 가지도록 하는 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법 |
| 3 |
3 (a) 기판을 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 대기압 플라즈마 장치에 제공하는 과정;(b) 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 대기압 플라즈마를 방전하여 상기 기판이 소수성 패턴을 가지도록 대기압 플라즈마 표면처리를 하는 과정;(c) 상기 제1 전극을 요철 패턴을 가지며 대기압 플라즈마를 발생시키는 제3 전극으로 교체하는 과정; 및(d) 상기 제3 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 대기압 플라즈마를 방전하여 상기 기판이 친수성 패턴을 가지도록 대기압 플라즈마 표면처리를 하는 과정;을 포함하여 상기 기판이 소수성 패턴과 친수성 패턴을 동시에 가지도록 하는 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법 |
| 4 |
4 (a) 기판을 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 대기압 플라즈마 장치에 제공하는 과정;(b) 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 대기압 플라즈마를 방전하여 상기 기판이 친수성 패턴을 가지도록 대기압 플라즈마 표면처리를 하는 과정;(c) 상기 기판을 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 이송하여 위치시키는 과정; 및(d) 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 대기압 플라즈마를 방전하여 상기 기판이 소수성 패턴을 가지도록 대기압 플라즈마 표면처리를 하는 과정;을 포함하도록 이루어지되,(c) 과정은,(d) 과정에서 형성되는 상기 소수성 패턴이 (b) 과정에서 형성되는 상기 친수성 패턴 상에서 서로 일치하게 중첩되지 않도록 상기 기판을 이송하여 위치시키는 과정을 포함하며, 상기 기판이 친수성 패턴과 소수성 패턴을 동시에 가지도록 하는 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법 |
| 5 |
5 (a) 기판을 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 제1 대기압 플라즈마 장치에 제공하는 과정;(b) 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 대기압 플라즈마를 방전하여 상기 기판이 친수성 패턴을 가지도록 대기압 플라즈마 표면처리를 하는 과정;(c) 상기 기판을 요철 패턴을 구비한 전극을 포함하는 제2 대기압 플라즈마 장치에 제공하는 과정; 및(d) 상기 제2 대기압 플라즈마 장치에서 대기압 플라즈마를 방전하여 상기 기판이 소수성 패턴을 가지도록 대기압 플라즈마 표면처리를 하는 과정;을 포함하여 상기 기판이 친수성 패턴과 소수성 패턴을 동시에 가지도록 하는 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법 |
| 6 |
6 (a) 기판을 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 대기압 플라즈마 장치에 제공하는 과정;(b) 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 대기압 플라즈마를 방전하여 상기 기판이 친수성 패턴을 가지도록 대기압 플라즈마 표면처리를 하는 과정;(c) 상기 제1 전극을 요철 패턴을 가지며 대기압 플라즈마를 발생시키는 제3 전극으로 교체하는 과정; 및(d) 상기 제3 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 대기압 플라즈마를 방전하여 상기 기판이 소수성 패턴을 가지도록 대기압 플라즈마 표면처리를 하는 과정;을 포함하여 상기 기판이 친수성 패턴과 소수성 패턴을 동시에 가지도록 하는 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법 |
| 7 |
7 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 대기압 플라즈마 장치는 유전체 장벽 방전(Dielectric Barrier Discharge) 방식인 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법 |
| 8 |
8 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 친수성 패턴 또는 상기 소수성 패턴은 직사각형이 바둑판 모양으로 배열된 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법 |
| 9 |
9 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 친수성 패턴 또는 상기 소수성 패턴은 줄무늬(stripe) 모양으로 배열된 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법 |
| 10 |
10 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 (c) 과정은 상기 친수성 패턴 및 상기 소수성 패턴의 일부 면적이 서로 겹치도록 하는 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법 |
| 11 |
11 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 (c) 과정에서 상기 기판을 10 나노미터 이상 100 마이크로미터 이하 거리만큼 이송하여 위치시키는 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법 |
| 12 |
12 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 전극은 요철을 가진 패턴을 구비하는 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서,상기 요철의 양각 부분의 높이(h)를 조절할 수 있는 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법 |
| 14 |
14 제 12 항에 있어서,상기 패턴의 너비(w)를 조절할 수 있는 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법 |
| 15 |
15 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 전극은 요철을 가진 패턴을 구비하는 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법 |
| 16 |
16 제 15 항에 있어서,상기 요철의 양각 부분의 높이를 조절할 수 있는 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법 |
| 17 |
17 제 15 항에 있어서,상기 패턴의 너비를 조절할 수 있는 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 지식경제부 | 정부)지경부-산업기술평가원-산업기술개발/핵심기술개발 | 전략기술개발사업 | 나노입자 패턴의 접착력 향상 기술개발 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
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| 특허 등록번호 | 10-1151277-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20091201 출원 번호 : 1020090117590 공고 연월일 : 20120614 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120517 청구범위의 항수 : 17 유별 : H01L 21/3065 발명의 명칭 : 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 354,000 원 | 2012년 05월 23일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 289,800 원 | 2015년 04월 07일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 289,800 원 | 2016년 03월 28일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 307,180 원 | 2017년 06월 27일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 746,000 원 | 2018년 12월 18일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 373,000 원 | 2019년 03월 05일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.12.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0740599-96 |
| 2 | [출원서등 보정]보정서 | 2009.12.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0743909-72 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.07.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 | 2010.08.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0053249-73 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2011.04.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0214033-23 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.06.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0428365-37 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.06.08 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0428366-83 |
| 8 | 의견제출통지서 | 2011.12.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0777108-53 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.02.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0162982-61 |
| 10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.02.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0162979-23 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
| 12 | 등록결정서 | 2012.05.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0286951-77 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
| 기술번호 | KST2014035689 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 성균관대학교 |
| 기술명 | 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중패터닝 방법 |
| 기술개요 |
대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법이 개시(disclose)된다. 보다 구체적으로 본 개시는 기판을 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 대기압 플라즈마 장치에 제공하는 과정, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 대기압 플라즈마를 방전하여 상기 기판이 소수성 패턴을 가지도록 대기압 플라즈마 표면처리를 하는 과정, 상기 기판을 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 소정거리만큼 이송하여 위치하게 하는 과정 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 대기압 플라즈마를 방전하여 상기 기판이 친수성 패턴을 가지도록 대기압 플라즈마 친수성 표면처리를 하는 과정을 포함하여 상기 기판이 소수성 패턴과 친수성 패턴을 동시에 가지도록 하는 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법을 제공한다. |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 기판의 이중패터닝 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1415097069 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10031732 |
| 연구과제명 | 다이렉트나노패터닝용도전성소재개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 에이엠오 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200812~201309 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
| [1020090117590] | 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중패터닝 방법 | 새창보기 |
|---|
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